更新日： 集計期間:2025年08月27日～2025年09月23日
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ガス導入と圧力コントロールバルブによるスパッタ圧の制御が可能！
『MSS600-3』は、矩形カソード W100ｘH500mmによる 3元RFスパッタリング装置です。 基板サイズはW200×H300mmであり、X方向へ搬送しながら蒸着します。 また、基板200mmを30秒から15時間の時間で任意に設定し、膜厚調整や 様々な異種積層成膜が可能です。 【特長】 ■自動スパッタ機能により、長時間のスパッタリング作業も省力で可能 ■GenCore社製矩形カソードを使用。ターゲット付近から均一なスパッタ ガス導入が可能 ■スパッタコンタミの拡散を防ぐためプロセス室3室を回転シャッターで 仕切っている ■基板を定速で移動させながらのスパッタが可能 など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
初期導入コストを抑え、拡張で高性能化が可能！研究ステージに合せてグレードアップ
『FDS/FRSシリーズ』は、必要な機能を備えた研究開発用の 卓上型マグネトロンスパッタ装置です。 基本仕様は、DCスパッタ/シングルカソード/ロータリーポンプで 構成される金属薄膜用スパッタ。 RF化、カソード増設、ターボ分子ポンプ仕様などの 拡張オプションにより、研究ステージに合せて グレードアップしていただくことが可能です。 【特長】 ■初期導入コストを抑え、後の拡張で高性能化が可能 ■基本仕様でアルゴン用MFCを備えており、ガス流量を精密に制御 ■成膜方向は試料へのゴミ付着を防止するためにデポアップを採用 ■卓上タイプながら真空シール性の高いSUSチャンバを採用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
手動バッチ型と簡易ロードロック型の2機種 簡易ロードロックタイプで化合物半導体量産プロセスを実現 サンプルテスト＆装置見学対応中
当製品は、基礎研究から先端プロセスの開発までカバーする シンプルでコストパフォーマンスの高いスパッタリング装置です。 全手動化し低コスト化したバッチタイプと手動搬送機構を装備した 簡易ロードロックタイプの2機種をラインアップ。両機種とも上位機種の プロセス性能を維持した上で、大きなコスト低減を実現しています。 サンプルテスト・仕様対応・納入後のフォローまで一貫して丁寧な対応を 行っています。 【特長】 ■リーズナブルなコストと高いプロセス性能 ■少量生産にも対応可能な高い信頼性 ■豊富な実績に支えられた豊富なオプション類と柔軟なハード対応 ■先端分野の薄膜開発にロードロック機構と事前成膜テストで プロセス開発をサポート ■デモ機を常設し、サンプルテスト対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchスパッタリングカソード x 4（又は3inch x 3, 4inch x 2） ・プラズマエッチング：メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ（MiniLab-060）：1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
必要最小限のモジュール・コントローラをPlug&Play感覚で19"コンパクトラックに組込む事により無駄が無く、小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3源）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大4、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、プラズマエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ 最大基板サイズ：Φ6inch ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4源） ◉ 有機蒸着ソース：1cc or 5cc ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3源） ◉ ドライエッチング ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 2源同時成膜、HiPIMS、自動薄膜コントローラ、特注基板ホルダ、基板回転/昇降、基板加熱などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。
新たな素材探索や成膜プロセスの構築をサポートいたします
HiTUSテクノロジー イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。
高レート リアクティブ成膜 生産装置の最適解
ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 従前の装置で成膜が難しい強磁性体、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜などの成膜を高レートで実現します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビームスパッタリング 誘電体・強磁性ターゲットへの最適解 ■ヘリコンプラズマイオンソースとターゲット印加 高速スパッタリングと低コンタミの両立 ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減 グリッドレス構造によるメンテナンス低減 リモートプラズマ構成による、基盤を低温に保ってのスパッタリング ■枚葉処理 ステップカバレージの向上 クラスターツールによる複合成膜 ■優れた直進性 直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜が可能。 ステップカバレッジの優れた成膜
研究開発及び小規模生産用イオンビームスパッタリング装置！
『TFE ニューイオンビームスパッタシリーズ』は、多彩な機能を有する 研究開発及び小規模生産用システムであり、特にMTJ素子等の強磁性薄膜の 薄膜形成がプラズマダメージフリーで可能な強磁性膜・固体電解質 成膜ソリューションです。 また固体燃料電池用電解質の成膜において、良好な膜厚分布を実現した イオンビームスパッタリング装置。 さらには、手動あるいは自動ロードロックが選択可能で、かつPLCおよび PCによる完全自動制御とインターネットによるリモートコントロールを 実現したスパッタリング装置です。 【特長】 ■強磁性素子(MTJ用薄膜の成膜に応用可能なプラズマダメージ フリーなプロセス) ■固体燃料電池用電解質の膜厚均一性に優れた成膜 (グローブボックス装着可能) ■優れた膜厚均一性(＜2％：3σ, 200mmウェーハ) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
ナノマテリアル(金属ナノ粒子、ナノワイヤー、ナノシート、ナノエレクトロニクス用材料)用薄膜の成膜に好適！
『TFE ニュースパッタリングシリーズ』は、多彩な機能を有する 研究開発及び小規模生産用システムであり、金属ナノ粒子、ナノワイヤー、 ナノシートなどのナノマテリアル用メタル膜・誘電体膜の最大800℃までの 高温成膜が可能な小型スパッタリング装置です。 また手動あるいは自動ロードロックが選択可能で、かつPLCおよびPCによる 完全自動制御とインターネットによるリモートコントロールを実現した スパッタリング装置。 ナノマテリアル用薄膜成膜において高い基板加熱温度(最大加熱温度： 800℃)を求めるエンジニアの方におすすめします。 【特長】 ■ナノマテリアル(金属ナノ粒子、ナノワイヤー、ナノシート、 ナノエレクトロニクス用材料)用薄膜の成膜に好適 ■他社装置では困難な800℃基板加熱が可能 ■基板回転付きコスパッタが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
高速かつ柔軟性のある基板成膜用途向けの大量生産ソリューションを提供！
『SOLARISファミリー』は、1枚当り最速３秒、円盤形状最大430mm径までの成膜を可能とした高速成膜装置。 5000台を超える高速光ディスク用システムを納入したノウハウと、3000台を超える半導体用PVD装置から得られた経験を組み合わせて、薄膜を超高速に成膜が可能。光学フィルター、反射膜、透明電極、傷防止コーティング、加飾コーティング、耐腐食コーティングなどさまざまなスパッタ成膜に表面クリーニングエッチングも組み合わせが可能。 燃料電池金属セパレーター向け保護コーティングや、自動車内装品向け加飾コーティング、車載ディスプレイ向け無反射・透明電極コーティングなどにも適用が可能。 【特長】 ■基板成膜に「高速インライン」枚葉式アーキテクチャを導入 ■スループットを向上させ、ロボットハンドリングにより手動処理を排除 ■各種成膜プロセス向けの高速生産ソリューションを提供 また、エバテック社は半導体ウェハーおよびアドバンスドパッケージング、MEMSやワイヤレスフィルター向けに金属、圧電膜、絶縁膜等向けPVD、ALD、PECVD、エッチング搭載ソリューションも提供。
多層・積層成膜プロセスの改善により電子部品の品質強化と生産性向上に貢献します
● 高品質・高精度な成膜によりデバイス性能を向上 ● 多様なユニットが搭載可能なマルチチャンバ方式によりご要望の成膜プロセスを実現
各種成膜処理ができる半導体ウェハー・アドバンストパッケージング向け成膜プラットフォーム
『CLUSTERLINE（クラスターライン）』は、エバテックの半導体ウェハー・アドバンストパッケージング向け成膜ファミリー。 最大12インチまでのウェハーのカセットからカセットへ完全に自動化された処理を備えたクラスターアーキテクチャ。 半導体アドバンストパッケージング、ウェハー前工程、パワーデバイス、ワイヤレス、光学薄膜、光電融合に金属、圧電膜、絶縁膜等成膜ソリューションを提供。 PVD、ALD、PECVD、エッチング等が可能なシングルプロセスモジュール(SPM)の組み合わせ、またはバッチプロセスモジュール(BPM)をそれぞれ使用して、枚葉基板処理またはバッチ処理用のツールの選択ができます。
DCパルススパッタリングが可能(導電性ターゲット使用した絶縁膜のリアクティブスパッタ)！
『ECLIPSE』は、フロント及びバックサイドメタライゼーション、 誘電体・圧電体成膜用のサイドスパッタ方式のスパッタリング装置です。 また、極薄ウェーハ、脆弱基板に対応する独自開発の搬送機構を有します。 バックサイドメタラーゼーション・アンダーバンプメタルなどの スパッタリングプロセスにおいて連続成膜とウェーハ搬送に課題を 持っているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■非接触なウェーハ搬送機構 ■生産用150mmウェハーに対応(ウェーハ厚さ：250um) ■生産用100mmウェーハにも対応(ウェーハ厚さ：130μm) ■ウェーハセルフセンタリングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
スパッタソースを超高真空に保持したまま、マグネットの取り外しが可能
本スパッタソースは超高真空対応の汎用型小型マグネトロンスパッタソースです。 本体がすべてベーカブルであるため、反応性の高いターゲットでも、不純物の少ない成膜が可能です。 【特徴】 ○Oリングを使用しない超高真空タイプ ○スパッタソースを超高真空に保持したまま、マグネットの取り外しが可能 ○マグネットを取り外すことにより、300℃までのベーキングが可能 ○ターゲットの固定はリテイナーで行われ、ターゲットを短時間で交換可能 ○ガス導入口が取付フランジと一体となっているので、 ガス導入用のフランジは不要 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
柔軟性、コンパクトな設計、および低い投資コスト！少量生産に理想的な選択肢
『LLS EVO II』は、縦型で動的なコンセプトを備えた多用途のバッチ式スパッタリングシステムで、最大5つの異なる材料に対応し、基板ロードチャンバーとプロセスチャンバー(LC、PC)を分離した装置です。 200×230mmまでの様々な基板サイズと形状に対応。プロセスの柔軟性を高めるための構成可能な電源を装備できます。 ロードチャンバーでの基板の脱ガスとエッチングにより、プロセスチャンバーでの高純度なプロセスが保証され、5分以内にさまざまな基板サイズに簡単に変換できるため、柔軟な製造用装置になります。 【機能(一部)】 ■DC、DCパルス、RF、RF/DCを備えた最大5つのスパッタソース ■最大3つのカソードからの同時スパッタリング ■酸素と窒素による反応性スパッタリング ■ターボポンプ、クライオポンプ、ウォータートラップを備えた 高真空システム構成 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
