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環境分析のアプリケーションと装置
【飲料水・環境水分析】 実践に即した測定手順と高感度で、信頼性の高い精密な分析結果を得ることができます。飲料水、地下水、環境水、プール水などを簡単にモニターすることができ、一般的な基準や規制を満たす、あるいはそれ以上の効果が期待できます。 【排水分析】 都市排水、工業排水、埋立地浸出水など、サンプルの前処理や粒子の処理に必要な労力を大幅に削減し、サンプルの測定時間を短縮します。 【土壌・廃棄物・汚泥分析】 固体分析ソリューションは、サンプルの準備を迅速化し、さらに分析結果の精度を高めることができます当社の分析装置は、掘削や農地からの土壌、下水処理場の沈殿物や汚泥など、有害物質や有毒物質を含む家庭廃棄物や産業廃棄物の分析に最適です。 【大気分析】 アナリティクイエナの元素分析および生物分析ソリューションは、汚染防止のための合理化されたプロセスと信頼できるデータを提供します。 当社の分析装置は、火力発電所や蒸発冷却システムの産業プロセスを監視するのに特に役立ちます。
ガラス、金属、セラミックス、Si、化合物半導体、浅いインプラントなどの分析に好適！
『ダイナミックSIMS』は、試料中に含まれる微量の全元素(H〜U)を ppmからppbの高感度で検出することができる二次イオン質量分析法です。 定性分析及び深さ方向分析ができ、加えて標準試料による高精度な定量分析が 可能。(当社の協力会社での分析実施) 最小ビーム径は約30um、材質によってさらにビーム径を落とすことが できます。 【特長】 ■試料の自動ロード/アンロード、高スループット(24試料/ロード) ■比類のないデプスプロファイリング能力と高いデプス分解能、 広ダイナミックレンジ ■ガラス、金属、セラミックス、Si、化合物半導体、浅いインプラントなどの 分析に最適化 ■最高検出限界：ppmからppb (10^-6〜10^-9) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
薄塗は2mm程、厚塗は4mm程を塗布！シリコーンコーキング材の分析例をご紹介
「ヘッドスペースGC/MS(HS-GC/MS)」による、硬化後の シリコーンコーキング材を分析した事例をご紹介します。 薄塗は2mm程、厚塗は4mm程を塗布。硬化させた後に200℃加熱し、 発生したガスを分析しました。 結果として、薄塗、厚塗問わず、ほぼ同強度でシロキサン由来の ピークを検出し、塗量に関わらず加熱時にシロキサン発生量には 差異がないことが確認できました。 【概要】 ＜内容＞ ■シリコーンコーキング材を硬化させた後に200℃加熱し、 発生したガスを分析 ＜結果＞ ■薄塗、厚塗問わず、ほぼ同強度でシロキサン由来のピークを検出 ■塗量に関わらず、加熱時にシロキサン発生量には差異がないことを確認 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
二次イオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です
イオンを試料表面に入射させると、試料表面からは電子・中性粒子・イオンなど様々な粒子が放出されます。SIMSは、これらの粒子のうちイオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です。 ・高感度（ppb～ppm） ・HからUまでの全元素の分析が可能 ・検出濃度範囲が広い（主成分元素から極微量不純物まで） ・標準試料を用いて定量分析が可能 ・深さ方向分析が可能 ・数～数十nmの深さ方向分解能での評価が可能 ・数μm角までの微小領域の測定が可能 ・同位体分析が可能 ・破壊分析
試料表面の構造解析を行う手法です。他の分析装置に比べ表面に敏感であることから、最表面の有機汚染の同定などに適した手法です
試料表面の構造解析を行う手法です。他の分析装置に比べ表面に敏感であることから、最表面の有機汚染の同定などに適した手法です。 スパッタイオン源を用いて、深さ方向に無機・有機物の分布分析が可能です。 ・有機・無機化合物の構造解析・同定が可能 ・異物検査装置の座標データとリンケージが可能 ・ミクロンオーダーの微小異物から数cmまでの定性が可能 ・最表面を感度よく分析することが可能 ・イメージ分析が可能 ・深さ方向分析の定性分析が可能
導結合プラズマ（ICP）を励起源として用いた無機元素分析の手法です
ICP-MSは溶液を分析するため、固体分析では作製が難しい標準試料を比較的容易に調製することが可能です。そのため、溶液中の極微量な無機元素を精確に定量する場合に頻繁に用いられています。 ・高感度・低バックグラウンドな測定が可能なため、無機元素分析用装置としては最も低い含有量（ppt*あるいはサブpptレベル）を検出できます。(＊：ppt：10-12g/g) ・定量分析の比較基準となる標準試料（標準溶液）の調製を柔軟に行うことができるため、不確かさの小さな結果を得ることができます。 ・周期表の多くの元素を同時に測定可能なため定性分析が可能です。また、広いダイナミックレンジを備えており主成分から微量成分までを同時に分析可能です。
試料冷却による高精度なBのプロファイル分析
デバイスの設計の上で特性に大きく影響を与えるSi中Bの濃度分布は、SIMS分析により高感度・高深さ方向分解能での評価が可能です。しかし、一般的な分析条件では、測定起因によりBの濃度分布に歪みが生じることがわかりました。 MSTでは試料冷却がこの歪み補正に有効であることを確認し、より高精度な濃度分布の評価が可能になりました。
微小領域・ガラス基板についてもSSDPによる分析が可能
二次イオン質量分析法（SIMS）を用いて、市販ＴＦＴ液晶ディスプレイのデータ信号配線とゲート電極配線の交差部（4μm×10μm）を、基板側から分析（SSDP-SIMS）した例を示します。 基板側から測定（SSDP-SIMS）を行うことにより、表面側の高濃度層や金属膜などの影響がないデータの提供が可能となります。
金属成分と有機成分を同時に評価可能です
半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点から、ウエハの裏面の清浄度向上に加え、ウエハのベベル部に残留する物質を除去することが求められています。今回、ベベル傾斜面のTOF-SIMS分析を行い、汚染の分布を評価しました（図2）。また、付着物と正常部・汚染源のマススペクトルを比較し、付着物は汚染源の金属（Cr）成分・有機物成分と一致していることがわかりました。 TOF-SIMSにてベベル部（端面と傾斜面）の汚染の発生工程を捉える事が可能です。
高い再現精度で評価可能
デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価が必要とされています。正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。今回、B+を低エネルギーでイオン注入したSiウエハを1keVの酸素イオンビームを用いて、日をまたいで、6回測定した結果から算出したBの面密度の相対標準偏差は3%以下であり、極浅い不純物分布評価においても通常のSIMS分析と同様に高い再現精度が得られることが示されました。
TOFーSIMSによる剥離面の汚染源の特定
剥離不良が起こった際、界面の密着性を悪化させた成分を同定することが重要です。 ピーリング加工により、着目の界面で物理的に剥離させ、その表面に存在する成分をTOF-SIMSによって測定することで、剥離原因を調査することが可能です。 TOF-SIMSは有機物の構造を保ったままイオン化した二次イオンを検出し、剥離面に存在した成分が何由来なのかの情報を得ることができるため、剥離原因、及び工程の調査に有効です。 測定法：TOF-SIMS・ピーリング・解体 製品分野：LSI・メモリ・製造装置・部品 分析目的：化学結合状態評価・故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
加熱劣化後のサンプルをLC/MS/MS、TOF-SIMS、TEM+EDXなどで評価可能
リチウムイオン二次電池の開発には、高性能化・長寿命化・信頼性向上などの課題があります。これらの課題を解決するためには、電池の劣化機構の解明が重要です。今回は、温度による劣化機構についての評価のために、加熱劣化試験を行いました。加熱劣化試験後、大幅な容量低下が見られたサンプルについて、電解液をLC/MS/MS、負極表面をTOF-SIMS、負極断面をFIB-TEM+EDXで評価しました。
ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能
半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点からウエハ裏面に残留する金属を除去することが求められており、金属成分の残留量を定量的に把握することが重要です。 ベベル部から500umの範囲で裏面に残留する金属濃度分布を調査するため、TOF-SIMSを用いて評価を行いました。TOF-SIMSはベベル部近傍のみの金属成分を検出する空間分解能を有しており、濃度既知の標準試料を用いることで濃度を定量的に算出することが可能です。
SiC中B、Al、N、P、Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能
SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度（ｐｐｍ以下）で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素（H、C、O、Fなど）の分布についても評価可能です。評価したい元素などお問い合わせください。
TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能
TOF-SIMSで得られる分子情報の深さ方向分析では、（1）深さ方向分解能が良い、（2）酸化物・窒化物・ふッ化物・炭化物・合金・金属など無機物の化学状態の区別が可能、（3）微量な状態の評価が可能、（4）OHのモニターが可能、（5）相対的なサンプル間の比較（膜厚・組成）が可能、（6）イメージ分析により表面数nm程度について状態の分布を視覚的に捕らえた評価が可能です。 自然酸化膜と酸化膜の結果をまとめます。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ 分析目的：化学結合状態評価・組成分布評価・腐食層の膜厚 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
