エッチング装置の製品一覧

  • 分類:エッチング装置

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アイソレーターをお持ちの方へ。高い薬品耐性と作業性を実現。低価格、短納期も実現可能なグローブボックス・アイソレーター用グローブ

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  • 作業用手袋

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【2026年5月20日(水)~22日(金)】「インターフェックスWeek東京」出展のご案内

株式会社イトーは、幕張メッセで開催される「インターフェックスWeek東京」に出展致します。 当展示会は、世界25の国と地域から医薬品・化粧品・再生医療の研究・製造に関するあらゆる製品・サービスが出展する展示会として、日本最大の規模で開催。 世界中から医薬品・化粧品メーカー、再生医療企業が来場します。 当社ではTron Power社製「グローブボックス/アイソレーター用グローブ」を出展致します。皆様のご来場をお待ちしております。

洗浄可能な、タッチレス(非接触)構造のバルブフィーダー!異物混入リスクを低減しました

  • フィーダー

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Particle-PLUS解析事例紹介「2周波CCPのプラズマ解析」シミュレーション事例

  • エッチング装置
  • ウエハー
  • アッシング装置

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2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置(スパッタ、蒸着、など)をロードロックでシームレスに連結

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置(スパッタ - 蒸着、など)をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能(写真下)。 1. MiniLab-E080A(蒸着装置) ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A(スパッタリング装置) ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D(PMMA等のレジスト除去など)、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。(*メインチャンバーステージへも搭載可能です)

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ、4元マルチスパッタ(Φ2〜4inchカソード)

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • エッチング装置

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

クリーンルーム対応の精密機器据付から保守まで、半導体製造装置の導入をトータルサポート! 補足情報

  • CVD装置
  • エッチング装置
  • レジスト装置

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モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • エッチング装置

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • エッチング装置

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • エッチング装置

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ(Φ4inch用) 4元マルチスパッタ(Φ6, 8inch用)

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置(スパッタ、蒸着、など)をロードロックでシームレスに連結

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

ウェットエッチングによる、コストダウンに配慮した仕様をご提案します。

  • エッチング装置

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中赤外波長可変レーザーOPPO MIRは 2.8~4.2umの波長範囲で調整が可能なピコ秒パルスレーザーです。最大出力1W以上。

  • エッチング装置

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先端パッケージへの展開 □300、510×515等、次世代パッケージ基板向けに各種プロセス装置をご提案

  • スパッタリング装置
  • エッチング装置
  • アニール炉

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PVD/CVD/エッチング装置等で、ゴムOリングからメタルへ置換え、超高真空・極高真空を実現します!JIS V溝フランジ用標準化

  • HPS-Helicoflex-Delta-shaped-seal_3.jpg
  • IPROS50922265999351339394.png
  • IPROS55017178222379215598.png
  • IPROS99345528350331193459.png
  • シール・密封
  • CVD装置
  • エッチング装置

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IPROS27690490026138908974.jpeg

【JIS V溝フランジ用標準化済み】半導体分野向け低設計締付圧力Y『超高真空用デルタシール』

デルタシール(HNV HELICOFLEX(R)DELTA) には、断面の接触側に2つのデルタ形突起があります。 デルタ形突起は、フランジ溝組込時に外被の圧縮時につぶれて消えるように設計されており、 デルタシールの設計締付圧力は、ヘリコフレックスシールに比べて低い為、エラストマー製Oリングとの交換が可能になります。 漏れ量:*円形の場合10⁻¹²Pa・m³/sec.(10⁻¹¹atm.cm³/sec.)     *取付側の品質に依存します。 【特長】 ■断面の接触側に2つのデルタ形突起がある ■超高真空が実現する ■優れた弾性を有し、高温で使用可能 ■エラストマー製Oリングとの交換が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

液晶ガラス基板の薄肉加工ケミカル研磨の自動装置として、G6世代までの薄肉化処理に適しています。

  • その他加工機械
  • エッチング装置
  • その他表面処理装置

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UHP/UHV、超高純度、超高真空、極低温向け高度メタルシーリングソリューション

  • 2020-06-08_16h41_12.png
  • 2020-06-08_16h42_36.png
  • シール・密封
  • CVD装置
  • エッチング装置

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エッチング工程に適した高耐食高耐久ローラー

  • エッチング装置

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丸孔フィルターやハニカムメッシュなど! 自由な形状の作製ができます

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  • エッチング装置

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微量でも、ムラなく、霧のように繊細なコーティング

  • ノズル
  • バルブ
  • エッチング装置

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2019.6.18. Sonaer logo.png

超音波スプレーノズルメーカー「Sonaer」社HPがリニューアルしました

超音波スプレーノズルメーカー「Sonaer(ソニア)」社のHPが新しくなりました。 以前のHPに比べて商品閲覧、そして新たにシステムの提供も開始しました。 ご興味が御座いましたら弊社までお気軽にお問合せください。

めっき・エッチング・洗浄などのウェット装置で先端材料の実用化を支える

  • エッチング装置
  • めっき装置
  • その他表面処理装置

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極薄SUS箔もシワなく安定搬送する独自ロール配置設計

  • エッチング装置

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小ロットの時は厳しい要求のご相談に対応!エッチング加工

  • エッチング装置

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小型でも本格!少量液で実機さながらのエッチング試験

  • エッチング装置

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低テンション搬送でフィルム伸び抑制!高効率スプレーを実現

  • エッチング装置

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ISO17463に基づく電気化学測定装置を用いた金属上の有機被膜の評価 - 塗料およびワニス

  • PGSTAT_M204_4059_550X212.jpg
  • 分析機器・装置
  • エッチング装置
  • ウエハー

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各種成膜処理ができる半導体ウェハー・アドバンストパッケージング向け成膜プラットフォーム

  • スパッタリング装置
  • エッチング装置
  • CVD装置

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高速かつ柔軟性のある基板成膜用途向けの大量生産ソリューションを提供!

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  • エッチング装置

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