ピーアイ・ジャパンの製品ラインアップ

D-050/D-100は、PI社が提供する2電極静電容量センサーで、最大150µmの測定範囲と0.01nmの分解能を実現。 干渉計より高分解能かつ非接触方式のため、ナノメートルスケールの測定に最適です。 パラレル計測に対応し、多軸制御におけるリアルタイム補正も可能。 直線性は0.01%以下（デジタルコントローラー使用時）、バンド幅は最大10kHz。 クリーン環境、半導体製造、計測機器への組込みに適しています。

D-510 PISecaは、最大測定範囲500µm・分解能1nm未満を実現する単一電極静電容量センサーです。 センサープローブはLEMOコネクタ付きで取り付けが容易。 ガードリング電極によって電場の均一性が確保され、高リニアリティ（最大0.1%）を達成しています。 E-852.10等の専用エレクトロニクスと組み合わせることで、静的・動的分解能ともに優れたナノメートル級の変位測定が可能です。

精密機械分野では、製品性能や加工精度を高めるため、ナノメートルレベルの高精度な変位測定が求められます。特に高精度位置決めや微細加工、精密計測では、わずかな変位の変化を正確に測定することが重要です。測定精度が不足すると、製品品質の低下や装置性能のばらつきにつながる可能性があります。 D-050 / D-100は、静電容量方式による非接触変位測定を採用した高分解能センサーです。最大0.01nmの分解能により、ナノスケールの精密変位測定を実現し、精密機械装置や精密計測システムにおける高精度位置制御に貢献します。 【活用シーン】 ・精密位置決め装置 ・精密計測機器 ・半導体製造装置 ・ナノ位置決めシステム ・クリーン環境での精密測定 【導入の効果】 ・ナノメートルレベルの高精度変位測定 ・非接触測定による対象物への影響低減 ・高精度位置決め制御の実現 ・多軸システムにおける高精度フィードバック制御

ナノテクノロジー分野では、材料や構造の微小な変位や変形をナノメートルレベルで正確に測定することが重要です。特に、ナノ材料評価やナノ計測、ナノポジショニングでは、わずかな変位の変化を高分解能で検出できるセンサーが求められます。 D-050 / D-100は、静電容量方式による非接触変位測定を採用した高分解能センサーです。最大0.01nmの分解能により、ナノスケールの変位測定や高精度位置制御を実現し、ナノテクノロジー研究やナノ計測システムにおける高精度測定を可能にします。 【活用シーン】 ・ナノ材料の特性評価 ・薄膜の厚さ測定 ・表面形状の精密測定 【導入の効果】 ・ナノメートルスケールでの高精度な測定が可能 ・非接触測定による材料への影響を最小化 ・多軸制御によるリアルタイム補正が可能

精密加工分野では、加工精度や装置性能を向上させるために、ナノメートルレベルの高精度な変位測定が求められます。わずかな振動や位置ずれでも、加工精度や製品品質に大きな影響を与える可能性があります。 D-510は、静電容量方式による非接触変位測定を採用した高分解能センサーです。サブナノメートル分解能により、精密加工装置における位置フィードバックや振動測定を高精度に行うことができ、加工プロセスの安定化と精度向上に貢献します。 【活用シーン】 ・精密加工装置の位置フィードバック ・微細加工プロセスの位置制御 ・精密位置決めシステム ・半導体製造装置 ・精密振動測定 【導入の効果】 ・ナノレベルの高精度変位測定 ・非接触測定による対象物への影響低減 ・加工精度の向上 ・装置振動の高精度モニタリング

研究開発分野では、ナノスケールの微小な変位や振動を正確に測定することが求められます。特にナノ計測や精密位置決めの研究では、高分解能かつ高応答なセンサーが実験精度や再現性を大きく左右します。 D-510は、静電容量方式による非接触変位測定を採用した高分解能センサーです。サブナノメートル分解能と最大10 kHzの高帯域により、ナノレベルの変位測定や高ダイナミクスな振動測定を実現します。研究開発用途における高精度測定やナノ位置決め制御に最適です。 【活用シーン】 ・ナノ位置決め研究 ・材料特性評価 ・精密振動測定 ・ナノメトロロジー ・研究用精密計測装置 【導入の効果】 ・ナノレベルの高精度変位測定 ・非接触測定による試料への影響低減 ・高帯域測定による動的挙動の解析 ・実験データの再現性と信頼性向上

半導体製造では、ウェーハステージや精密位置決め機構のわずかな変位や振動が、加工精度や製品歩留まりに大きく影響します。微細化が進む半導体プロセスでは、ナノメートルレベルの変位を高精度に測定することが重要です。 D-510 PISecaは、静電容量方式による非接触変位測定を採用した高分解能センサーです。サブナノメートル分解能と最大10 kHzの高帯域測定により、ウェーハステージの微小変位や装置振動を高精度に検出し、半導体製造装置における位置制御の高精度化とプロセス安定化に貢献します。 【活用シーン】 ・ウェーハステージの位置フィードバック ・半導体製造装置のナノ位置制御 ・ウェーハ表面の振動測定 ・精密アライメントシステム ・半導体検査装置 【導入の効果】 ・ナノレベルの高精度変位測定 ・非接触測定によるウェーハへの影響低減 ・装置振動の高精度モニタリング ・半導体プロセスの安定化と歩留まり向上