ウエハーアニール炉【MiniLab-WCF】Max2000℃_超高温ウエハーアニール専用(6inch〜8inch)真空・大気圧ガス置換(Ar, N2, O2)
◾️Max2000℃
◾️有効加熱範囲:Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式
◾️ヒーター制御:1ゾーン、又は2ゾーン
◾️ヒーター材質:
・C/Cコンポジット
・SiCコーティンググ
・TaCコーティング
・タングステン
◾️使用雰囲気:
・真空(10-3Pa台@1800℃(*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合)、大気圧ガス置換アニール(Ar, N2, O2)、APCプロセス圧力制御
◾️PLCセミオート運転
・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御
・タッチパネル操作
◾️ プロセス圧力制御
・APCコントロール(MFC流量、又は自動開度調整バルブ(PIDループ制御)
・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整
◆主な応用アプリケーション◆
・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール
・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール
・SiC、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体高温アニール
・薄膜ニオブ酸リチウム
・他各種先端材料基礎開発に応用

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