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当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全自動化し、多数サンプルの連続自動 測定ができ、サンプルは最大6個同時搭載可能です。 【特長】 ■世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置 ■測定自動化に対応（SRP-2100） ■オプションにより表面抵抗測定可（SRP-170) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上させ、幅広い密度とアプリケーションを カバーすることで、表面近傍では確認ができない深さ方向の応力起因転位欠陥の 検出感度を、従来の手法よりも大幅に向上させています。 【特長】 ■非破壊/非接触 ■従来の検査装置では確認できない欠陥を可視化 ■対象領域：活性デバイス領域（表面近傍） ■生シリコンと活性デバイス深さでの検出 ■専門知識は不要 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が 測定できます。 【特長】 ■マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定 ■高周波デバイス特性のスタンダード測定装置 ■ホール効果による測定結果との高い相関性 ■マルチキャリア・モデリングオプション ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『EIR-2500』は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自の エピ膜厚測定装置です。 高スループットのエピ膜厚測定を実現し、適用されるSEMI/CE規格に完全に 準拠しています。 また、EIR製品シリーズは、高性能で信頼性の高い電子機器に基づいており、 装置の稼働時間を向上してメンテナンスの必要性を減らします。 【特長】 ■ウェハーサイズ：4～12インチ ■Si, SOI, SiC, SiGe, III Vなど ■FTIR機能 ■エピ膜厚を高精度測定 ■遷移領域の膜厚測定 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ホール効果測定は、電子材料、電子デバイスの評価でとても重要な役割を果たしています。しかしながら、低移動度材料、高抵抗かつ薄膜材料や低抵抗材料の測定では、小さい信号がノイズに埋もれてしまい評価が困難という事実がありますが、 AC磁場中でロックインアップ検出を行うことで、PDLシステム（Parallel Dipole Line system）は、ユニークなキャメルバックフィールド閉じ込め効果（camelback field confinement effect）を実現する斬新な磁気トラップシステムになります。反磁性浮上効果（diamagnetic levitation effect）により、グラファイトなどの反磁性物質が中心でトラップされることになります。 ホール効果測定システム PDL-1000は、研究開発のアプリケーションにおいて、シート抵抗、キャリア濃度、移動度の測定をワイドレンジかつ高感度で測定することが可能です。 セミラボ社製PDL-1000で使用されているPDL（Parallel Dipole Line）の技術は、IBMによって開発された特許技術です。
当資料は、分光エリプソメーターの測定原理についてご紹介しています。 電場および磁場の振動方向が規則的な光のことをいう「偏光」をはじめ、 エリプソメーターの原理、光学干渉についてなどを掲載。 図やグラフと共に分かりやすくご紹介しているので、ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■偏光とは ■サンプル表面の変更 ■エリプソメーターとは ■エリプソメーターの原理 ■ブリュースター角とは 〈 ウェビナーを開催いたします！※詳細 〉 ■テーマ：分光エリプソメータ 解析モデル作成手順の説明～初級編～ ■開催日時 ・4/22(木) 10:00～ ・5/13(木) 16:00～ ■内容 一般的な構造のサンプルを例にして、解析モデルの作成手順をご説明します。 有効媒質近似モデル、Cauchyモデル、Tauc-Lorentzモデルを使用した解析の説明。 ■ご参加について 当社ホームページ（下記リンク）でご確認ください。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※デモのご希望の方は、下記お問い合わせボタンより”デモ希望”と記載ください。
走査電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡(AFM)の複合システムをご紹介します。 SEMのズーム機能を使い、AFMチップを対象領域に直接移動可能。 表面の形状や、機械・電気・磁気特性に関する情報をナノメートル分解能で 入手できます。 AFMは、MerlinシリーズとCrossbeamシリーズにご利用でき、既存のシステムを 簡単なドア交換で更新できます。 【特長】 ■SEMとFIBはカンチレバーチップで交差 ■3つの全手法の複合測定を空間内・サンプル上の完全に同じ点で実行可能 ■単一原子の3D分解能を実現するよう設計 ■5mmの最小SEM作動距離を維持しながら、SEMで0°～85°の視野角を使用可能 ■FIBによるin-situのチップ先鋭化をサポート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『IND-1000』は、押し込み荷重と変位を測定し、薄膜、樹脂、金属などの 様々な物質の硬度や弾性率を測定するナノインデンターです。 AFMにナノインデンターのヘッドを搭載することで、圧痕を直接観察する ことも可能。 また、高精度顕微鏡による正確な自動位置調整ができ、変位測定、負荷力の リアルタイムフィードバックコントロールもできます。 【特長】 ■ワイドレンジ（最大荷重：10mN～5N） ■高精度 自動XYZステージ ■AFM（オプション）に搭載可能 ■高品質ピエゾー拡張要素による発熱対策 ■定期校正作業不要 ■容易な圧子切り替え ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『LEI-1510シリーズ』は、旧リハイトン社製の非接触式シート抵抗測定機です。 ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。 四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を 解決します。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてシート抵抗を測定します。 【特長】 ■探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を解決 ■多数枚を迅速に計測処理する事が可能 ■0.035～3200ohm／sq.という広い範囲で優れた測定直線性 ■計測データを三次元グラフィックマップとしてPCモニター上で確認可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパント濃度”です。 【主な評価・測定項目】 ■薄膜の膜厚値 ■エピ膜厚値 ■屈折率、消衰係数 ■化合物半導体の組成比 ■ドーパント濃度 装置の仕様や価格については、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※デモの実施も可能です。ご希望の方は、下記お問い合わせボタンより”デモ希望”と記載ください。
『SE-2000』は、薄膜の膜厚・屈折率を“非接触”で高精度に測定できる回転補償子型の分光エリプソメータです。 ユーザーフレンドリーな解析ソフトを備えており、解析作業が容易。 深紫外から近赤外領域まで幅色い波長領域の測定に対応しています。 材料の組成比、異方性、Mueller Matrix、偏光解消度、反射率・透過率、ドーパント濃度、 リタデーション(R0、Rth)などに関する検査にも対応しており、幅色い用途で活用可能です。 【特長】 ■高精度CCD、高分解能PMT搭載 ■光学モデルのデータベースが豊富 ■多彩な拡張オプション ■販売実績が多数 〈 セミナー詳細 〉 ■テーマ：分光エリプソメータ 解析モデル作成手順の説明～初級編～ ■開催日時 ・4/22(木) 10:00～ ・5/13(木) 16:00～ ■内容 一般的な構造のサンプルを例にして、解析モデルの作成手順をご説明します。 有効媒質近似モデル、Cauchyモデル、Tauc-Lorentzモデルを使用した解析の説明。 ※参加方法は、当社ホームページ（下記リンク）でご確認ください。
『DLS-83D/1000』は、温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能な バルク内欠陥・界面準位測定装置です。 「DLS-1000」は、10^8cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な 測定に対応。ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 高感度アナログ／デジタル（測定はアナログ、データ処理はデジタル） ロックイン平均法を採用したユニークなシステムで、且つオペレーター フレンドリーなソフトを装備しています。 【特長】 ■高感度な汚染検出が可能（2x10^8atoms/cm3） ■幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備 ■温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能 ■世界で100台以上の豊富な納入実績 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。
JPV法（ジャンクション・フォト・ボルテッジ法）を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。 【特徴】 - 非接触、非破壊測定 - プローブの調整は不要 - 測定のための特別な試料準備は不必要 - 表面に酸化膜やコーティングが存在しても測定可能 - 空間分解能の高い分布測定（マッピング）が高速で可能 - 再現性の高い測定が可能 - セミラボ社のベンチトッププラットフォームWT-2000、WT-2500、WT-3000やインラインのウェハーテスト装置に組みつけが可能
QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ（ＳＰＶ）法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算（ASTM)します。
表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、ＣＶＤ膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。
非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。
電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。
SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。
パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。
『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに 酸化膜やウェハーの電気特性を得ることが可能。プロセスモニタリングによる 素早いフィードバックやR&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を 提供します。 【特長】 ■水銀プローブにより電極の形成が不要 ■抜群の再現性 ・ショットキー：0.3％(1σ）／MOS：0.1％(1σ） ■ウェハー面内のマッピング可 ■新開発水銀交換機構により安全かつ容易な水銀交換が可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
108 cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応（DLS-1000)。 又、ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 【特徴】 ●高感度な汚染検出が可能 （2x108 atoms/cm3 ）。 ●幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備。 ●温度、周波数スキャン、C-V特性 等の測定が可能。 ●簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの分布状態、元素及び欠陥の特定ができ、不良及び結晶欠陥の解析に有効。（測定結果をライブラリーにある汚染物質のDLTS信号の羅列と比較することで、容易に汚染物質の特定が可能） ● 高感度アナログ／デジタル（測定はアナログ、データ処理はデジタル） ロックイン平均法を採用したユニークなシステムで、且つオペレーターフレンドリーなソフト を装備。 ●世界で100台以上の豊富な納入実績
PV-2000は、Semilab社とＳＤＩの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。
【装置の原理】 ■Generation Laserは過剰少数キャリアを発生させ、明らかなダメージが存在するところを熱します ■過剰少数キャリア勾配は屈折勾配のインデックスを形成します ■Probe Laserはジャンクション深さ、ドーズレベル、PAI深さを測定するために屈折勾配インデックスまたは表面の熱情報を利用します ■Generation Laserは2kHzに変調され、これにより、優れたS/N比を実現します ■長波長のProbe Laserはサンプルを加熱しません
ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前にIRB-30にて内部異物箇所を検査し、対応して頂くことによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。
太陽電池のブロック/ウェハー/セルのマッピング測定可能な装置もご提供可能です。
ウェハーを割らずにそのままで測定可能です。
シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます。 非接触／非破壊にてＰ／Ｎ判定ができる持ち運びにも便利なペンタイプの判定器です。
インラインでのウェハー/セルの全数検査、ソーティングが可能です。
QCモニタリングにて非常に多くの実績があります。
- FTIR測定においても、偏光しているので、より多くの情報をとることが可能です。 - レファレンス測定が必要ないので高速に測定が可能です。
■ 前処理が必要がなく、 20分/ポイントと従来型に比べて高速に測定が可能です。
ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。
オプションにて様々な電気的測定のマッピング測定が可能です。 (拡散長、鉄濃度、比抵抗、シート抵抗、LBIC、反射率、IQE、PN判定)
日本セミラボの分光エリプソメーター『GES5E』は、従来の光学測定器では不可能だった薄膜光学特性の測定を非破壊で実現しました。 薄膜、多層膜の膜厚、各層の屈折率（N,K値）波長分散を算出。研究開発からインライン生産品質管理ほかあらゆる分野で活躍しています。 【測定可能な物理特性】 ■厚さ光学屈折率 ■屈折率の勾配と材料組成 ■ドーパント濃度
シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。
フラットパネルディスプレイ製造マーケットでは、品質管理用途にて非常に多くの実績がございます。
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