シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール（SMCSM）
内蔵のシースモデルを用いて、短時間で計算することが可能です！
『シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール（SMCSM）』は、 プラズマシース端からシースを通ってシース底部（ターゲット表面）に 達するイオン、電子のエネルギー分布、角度分布等を計算します。 PIC-MCCM、PHMとも、計算時間がかかりますが、ターゲット表面のイオンの エネルギーについてのみを評価したい場合、当製品は内蔵のシースモデルを 用いて短時間で計算することが可能です。 【特長】 ■PHMの計算結果（シース電位差等）を用いて、基板／ターゲット表面の イオンエネルギー分布等を計算する ■計算モデルは単純なため、計算時間がかからない ■内蔵のシースモデルを用いることにより、RF放電装置内の基板への イオンのエネルギー分布（IED）を簡単に推測可能 ■PHMの計算結果を用いれば、装置の電圧、ガス圧等のパラメータと IEDの関係などが評価できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：ペガサスソフトウェア株式会社
- 価格：応相談
