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流体の流れ、温度分布を可視化！AnsysIcepakを使い解析を行い、設計の手助けをいたします
冷却対象に対するモデリングにおいて、設計者による経験値による 設計⇒試作⇒実験による測定⇒再設計⇒試作を繰り返す場合、時間と 費用の無駄が発生してしまいます。 端的に言えばその無駄を無くすために、CFD解析が必要とされています。 CFDでは入力するパラメーターさえあれば自動的に計算され、それにより 流体の流れ、温度分布が可視化されます。 当社ではAnsysIcepakを使い解析を行い、設計の手助けを致します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
業界リーダーによる静的解析（SAST）ソリューション。コーディング中にセキュリティと品質の問題をすばやく見つけて修正できます。
Coverity はスピード、使いやすさ、精度、業界標準規格への適合、スケーラビリティを兼ね備え、高品質でセキュアなアプリケーションの開発を支援します。Coverity では開発プロセス早期のコーディング時に重大な品質上の不具合およびセキュリティ脆弱性を特定できるため、修正の手間とコストが最小に抑えられます。 正確かつ具体的な修正アドバイス、およびコンテキストに応じた e ラーニングにより、セキュリティの専門知識がない開発者でも優先度の高い問題の修正方法をすばやく理解できます。Coverityは自動セキュリティ・テストを CI/CD パイプラインにシームレスに統合し、既存の開発ツールおよびワークフローをサポートします。 また、Coverity は開発の場所とスタイルに応じてオンプレミスだけでなく、スケーラブルなアプリケーション・セキュリティ・プラットフォームを SaaS モデルとして提供するクラウド・ベースの Polaris ソフトウェア・インテグリティ・プラットフォームとしても導入できます。Coverity は 22 の言語および 70 を超えるフレームワークとテンプレートをサポートしています。
ソフトウェア・サプライチェーン全体でオープンソースを保護・管理します！
『Black Duck』は、アプリケーションやコンテナでオープンソースを使用した 場合に発生するセキュリティ、ライセンス・コンプライアンス、コード品質の リスクを管理する包括的なソリューションです。 Forrester社によってソフトウェア・コンポジション解析（SCA）のリーダー として認定。 サードパーティ・コードの可視性を最大限に高め、ソフトウェア・サプライ チェーン全体、およびアプリケーション・ライフサイクル全体にわたって サードパーティ・コードを管理します。 【特長】 ■解析の精度と効率が向上 ■脆弱性を短時間で検知・修正 ■セキュリティおよび使用に関するポリシーを自動で適用 ■ソースコードなしでもオープンソースのリスクを特定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
サニタリー性に優れ、コンパクト！ハイトルク低速回転の一軸押出し機のご提案です
『ME-110INV』は、小型サイズで、食品やコスメ業界、ペットフードのラボ用・試作用に 適した押出し機です。 東日本50Hzエリア：16回転/分、西日本60Hzエリア：20回転/分となっておりますが、 材料の固さや作業速度に合わせて回転数を12rpm（40Hz）～23rpm（70Hz）で、 ユーザー様ご自身で調整が可能。 ノズルダイは、用途に応じて簡単に交換ができ、押出しスクリュー部分は、 完全に分離洗浄が可能です。 【特長】 ■コンパクトなサイズで、少量生産の研究開発に好適（ラボ・食品・コスメ用途） ■ノズルダイは、用途に応じて簡単に交換が可能（2サイズ標準付属） ■押出しスクリュー部分は、完全に分離洗浄が可能 ■回転数を12rpm（40Hz）～23rpm（70Hz）で、ユーザー様ご自身で調整が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
成形の際の不良予測・原因分析が可能！金型修正費用を低減できる樹脂流動解析！【特急対応可】
『樹脂流動解析』は、外観からは確認が難しい射出成形機から金型の内部に 射出された溶融樹脂の流れを可視化する方法です。 事前に流動解析を行うことで成形の際の不良予測や原因の分析が可能。 開発工期を短縮でき、金型修正費用を低減、カン、コツに頼らない製品設計が 可能になります。 【特長】 ■開発工期を短縮できる ■金型修正費用を低減できる ■カン、コツに頼らない製品設計が可能になる ■成形品の品質が向上する ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です
株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Cu板における圧縮前後での変化を観察！圧縮前後の結晶粒径の半化を比較できます
EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 Cu板における圧縮前後での変化観察では、IQマップ、GRODマップ、 IPFマップ(Axis3方向)を使用し、圧縮前後の結晶粒径の半化を 比較することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所などが分かる、EBSD解析をご紹介します！
フレキシブル基板（FPC）のEBSD解析をご紹介します。 可動部や折り曲げ機構がある製品に使用されるフレキシブル基板について、 屈曲部と固定部でCu配線に違いがあるかEBSDによる確認を実施。 その結果、光学像では屈曲部と固定部の配線に顕著な異常や差異は 確認できないが、EBSD解析では、屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所や、 小傾角粒界が集中している個所が存在していることが分かりました。 【解析内容】 ■フレキシブル基板外観とCu配線光学像 ・フレキシブル基板外観 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ■EBSDによる屈曲部と固定部のCu配線比較 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高度な試料作製技術と半導体用の故障解析装置を応用！不点灯や輝度劣化の原因を調査
当社の「LEDの故障解析」では、高度な試料作製技術と半導体用の 故障解析装置を応用し、LEDの故障解析を行い不点灯や輝度劣化の 原因を調査します。 「LED不良モードの切り分け」では、レンズ研磨後の点灯試験、 観察LEDの樹脂をそれぞれ、a, b, c まで研磨し、（a）,（b）点灯観察、 （c）樹脂越しのチップの光学観察を行いました。 この他にも「電気的正常」、「オープン、高抵抗」などがございます。 【LEDパッケージの初期診断項目】 ■電気特性測定 ■外観観察 ■レンズ研磨/パッケージ内部光学観察 ■点灯試験（輝度分布観察） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について確認しました！
市販のLiイオン電池に使用されているセパレータについてFT-IR分析にて、 材料分析を行った後、高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について 確認しました。 資料では、Liイオン電池セパレータの材料分析や高温環境下における セパレータの状態変化観察をグラフや写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池セパレータの材料分析 ■高温環境下におけるセパレータの状態変化観察 ・セパレータを135℃の一定温度で時系列的に断面の状態変化を FIB/SEMにて観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて観察！詳細な構造の解析や元素分析等が可能
市販の角型Liイオン電池を機械研磨し、光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて 観察することにより、詳細な構造の解析や元素分析等が行えます。 資料では、Liイオン電池の全体構造及びSEM観察や極低加速FE-SEMによる Liイオン電池の詳細構造観察を写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池の全体構造及びSEM観察 ■極低加速FE-SEMによるLiイオン電池の詳細構造観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
特長を当社のFT-IR、熱分解GC-MSを使用して分子レベルで解き明かしていきます！
アイテスでは『ナイロン6.10の構造解析』を行っています。 ナイロンはしなやかさを備え、絹に近い感触を持ち、その一方で、 「鋼鉄より強く、クモの糸より細い」という天然繊維にない高い強度や 耐久性を持ちます。 その特長を当社のFT-IR、熱分解GC-MSを使用して分子レベルで 解き明かしていきます。 【ナイロン6.10 界面重合反応機構】 1.塩素の電子吸引により隣接炭素の電子が不足 2.アミンの非共有電子が炭素を求核攻撃する 3.酸素原子が活性化して不安定な中間体を形成 4.塩化水素が脱離して、アミド結合を形成 5.界面重合が進み、ポリマー化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良解析の実績多数！現象の確認から不良発生メカニズムの推測など、詳細な解析が可能
当社では、「海外製ディスプレイの不良解析」を行っております。 現象の確認から、不良発生メカニズムの推測、原因となった 生産工程の絞り込みなど、詳細な解析が可能です。 点灯観察、パネル解体、光学顕微鏡観察を不良症状に合わせて実施。 不具合箇所を絞り込み、詳細解析が必要な場合は適切な手法を提案させていただきます。 【詳細解析例(一部)】 ■配線の断面観察 ■異物分析 ■液晶成分分析 ■電気特性測定 ※別途費用が発生いたします ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
