アイスモス・テクノロジー・ジャパンの製品・サービス一覧

20A,600V,170mΩのリードレスパッケージの製品です。

• 電子管
• 電源

当社は、MEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーです。 詳しくはカタログかホームページの情報をご覧ください。 在庫情報などもご確認できます。

• ウエハー

当資料では、Icemos Technology Ltd.が提供する高耐圧SJMOSFET製品の 電気的特性、各種回路例、データなどをご紹介しております。 参考資料として電源製品を設計される技術者の皆様にご提案。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■適用 ■電気的特性 ■最大定格 ■EASアバランシェエネルギー ■逆回復特性時のdv/dt耐性特性

• 電子管

弊社GEN1シリーズのMOSFETは2011年よりリリースし、音響、産業用や医療用電源など様々な分野で使われております。

• 電源

アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

• トランジスタ

アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

• トランジスタ

アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

• トランジスタ

アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

• トランジスタ

アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

• トランジスタ

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

• トランジスタ

アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

• トランジスタ

アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージ です。 【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

• トランジスタ

アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

• トランジスタ

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

• トランジスタ

アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。 【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。

• トランジスタ

【SOIウエハー】：（Silicon-On-Insulator） 100-200mmの厚膜、または<1um以下の薄膜のデバイス層を持つSOIウエハーを供給いたします。 特長： ■シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で光工学表面弾性波 　フィルターなどの分野などをカバー可能 ■6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を 　進めながら、アイスモスは世界クラスの製品品質を提供 ■十分に競争できるコストと柔軟な対応 【SiliconーSilicon貼合わせ】：リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度！費用対効果が高い材料としてご提供します。 直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを 含むシリコン基板を作ることができます。 抵抗レンジ：1mΩ-cmから10kΩ-cm 特長： ■N、P型素材、オリエンテーション方向のアレンジ可能 ■リーク小、高品質、ワープ小、低い欠陥密度 ■層の厚みのばらつき＜+/-0.5um ■高濃度から低濃度の遷移レベルを鋭くまたはソフトなど調整が可能

• ウエハー

『ICE47N60W N-チャンネル・デバイス』は、IceMOSで評判の高い スーパージャンクションMOSFETです。 高パフォーマンス・パワー・システム用に設計され、世界中の AC/DC、DC/DC、およびDC/AC回路などに使用されています。 【特長】 ■TO247パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。

• スイッチ

『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。 シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、 世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。 MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、 より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある MOSFETをご提供いたします。 【特長】 ■高耐圧600V以上 ■耐高dv/dt ■高耐アバランシェ特性 ■高ピーク電流特性 ■増相互コンダクタンス特性　など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

• その他電子部品

アイスモス・テクノロジーはMEMSや高度なエンジニアリング基板を提供するベストインクラスのサプライヤーです。 20年以上の経験をもとに、卓越した製造スキルと最新の技術的な開発で、アイスモスはすべてのお客様がお問合せから製品を受け取るまで優れたサービスをうけることをお約束します。 革新的な製品開発、デザインのご提案、特別なサービスなどエンジニアチームが技術的にサポートいたします。 既存製品がリストにない場合には、お客様とともに独自の特別な製品を開発もいたします。 それが弊社の強みとなるサービスです。 SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded　 DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI　 TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ファウンドリーサービス 是非お気軽にお問合せ下さい。 http://jp.icemostech.com/products.html

• ウエハー

アイスモス・テクノロジーは革新的で、パワフルにウエハー内部 導通技術を開発いたしました。 それらはICやMEMSといったデザインによるパッケージ問題等を 解決する手段です。 この内部導通ソリューションにより、デザインをしやすくし、 ソルダーバンプコンタクトなどウエハーレベルでのパッケージを 容易にする解決法となります。 【特長】 ■CMOSなどの基盤に好適 ■内部導通箇所はウエハーをエッチし、ドープされたポリシリコンが 　埋め込まれている ■ウエハーは表面のメタル汚染基準や、平面性が保たれており、 　パーティクルも業界のスタンダードに見合うグレード ■ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他機械要素

アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを 分離するなどといった誘電体分離技術を提供します。 隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチ および酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。 この技術には100-150mmのウエハーサイズ、デバイスレイヤーは 1.5-100umの厚みに適用可能です。 【特長】 ■埋め込み層をなくす ■高品質結晶のシリコン層 ■エピ層をなくす ■寄生キャパシターを最小化 ■P＋隔離をなくす ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他機械要素

アイスモス・テクノロジーは薄膜のSOIウエハーを<1um以下の デバイスレイヤーにて供給いたします。 20年以上のSOI製造の経験により、アイスモスはRFアプリケーションに 使われる厚膜SOIと同様の高い品質の製品をご提供可能。 シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で、アイスモスの薄膜SOI ウエハーは光工学表面弾性波フィルターなどの分野などをカバーできます。 【特長】 ■シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で光工学表面弾性波 　フィルターなどの分野などをカバー可能 ■6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を 　進めながら、アイスモスは世界クラスの製品品質を提供 ■十分に競争できるコストと柔軟な対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他機械要素

アイスモス・テクノロジーは、ICやMEMS応用など広い範囲 に適用される100-200mmの厚膜SOI（Silicon-On-Insulator） ウエハーのリーディングサプライヤーです。 20年以上のSOI製造の経験で、広い分野の市場に対応できる 仕様のスペックのウエハーをご提供いたします。 【特長】 ■高いスキルをもつアプリケーションエンジニアチームが、 　要求事項に応じてパラメーターのお見積りの選択をお手伝い ■完璧なカスタムSOIのソリューションとして提供 ■6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を 　進めながら、アイスモスは世界クラスの製品品質を提供 ■十分に競争できるコストと柔軟な対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他機械要素

半導体デバイスを製造するお客様には、Silicon-Silicon張り合わせ ウエハーを従来の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスや PiNダイオード用に従来つかわれていたような材料にとって代わる、 費用対効果が高い材料として提供いたします。 直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを 含むシリコン基板を作ることができます。 これらの抵抗レンジは1mΩ-cmから10kΩ-cmとなります。 【特長】 ■NタイプやPタイプの素材でオリエンテーション方向のアレンジ可能 ■リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度 ■層の厚みのばらつきも+/-0.5um以下に抑える事が可能 ■高濃度から低濃度の遷移レベルもお客様のアプリケーションに 　応じて鋭く、もしくはソフトなどに調整が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他半導体

アイスモスは20年以上の経験をもとに、ワールドクラスのDSP （Double Sided Polished）両面ポリッシュのソリューションをお届けします。 デザインや製造において⾧年の経験のある高い技術を持ったチームが お客様のご要望に合ったDSPソリューションをご提供します。 【特長】 ■アイスモスのDSPウエハーは両面にパターン転写ができる優れた基板 ■アイスモスは製品やプロセスにおける専門知識や経験で厚みや面粗度の 　コントロールも可能で、理想的な張り合わせプロセスへと導く ■標準的でない仕様に関してもご検討可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他機械要素

アイスモス・テクノロジーはDSOIのリーディングサプライヤーです。 DSOIは、ICやMEMS用に幅広く使われており、SOI製造の20年以上の 経験をもとに、私たちは幅広い市場で応用できるような興味深い 仕様範囲の材料で完全なDSOIの解決法をご提供します。 広範囲なSOI経験がありますので、アプリケーションエンジニアが お客様のDSOIウエハーをプロセスするのに好適なパラメーターの 組み合わせの選択をお手伝いします。 【特長】 ■自由度の高いアプローチでアイスモスはお客様の実験開発レベルの 　少量ロットから、量産までご対応 ■MEMSプロセスエンジニアは光学、慣性、生体や他のMEMS分野に 　おいても経験あり ■アイスモスは追加のファウンドリーサービスとしてMEMSやトレンチ 　エッチング、隔離構造なども提供可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他機械要素

当社は、100-150mmのキャビティーボンディングSOIウエハーをMEMSの 広い分野において提供するリーディングサプライヤーです。 高度なウエハーボンディング技術を提供し、お客様のキャビティー 仕様の材料を革新的な製品への材料として可能にします。 アイスモスのキャビティーボンディングSOIウエハーはプレエッチング されたキャビティーをシリコン薄膜下に持つ構造となり、これをお客様が さらに市場の要求に見合う高度なデバイスへとデザインすることができます。 【特長】 ■高度なボンディング技術 ■解放時の付着問題を減らす ■簡潔な製造フロー ■低コストなCavity SOI/Si-Siのソリューション ■お客様に必要なアプリケーションに沿った自由度の高い構造 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他機械要素