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結晶方位や結晶粒径の変化が解析可能！EBSD(電子線後方散乱回折)法をご紹介いたします
EBSD法とは、試料の持つ結晶構造の情報を基に連続的に取り込んだパターン の結晶方位を算出することにより、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を 解析する手法です。 金属やセラミック等の結晶質のものは、立方体等の結晶格子が多数集まって 構成されていると考えられおり、当解析法では、それがどのような方向を 向いているのか(結晶方位)を解析。 IQマップ(イメージクオリティーマップ)をはじめ、IPFマップ、GRODマップ、 極点図など、様々なマップを使用します。 【特長】 ■EBSD法は、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を解析する手法 ■(株)TSLソリューションズOIM7.0結晶方位解析装置を使用 ■結晶格子がどのような方向を向いているのか(結晶方位)を解析 ■加工条件(圧延、押出等)の違いによる結晶方位や結晶粒径の 変化が解析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
良品と静電気（ESD）破壊品の輝度・特性の比較、EMS顕微鏡による発光解析事例をご紹介します！
当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、 ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで 破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
LCD部品、製品の品質状態を確認！液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法と知見で解析致します！
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD,AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT）,OLED 車載,モニター,モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
点灯確認、パネル解体、光学顕微鏡観察により、不良発生箇所を絞り込みます！
不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで 液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。 初期解析では、現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、 不良症状に合わせて実施。 詳細解析では、初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析 など好適な手法をご提案いたします。 原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能です。 【解析内容】 ■初期解析 ・現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、不良症状に合わせて実施 ・セルパネルや周辺回路などの大まかな箇所から、細かいところまで絞り込み ■詳細解析(別途解析費用が発生) ・初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析など好適な手法 をご提案 ・原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ポリマー材料やサンプルの状態などに応じて適切な分析方法をご提案！
株式会社アイテスでは、材料劣化解析を行っております。 ポリマー材料やサンプルの状態などに応じて適切な分析方法をご提案。 材料がどのような劣化過程を辿ったかを解析し、ポリマー材料や使用環境を 適切にすることで製品の寿命を延ばす事が可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パネル偏光板の劣化解析例を掲載！信頼性試験やHS-GCMS分析によるアウトガス分析などで劣化解析してみました
液晶パネルに使用される偏光板はトリアセチルセルロース、ポリビニルアルコール、 ポリエチレンテレフタレートなどを貼り合わせた多層フィルムで出来ています。 当資料では、信頼性試験後のパネル偏光板をHS-GCMS分析、熱脱着GCMS分析により劣化解析した事例をご紹介しています。 目に見えない劣化でも、この分析なら見つかるかも？！ 是非、ご一読ください。 【掲載内容】 ■信頼性試験 ■HS-GCMS分析によるアウトガス分析 ■熱脱着GCMS分析による低沸点成分分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ブルーライトカットフィルムの光透過性がどのように変化するか、分光光度計を用いて検証！
ブルーライトカットフィルムは、通常のPETフィルムに比べ、可視光、 特に波長500nm以下の光の透過を抑える効果を有しております。 UV照射によって、ブルーライトカットフィルムの光透過性が どのように変化するか、分光光度計を用いて検証。 波長350～400nmの光の透過性が、UV照射によって、さらに低下しました。 また、フィルム内部で起こっている反応に関して、GC-MSを用いて分析を 行いました。 【解析内容】 ■通常PETフィルムとブルーライトカットフィルムの光透過特性 ■ブルーライトカットフィルムへのUV照射 ■フィルム内成分のGC-MS分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不具合が出れば詳細解析も！海外製LCD導入ご検討のお客様向け簡易版解析
株式会社アイテスの液晶ディスプレイの良品解析についてご紹介します。 まず、外観観察としてセルパネル状態で、FPC、FOG、COG、 シール材に着目して光学顕微鏡観察を行い、次にセルパネルを解体して、 シール材やPI膜、TFT形状を確認。 良品解析で不具合が見つかった場合は、配線の断面観察、異物分析など 原因究明のための追加解析を御提案させていただきます。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【外観観察の観察内容】 ■FPCの配線に腐食や異物は無いか ■FOGの接合は問題ないか ■COGの接合は問題ないか ■シール材に破断等はないか ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自の前処理加工技術により様々な状態のサンプルに対して解析を実施可能！
当社では、信頼性試験から故障解析までの一貫した解析を行っております。 それにより、サンプルが規格を満たしているか確認すると共に、 Failしたサンプルの不良箇所の特定及び観察をする事が可能。 お客様のご要望、目的に応じた試験や解析をご提案、実施し、 原因究明～問題解決までのお手伝いをいたします。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【解析の流れ】 ■信頼性試験による半導体素子のスペック確認 ■不良箇所特定～TEMによる故障箇所の観察 ・EMS/OBIRCH解析による不良箇所特定 ・TEMによる故障箇所の観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
試料表面で生じる電子線後方散乱回析により金属など結晶性材料の結晶方位・粒径・歪み分布などに関する情報を取得することが出来ます。
EBSD分析とは、SEM（走査電子顕微鏡）と組み合わせて、金属結晶粒子の方位、微粒子化を解析する事で、問題点を顕在化させ、 設計・プロセス・材料の改善や、品質トラブルの未然防止に役立てることが出来ます。 また、 信頼性試験と組み合わせることにより、評価初期段階での歪み発生箇所の解明、破壊メカニズムの解明などに役立ちます。 【マッピングの例】 ■IQマップ パターンの良否により結晶性の良し悪しを表します。 IQ値は試料断面加工の精度良否の指標として用いられます。 ■IPF（結晶方位）マップ 試料座標系を設定し、結晶面がその方向に向いているかを表したものです。 ■Grainマップ 基準方位差を指定し、隣り合う測定点同士の方位差が基準より大きく、粒子として閉じていれば、 異なる結晶粒とみなし、異なる色を付けます。 ■KAMマップ 微視的方位変化、局所方位差を表します。 ■GRODマップ Grainマップで定義された粒子1つ1つに対し、微小な方位変化を求め、 印加されている残留応力を粒子毎に求める場合に用いります。 ※詳細は下記までお問い合わせください。
事例あり。車載向けパワーデバイス開発の活発化に伴い、デバイスの故障解析および良品解析の需要が増えております。
■パワーデバイスへの対応 パワーデバイスは、通常の半導体パッケージよりも信頼性が高い樹脂を使う傾向があり、 そのため開封の難易度も高くなっています。 ここでは、弊社で実施したIGBT開封の事例を紹介しています。 ■Agワイヤを使用した半導体パッケージの開封 近年、金価格の高騰に伴い、Auワイヤの代替品への置き換えが進められています。 銀（Ag）ワイヤには下記のメリットがあり、今後の増加が予想されます。 【Agワイヤの特長】 ■Auワイヤと比較して低価格 ■Auワイヤと同程度の柔らかさを持ち、ボンディングダメージのリスクが低い ■Auワイヤと同等レベルの高い接続信頼性 ■Cuワイヤと比べてボンディング設備への投資負担が少ない その一方で、 Cuワイヤよりも開封時の薬品ダメージが大きく、開封条件の再検討が必要となっています。 弊社では、Au・Cuで長年蓄積した技術に基づき、Agワイヤの開封も可能にしました。 ※詳細は下記までお問い合わせください。
より良い観察の提案が可能！高い透過力と解像度を併せ持つX線CTを導入
自動車の電装化が進むにつれ、部品の採用車種や一台当たりの搭載部品点数が 飛躍的に増大し、開発段階においては、試作品の評価工数の短縮が、ますます 要求されています。 試作品の製造品質確認や信頼性評価は、破壊解析によるものが主流でしたが、 工数もかかるうえに、問題が無かったとしても、一度破壊してしまった試作品や 市場不良・工程不良品を元に戻す事は出来ません。 そこで、非破壊のままでも多くの有益なデータを得たい、直接目視できない モジュール内部の出来栄えを確認したい、信頼性試験による劣化調査を行いたい、 といった要望が高まっています。 ”クオルテック 名古屋品質技術センター”では、高い透過力と解像度を併せ持つ X線CT「FF35」を導入。より良い観察の提案が可能です。 【特長】 ■内部構図を立体的に把握でき、任意箇所の断面画像を得られる ■二つのX線管を併せ持つCTシステム ■150nmまでの微細構造を認識できる高解像度観察が可能 ■積層物のCTに適したヘリカルスキャン機能も搭載 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
