TEMによる電子部品・材料の解析
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
- 企業：株式会社アイテス
- 価格：応相談
顕微鏡 - メーカー・企業195社の業務用製品ランキング | イプロスものづくり
更新日： 集計期間:2026年03月18日～2026年04月14日
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顕微鏡のメーカー・企業ランキング
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- 株式会社キーエンス 大阪府/産業用電気機器
- 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 東京都/試験・分析・測定
- 株式会社アイテス 滋賀県/電子部品・半導体
- 4 サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社／Thermo Fisher Scientific K.K. 東京都/試験・分析・測定
- 5 株式会社レイマー 大阪府/光学機器
顕微鏡の製品ランキング
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- 白色干渉計搭載レーザ顕微鏡『VK-X4000シリーズ』 株式会社キーエンス
- オールインワン蛍光顕微鏡『BZ-X1000シリーズ』 株式会社キーエンス
- 白色干渉計搭載 レーザ顕微鏡『VK-X3000』 株式会社キーエンス
- 4 オールインワン蛍光顕微鏡『BZ-X800』 株式会社キーエンス
- 5 オールインワン蛍光顕微鏡 BZ-X シリーズ 株式会社キーエンス
顕微鏡の製品一覧
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【EBSDによる結晶解析】BGA
EBSD法により、結晶状態や残留応力の推測が可能！BGAの解析例をご紹介します
BGA(Ball Grid Array)の解析例をご紹介いたします。 顕微鏡による観察では、光学顕微鏡とSEMを使用。 EBSD法による結晶解析では、Phaseマップ、SnのGrainマップ、 SnのIPFマップ、SnのGRODマップを使用し、結晶状態や残留応力の 推測が可能です。 【概要】 ■EBSD法による結晶解析 ・Phaseマップ ・SnのGrainマップ ・SnのIPFマップ ・SnのGRODマップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【受託分析】レーザー顕微鏡（高精度3D測定＆カラー観察）
試料表面の凹凸形状の3D測定や透明体越しの表面形状測定などが可能です！
当社では、形状測定レーザマイクロスコープ「VK-X200」を用いた 受託分析を行っております。 408nmレーザーを用いて観察、計測を実施。測定結果は国家基準につながる トレーザビリティ体系に基づいており、測定機器として非破壊測定に活用できます。 レーザー顕微鏡では、試料表面の凹凸形状の3D測定ができ、透明体の膜厚形状や 透明体越しの表面形状測定が可能です。 【特長】 ■試料表面の凹凸形状の3D測定が可能 ■透明体の膜厚形状や透明体越しの表面形状測定が可能 ■408nmレーザーを用いて観察、計測 ■測定結果は国家基準につながるトレーザビリティ体系に基づく ■測定機器として非破壊測定に活用できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに配線構造、結晶構造解析まで一貫対応が可能です！
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。 【EBICを用いた解析手法】 ■PEM/OBIRCH 不良箇所特定 ■FIB断面加工 ■低加速SEM ■EBIC解析 ■TEM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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卓上型SEM(電子顕微鏡)によるクラック観察
微細なクラックが見やすい！導電処理が不要で、すばやく詳細な観察が出来ます
『卓上型SEM(電子顕微鏡)によるクラック観察』についてご紹介です。 製品の信頼性評価において、クラックの断面観察は欠かせません。 光学顕微鏡観察では見落とす可能性がある微小なクラックもSEM観察では 明確に確認することが可能です。 しかも卓上SEMなら、導電処理が不要で、すばやく詳細な観察が出来ます。 【特長】 ■蒸着不要 ■簡易的に結晶粒が見える ■微細なクラックが見えやすい ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【資料】卓上型SEM(電子顕微鏡)によるネオジム磁石の断面観察
明視野モードと通常/標準モードの断面観察などを掲載しています！
当資料では、卓上型SEM(電子顕微鏡)によるネオジム磁石の断面観察に ついてご紹介しています。 ネオジム磁石など磁性を帯びた試料は、着磁状態でSEM観察はできませんが、 脱磁処理を施すことで、SEM観察や元素分析を行うことが出来ます。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■ネオジム磁石の脱磁とSEMによる断面観察(日立ハイテク社製TM3030Plus) ・脱磁処理(磁石は、着磁状態でのSEM観察が不可能なため、脱磁を実施) ・断面観察 ・EDXによる元素分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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大型試料の断面観察(膨張弁)
大型試料（65mm×28mm）の断面作製と内部構造の観察事例をご紹介！
65mm×28mmの大型試料（膨張弁）の観察事例をご紹介します。 本試料は磁性材料が用いられており、SEM観察は像が歪んでしまうため、 光学顕微鏡による観察を主としました。 外観とX線透視観察で、X線では一部、透視されない箇所があることが わかりました。 【概要】 ■外観とX線透視観察 ■光学顕微鏡による断面観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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SEMの観察条件による見え方の違い
各種条件下で撮影したSEM像をご紹介！SEMの観察条件による見え方の違いについて解説
SEM観察は、試料表面に照射した電子が試料の極表層で散乱することで 発生する二次電子や反射電子を検出器で捉え、像としてモニターに 映し出しています。 電子を捉える検出器には種類があり、それぞれの特長を生かした像が 得られ、加速電圧を変えることで見え方も変わります。 当資料では、各種条件下で撮影したSEM像をご紹介。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■反射電子像 ・高加速電圧による反射電子像(AsB検出器) ・低加速電圧による反射電子像(EsB検出器) ■二次電子像 ・加速電圧による見え方の違い ・検出器の位置による見え方の違い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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FE-SEM観察（Alワイヤボンディング部結晶粒観察）
⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像！表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備
ZEISS製の「FE-SEM ULTRA55」は、GEMINIカラムを搭載しており、 極低加速電圧で高分解能観察が可能な装置です。 検出器も複数搭載されており、さまざまなサンプルの観察が可能。 2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握ができ、低加速電圧でも ⾼分解能なEDX分析ができます。 【特長】 ■⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像 ■極低加速電圧による極表⾯分析 ■表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備 ■2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握 ■低加速電圧でも⾼分解能なEDX分析 ■無蒸着による観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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塗膜の観察
平面傾斜切削も可能な“ミクロトーム”など！様々な製品で使用されている塗膜の観察、分析例をご紹介
自動車、携帯電話等、様々な製品で使用されている塗膜の観察、分析例を ご紹介します。 「トリプルイオンポリッシャー(CP)」は、硬・軟材料の共存する試料であっても、 ダメージのない加工ができ、「ミクロトーム」は、断面作製のみならず、 平面傾斜切削も可能。 この他、「卓上斜め切削機」は、表面情報として元の厚みの6～300倍の サンプル面を取り出すことが可能で、「卓上型SEM(電子顕微鏡)」は、低真空下 での観察が可能なモード(帯電軽減)があり、揮発成分が出る試料の観察や 元素分析ができます。 【プラスチック皮膜(携帯電話のケース)の観察】 ■トリプルイオンポリッシャー(CP) ■ミクロトーム ■卓上斜め切削機 ■卓上型SEM(電子顕微鏡) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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超音波顕微鏡『SAM』
非破壊にて観察が可能！内部状態、密着性状態の不具合検出に威力を発揮！
当社が取り扱う、超音波顕微鏡『SAM(Scanning Acoustic Microscope)』を ご紹介いたします。 半導体パッケージ、基板、電子部品等の内部状態、密着性状態の 不具合検出に大変威力を発揮します。 非破壊にて観察が可能で、試料に入射された超音波の反射波より、 剥離等の検出ができます。 【仕様(抜粋)】 ■パルサーレシーバー：500MHz ■観察手法：反射法/透過法 両観察手法に対応 ■音響レンズ/反射法：15,25,30,50,80,100,230MHz ■音響レンズ/透過法：15,25,30,50,100MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基板実装部品の断面観察(1)～(6)
チップコンデンサ(MLCC)で、顕微鏡の「観察モード」をご紹介！
当社で行った基板実装部品の断面観察例をご紹介いたします。 市販のパソコン基板を用いて、実装部品のはんだ接合部や部品内部の構造を 金属顕微鏡で観察。金属顕微鏡の観察モードには、明視野観察、暗明視野観察、 偏光観察等があります。その他、透過光による観察等もあり、試料に合わせて 観察モードを選択します。 信頼性試験前後に断面観察を行うことで製品の信頼性を評価することが できます。観察する際は、はんだ接合界面の状態やクラック等の欠陥部を 明確に捉えるために、好適な「観察モード」を選択することが重要です。 【事例概要】 ■市販のパソコン基板を使用 ■実装部品のはんだ接合部や部品内部の構造を金属顕微鏡で観察 ・観察モード：明視野観察、暗明視野観察、偏光観察等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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Talos F200E導入のお知らせ
TEM・STEMの分解能が向上！4本の検出器でEDS分析が可能になるなど性能が大幅に強化
当社では、透過型電子顕微鏡システム FEI製「Talos F200E」を導入します。 従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能に なるなど性能が大幅に強化されます。 また、ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算する、ドリフト補正 フレーム積算(DCFI)なども搭載しております。 【仕様(抜粋)】 ■加速電圧：200kV、80kV ■TEMインフォメーションリミット：≦0.11nm ■STEM分解能：≦0.14nm ■ドリフト補正フレーム積算(DCFI) ・ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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半導体パッケージの超音波顕微鏡観察
トランジスタの超音波顕微鏡観察！同じ焦点でも様々な場所での剥離状況を確認可能
当社で行っている半導体パッケージの超音波顕微鏡観察について ご紹介します。 半導体パッケージは保管状態や実装条件等により、金属部分 (ダイパッド)とパッケージ樹脂との間で剥離が発生することが あります。パッケージ内部の剥離は製品品質に大きな影響を与える 不具合ですが、外観から剥離の発生を確認することはできません。 超音波顕微鏡を用いることでパッケージ内部の構造を鮮明に捉え、 信頼性評価に貢献します。 【特長】 ■チップ側より超音波顕微鏡観察 ・同じサンプルでも、焦点位置を変えることにより見えていなかった ところが見えてくる ■ダイパッド側より超音波顕微鏡観察 ・同じ焦点でも様々な場所での剥離状況を確認することができる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：株式会社アイテス
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超音波顕微鏡『Gen6』
異なる複数の層の深さを同時スキャン可能！水温度コントロールユニット内蔵
クオルテックでは、超音波顕微鏡『Gen6』を導入いたしました。 従来機に比較し、機能・性能が大幅に向上。 Poly Gate機能を搭載しており、異なる複数の層の深さを同時スキャン できるほか、最大100層の計測が可能です。 また、トランスデューサー周波数が230MHz→400MHzへアップしました。 【特長】 ■Poly Gate機能搭載 ■最大100層の計測が可能 ■最大走査範囲が60％拡大（面積比） ■トランスデューサー周波数がアップ（230MHz→400MHz） ■水温度コントロールユニット内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社クオルテック
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電界放出型走査顕微鏡『FE-SEM』
EDXが装着されており、試料観察と同時に元素の種類・量・分布状態を調べることが可能です！
『FE-SEM』は、電子線を絞り細い電子線を試料に照射し、表面を観察する 電界放出型走査顕微鏡です。 超高分解能観察が可能。汎用SEMと同様に電子線を絞り電子ビームとして 対象に照射し、対象物の表面から放出される二次電子や反射電子を検出 することで、対象の表面の観察を実施。 また、JSM-7100Fでは、EDS及びEBSD解析装置が装着されているため、 高分解能の観察だけでなく元素分析や結晶性試料の方位解析(EBSD解析)が できます。 【特長】 ■サブミクロンオーダーでの観察が可能 ・汎用SEMより高倍率で形態観察が可能で、より鮮明な像を取得可能 ■EDX(エネルギー分散型分析装置)による定性分析 ・EDXが装着されており、試料観察と同時に元素の種類・量・分布状態を 調べることが可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：株式会社クオルテック
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ワイヤレスデジタル顕微鏡『3R-WM601WIFI』
ワイヤレス操作を実現！コードが邪魔で顕微鏡を使いづらかった環境でも活躍
『3R-WM601WIFI』は、顕微鏡が捉えた映像をWiFi機能付きのタブレットや スマートフォンに映し出すワイヤレスデジタル顕微鏡です。 撮影したデータもそのまま機器内に保存可能。 また、ワイヤレス・有線の両方に対応しているため、使用する無線に 制限がある環境では有線で使用するなど、使用環境に合わせて 接続方法を選択できます。 【専用アプリの特長】 ■2画面表示で比較できる ■同じ画像内で続けて計測が可能 ■計測した値をほかの画像でも使用できる ■補正結果の保存ができる ■スケール表示が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：ニッシン産業株式会社
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光学顕微鏡 透過型位相シフトレーザー干渉顕微鏡
光学顕微鏡 透過型位相シフトレーザー干渉顕微鏡
従来の光学顕微鏡の上位に位置する新しい形式の顕微鏡で屈折率分布や厚さの構造を高速かつ定量的に計測し、3次元的に可視化できます。 【特徴】 ○レーザー干渉法を応用して、サンプルの屈折率、高さを非接触で計測することができる。 ○高速…計測時間は数秒 ○高精度…位相差計測精度 ±(1/150) λ 、屈折率差計測精度 ±0.0001 、高さ計測精度 ±0.2μm ○空間分解能…光学顕微鏡と同等 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
- 企業：株式会社エフケー光学研究所
- 価格：応相談
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得
TEMは、薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 ■長所 ・サブナノレベルの空間分解能で拡大像が得られ、試料の微細構造・格子欠陥等を観察・解析可能 ・試料の結晶性を評価し、物質の同定を行うことが可能 ・ＦＩＢで試料作製することにより、デバイス内の指定箇所をピンポイントで観察することが可能 ・オプション機能を組み合わせることにより、局所領域の組成・状態分析なども可能 ■短所 ・試料を薄片化する必要がある（一部の試料において薄片化が困難な場合もある） ・単原子を見ているのではなく、試料の厚み方向（通常約0.1μm厚） の平均情報を映し出している ・試料加工および観察により、試料が変質・変形することがある
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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![[EMS]エミッション顕微鏡法](https://image.mono.ipros.com/public/product/image/ebd/387108012/IPROS78188100613521420358.jpeg?w=280&h=280)
[EMS]エミッション顕微鏡法
故障箇所を迅速に特定
EMSは、半導体デバイスの異常動作に伴い発生する微弱な発光を検出することで、故障箇所を迅速に特定できる手法です。EMMS、PEM、EMIとも呼ばれます。 ・測定波長領域（可視域から近赤外域）に対して透明な材料のみ評価可能 ・クラック・結晶欠陥・ESDによる酸化膜破壊・Alスパイクによるショートなどの内部の欠陥を低損傷で捉えることが可能
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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［SIM］走査イオン顕微鏡法
高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能
・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能 ・SEM像に比べてSIM像の方が極表面層の情報が得られる ・金属結晶粒観察が可能（Al、 Cu等) ・分解能はSEM像より劣る（SIM：4nm、 SEM：0.5nm） ■MST所有装置の特徴 ・試料サイズ最大直径300mmφのJEIDA規格ウエハ対応が可能 ・FIB（集束イオンビーム）加工との組み合わせで連続的な断面SIM像の取得が可能（Slice&View）
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】バイポーラトランジスタの拡散層構造評価
ｐｎ判定を含む拡散層の構造を明瞭に観察可能
市販LSI内のNPNバイポーラトランジスタについて全景からエミッタ部の拡大まで詳細に観察が可能です。 エミッタ電極の中心を通る断面を露出させ、AFM観察、SCM測定を行った事例です。 AFM像と重ねることで、配線との位置関係がはっきりします。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】CIGS薄膜太陽電池特定結晶粒の評価
任意断面のEBIC測定で特徴があった箇所の直交断面観察
EBICとEBSDで電気的性質と結晶の関連性についての知見が得られますが、情報の深さが異なります。EBIC分布測定で電気的性質が特徴的であった箇所について、直交断面を作製し、奥行き方向のSTEM像観察を行いました。また、各結晶粒について電子回折を測定しました。これにより、電気的性質と結晶粒・結晶粒界の関係がより一層、明らかになりました。STEM観察および電子回折測定を行うことにより、特定箇所の結晶粒について局所的な情報を得ることが可能です。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】有機薄膜太陽電池活性層の混合状態評価
低加速STEM観察とEELS測定による有機材料の分布状態評価
低加速STEM観察とSTEM-EELS面分析により、バルクへテロ接合型太陽電池の活性層の混合状態の評価を行いました。評価にはITO上に活性層のみを成膜した試料を用いました。 低加速STEM像（写真1）のコントラストはSTEM-EELS像のS、 Cの元素分布(写真2、 3)と対応しており、バルクヘテロ構造を反映していることが確認できました。また、Sの分布に偏りが認められ、表面側にP3HTが偏析していることも示唆されました。
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【分析事例】CIGS薄膜太陽電池へテロ接合界面の観察
超高分解能STEMによるCdS/CIGS接合界面高抵抗層の結晶構造評価
Csコレクタ付STEM装置を用いてCdS/CIGSヘテロ接合界面を直接観察しました。 TEM像・高分解能HAADF-STEM像および第一原理計算を用いたシミュレーションから、CIGSとCdSがヘテロエピタキシャル接合している様子が確認されました。
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【分析事例】CIGS太陽電池へテロ接合界面の抵抗評価
真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）による局所抵抗分布評価
CIGS薄膜太陽電池のZnO/CdS/CIGSの多結晶へテロ接合界面をSSRM法で分析し、局所的な抵抗分布を計測しました。真空環境下で測定することで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できていることが分かります。各層の抵抗値が数桁異なり、これがキャリア濃度の違いを示しています。CIGS層はi-ZnO層よりも高抵抗であること、CdSはこれらの層よりもさらに高抵抗であることが分かりました。
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【分析事例】有機薄膜太陽電池の断面観察
低加速電圧のSTEMを用いると有機膜のわずかな密度の違いが観えます
p型・n型材料の混合膜を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、高効率化のために膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。密度が低い膜（有機膜など）においては、TEM専用機を用いた高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることが困難です。 一方、わずかな密度の違いが反映される低加速電圧のSTEM像観察では膜内の混合状態が明瞭に観察できています。
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【分析事例】TEMによる多元系金属微粒子の結晶構造観察
InGaZnO4粒子の超高分解能STEM観察
Csコレクタ（球面収差補正機能）付きSTEM装置により、超高分解能観察（分解能0.10nm）が可能となりました。原子量に敏感なHAADF※-STEM像は多元系結晶構造を直接理解できる有効なツールです。今回、酸化物半導体中微粒子の評価を行いましたので紹介します。異種材料界面・化合物界面の原子配列、粒界偏析評価などに応用できます。 ※High-Angle Annular Dark-Field： 原子量（Z)に比例したコントラストが得られます。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】TEM・SEM有機EL・ゲート酸化膜の断面観察
低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます
密度が低い膜について、高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることは困難ですが、低加速電圧のSEM-STEM1)像では、わずかな密度の違いを反映し、組成コントラストをはっきりつけることができます。密度差・平均質量差・組成差が小さい有機EL膜・Low-k膜・ゲート酸化膜・TEOS膜・BPSG膜などに適用できます。 1) TEM専用機に比べて加速電圧が低いSEM装置によるSTEM観察 測定法：TEM・SEM 製品分野：LSI・メモリ・ディスプレイ・太陽電池・照明 分析目的：形状評価・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
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［Slice&View］三次元SEM観察法
FIBでの断面出し加工とSEMによる観察を細かく繰り返し、取得した像を再構築することで立体的な構造情報を得ることができます
FIB付き高分解能SEM装置を用い、FIBでの断面出し加工（Slice）とSEMによる観察（View）を細かく繰り返し、取得した像を再構築することで立体的な構造情報を得ることができます。また、SIM(Scanning Ion Microscope)像についても同様にSlice & Viewが可能です。 ・二次電子（Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、走査イオンSIM(Scanning Ion Microscope)の観察が可能
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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