更新日： 集計期間:2025年11月19日～2025年12月16日
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処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較
Si表面についてHF処理後、オゾン処理後の状態を比較しました。 正イオンスペクトルではSiのピーク強度が異なりました。HF処理後のSi強度が弱いのはSiが金属系のためで、一方、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedのSi強度が強いのはSiが酸化物系のためです。 負イオンスペクトルからは、HF処理後ではSiF、SiH、Six系、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedではSiO2系など表面状態を反映したフラグメントイオンが検出されています。
STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜形状や層構造を確認でき半導体の不具合原因究明に応用できます
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検出も可能です。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えFIBとの併用で、試料のある領域に対して3D構築を行う不良個所特定も得意としております。 実際に紹介いたしますのでお気軽にお声がけいただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを検出することが可能！
当社で行う「Siウェーハのひずみ解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ薄研削加工の際に生じる 残留応力によって、製品の故障・不良・劣化につながる可能性があります。 今回、Siウェーハに対して機械研磨を行うことで表面の結晶性を低下した 状態にし、研磨前後の結晶性変化をX線ロッキングカーブ測定で評価。 X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを 検出することができます。 【技術概要】 ■ロッキングカーブ測定 ・回折が起こる角度位置に検出器を固定し、試料のみ回転させることで、 回折条件を満たす回転の角度分布が測定できる。 ・角度分布(ロッキングカーブ)のピーク幅・強度は、結晶ひずみなど 結晶面の傾きのばらつきを反映し、結晶性の評価指標となる ・単結晶では、高角度分解能測定により、微小なひずみを評価できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。
SI解析など、基板上で動作不良になりうる 原因を調査・対策を実施。
伝送線路シミュレーションとＥＭＩ抑制支援ツールを駆使したプリント基板設計技術。
LCD部品、製品の品質状態を確認！液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法と知見で解析致します！
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD,AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT）,OLED 車載,モニター,モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です
株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電気的特性評価をはじめ、光学特性評価、結晶性評価、組成評価を実施！
当社の『コンビナトリアル特性解析』では、ご要望により、組成変化に 従った種々の多点物理分析をいたします。 画像の例では、Si基板上のHfO2、Y2O3、Al2O3の正三角形の 3元コンビナトリアル組成傾斜試料にPt電極を形成してC-V、I-Vの 電気的特性を行い、高誘電率層の評価をしたものです。 上から、誘電率、フラットバンド電位、リーク電流の組成マッピングを 示しており、1試料中の246組成が同時評価できます。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【サービス内容】 ■C-V、I-V、半導体特性などなどの電気的特性評価(室温～400℃） ■透過率測定、分光エリプソメトリなどの光学特性評価 ■マイクロビームXRDを用いた結晶性評価 ■マイクロビームXRF、XPS、Auger分光などによる組成評価 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
対策例をご紹介！信頼と実績による好適な設計をご提案いたします
当社では、片面基板から高多層基板、ビルドアップ基板など高難度な 基板設計までをトータルに手掛けるとともに、伝送経路および ノイズシミュレーション検証にも対応しております。 信頼と実績による好適な設計をご提案いたします。 ご用命の際は当社へお気軽にご相談ください。 【解析(一部)】 ＜SI解析＞ ■品目：反射(クロストーク)／タイミング／伝送特性(Sパラメータ)等 ■ツール：Hyper LynxSI、SIwave ＜PI解析＞ ■品目：電圧降下(DC IRDrop) ■対策例 ・電源供給源となるICから供給先となるIC間の基板配線 ・電源配線幅の調整などレイアウト修正箇所の見極め ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
解析対象、得られる物性情報及び解析事例を紹介します。
解析対象 （計算の実施にあたっては、組成・結晶構造などの情報が必要となります） ?主な解析対象は、結晶など周期性を持つ系 ?アモルファス構造や表面、界面を有する系の計算も可能 得られる物性情報 ?結晶構造パラメータ（格子定数、原子配置など） ?電子構造及びスピン状態(電荷分布、バンド構造、フェルミ面、磁気モーメントなど） ?共有結合、イオン結合などの化学結合状態 ?原子の置換、欠損など格子欠陥が存在するときの安定構造及び欠陥形成エネルギー ?表面や界面の形成エネルギー及び原子配置 ?活性化エネルギーや中間体の構造など化学反応に関する情報 ?誘電関数、電気抵抗、ゼーベック係数など電子の応答特性 ?比熱など固体の熱力学量 ?各種分光学的スペクトル（XPS、XAFSなど）
InfineonのTRENCHSTOP(TM)テクノロジーを用いた製品を解析！
当社では、『Infineon製IGBT6(IKQ75N120CS6XKSA1)構造解析レポート、 プロセス解析レポート』をご提供しております。 本レポートでは、IGBT4(HighSpeed3)、IGBT5とIGBT6の特性比較などを 行っております。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、パッケージ断面解析、チップ構造解析、EDX材料分析 ・電気特性測定(耐圧、IC-VCE、容量特性) ・HighSpeed3 IGBT、IGBT5との特性比較 ■プロセス解析レポート ・構造解析結果に基づく、製造プロセスフローおよびデバイス特性解析レポート ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
