更新日： 集計期間:2025年11月26日～2025年12月23日
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スパッタ装置とは、薄膜（はくまく）と呼ばれる、ナノメートルからマイクロメートル単位の非常に薄い膜を、基板（ガラス、シリコンウェハ、フィルムなど）の表面に形成するための真空装置の一種です。真空チャンバー内でアルゴンなどの不活性ガスをプラズマ化し、そのイオンをターゲットと呼ばれる成膜材料の塊に高速で衝突させます。すると、ターゲットの原子が叩き出され（スパッタリング現象）、対向する基板に付着して膜が堆積します。半導体、液晶パネル、光学レンズのコーティングなどに不可欠です。
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酸素や水分を排除したい研究製膜環境！多層膜、化合物製膜、反応製膜に対応します！
当製品は、電池、触媒材料や有機デバイス開発用のスパッタ装置です。 スパッタ室にロードロック室とグローブボックスを連結。 UHV対応スパッタカソードを4本装着することができます。 また、多層膜、化合物製膜、反応製膜に対応しております。 【特長】 ■電池、触媒材料や有機デバイス開発用 ■スパッタ室にロードロック室とグローブボックスを連結 ■UHV対応スパッタカソードを4本装着可能 ■酸素や水分を排除したい研究製膜環境 ■多層膜、化合物製膜、反応製膜に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
対応基板は最大φ1インチまで処理が可能！デュアルガスノズルを備えた装置
『小型スパッタ装置』は、1.3インチマグネトロンスパッタカソードを搭載した 実験用高真空小型制膜装置です。 放電用にマッチングユニット付きのRF電源を一台装備。 酸化反応スパッタリングに対応できるデュアルガスノズルを備えます。 また、対応基板は最大φ1インチまで処理が可能です。 【特長】 ■1.3インチマグネトロンスパッタカソードを搭載 ■放電用にマッチングユニット付きのRF電源を一台装備 ■酸化反応スパッタリングに対応できるデュアルガスノズルを備える ■対応基板は最大φ1インチまで処理が可能 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
良好な絶縁膜形成を実現するバイアススパッタリング装置！
『SPR-014-B』 は、基板側にバイアスを印加しながら スパッタリングを行い、絶縁層用の成膜が可能なロードロック式 バイアススパッタリング装置です。 ピンホール密度が低く、良好なステップカバレージ性を備えた 良好な絶縁膜形成ができます。 【特長】 ■低いピンホール密度 ■良好なステップカバレージ性 ■次の電極層に有利な平坦性 ・排気系はドライポンプと磁気浮上型TMPの排気システム ・基板側とターゲット(カソード)に高周波電力を同時に印可 ・ロードロック式の1元スパッタリング装置（容易に基板セット可能） ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ガス導入と圧力コントロールバルブによるスパッタ圧の制御が可能！
『MSS600-3』は、矩形カソード W100ｘH500mmによる 3元RFスパッタリング装置です。 基板サイズはW200×H300mmであり、X方向へ搬送しながら蒸着します。 また、基板200mmを30秒から15時間の時間で任意に設定し、膜厚調整や 様々な異種積層成膜が可能です。 【特長】 ■自動スパッタ機能により、長時間のスパッタリング作業も省力で可能 ■GenCore社製矩形カソードを使用。ターゲット付近から均一なスパッタ ガス導入が可能 ■スパッタコンタミの拡散を防ぐためプロセス室3室を回転シャッターで 仕切っている ■基板を定速で移動させながらのスパッタが可能 など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
柔軟性、コンパクトな設計、および低い投資コスト！少量生産に理想的な選択肢
『LLS EVO II』は、縦型で動的なコンセプトを備えた多用途のバッチ式スパッタリングシステムで、最大5つの異なる材料に対応し、基板ロードチャンバーとプロセスチャンバー(LC、PC)を分離した装置です。 200×230mmまでの様々な基板サイズと形状に対応。プロセスの柔軟性を高めるための構成可能な電源を装備できます。 ロードチャンバーでの基板の脱ガスとエッチングにより、プロセスチャンバーでの高純度なプロセスが保証され、5分以内にさまざまな基板サイズに簡単に変換できるため、柔軟な製造用装置になります。 【機能(一部)】 ■DC、DCパルス、RF、RF/DCを備えた最大5つのスパッタソース ■最大3つのカソードからの同時スパッタリング ■酸素と窒素による反応性スパッタリング ■ターボポンプ、クライオポンプ、ウォータートラップを備えた 高真空システム構成 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
初期導入コストを抑え、拡張で高性能化が可能！研究ステージに合せてグレードアップ
『FDS/FRSシリーズ』は、必要な機能を備えた研究開発用の 卓上型マグネトロンスパッタ装置です。 基本仕様は、DCスパッタ/シングルカソード/ロータリーポンプで 構成される金属薄膜用スパッタ。 RF化、カソード増設、ターボ分子ポンプ仕様などの 拡張オプションにより、研究ステージに合せて グレードアップしていただくことが可能です。 【特長】 ■初期導入コストを抑え、後の拡張で高性能化が可能 ■基本仕様でアルゴン用MFCを備えており、ガス流量を精密に制御 ■成膜方向は試料へのゴミ付着を防止するためにデポアップを採用 ■卓上タイプながら真空シール性の高いSUSチャンバを採用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
手動バッチ型と簡易ロードロック型の2機種 簡易ロードロックタイプで化合物半導体量産プロセスを実現 サンプルテスト＆装置見学対応中
当製品は、基礎研究から先端プロセスの開発までカバーする シンプルでコストパフォーマンスの高いスパッタリング装置です。 全手動化し低コスト化したバッチタイプと手動搬送機構を装備した 簡易ロードロックタイプの2機種をラインアップ。両機種とも上位機種の プロセス性能を維持した上で、大きなコスト低減を実現しています。 サンプルテスト・仕様対応・納入後のフォローまで一貫して丁寧な対応を 行っています。 【特長】 ■リーズナブルなコストと高いプロセス性能 ■少量生産にも対応可能な高い信頼性 ■豊富な実績に支えられた豊富なオプション類と柔軟なハード対応 ■先端分野の薄膜開発にロードロック機構と事前成膜テストで プロセス開発をサポート ■デモ機を常設し、サンプルテスト対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
新たな素材探索や成膜プロセスの構築をサポートいたします
HiTUSテクノロジー イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。
RFイオンソースを使用し、シングルステージまたはプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング（IBS）装置です。
お客様用途に合わせて、研究開発用、量産用に装置設計いたします。 【装置特長】 ・プロセス動作圧10-2Pa台(10-4Torr台) 高真空成膜可能 ・コンタミネーションが少ない ・無加熱成膜可能 ・高密度膜 ・反応性成膜可能 ・イオンビームアシスト追加可能 ・膜厚等の制御性良好
多層・積層成膜プロセスの改善により電子部品の品質強化と生産性向上に貢献します
● 高品質・高精度な成膜によりデバイス性能を向上 ● 多様なユニットが搭載可能なマルチチャンバ方式によりご要望の成膜プロセスを実現
『PGS model』は低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能なスパッタ装置です。
『PGSモデル』は、圧力勾配現象を採用した画期的なスパッタ装置です。 高真空域でのスパッタ成膜が可能。 また、低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能です。 九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果の製品と なっております。 【特長】 ■圧力勾配現象を採用 ■高真空域でのスパッタ成膜が可能 ■九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング プラズマエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） -3) Max1000℃（SICコーティング） ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(＜30W） システム主制御：'IntelliDep'制御システム Windows PC（又はTP HMI）インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理
高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置
高機能 多目的 RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 タッチパネル簡単操作 熟練度を問わずどなたでも簡単に操作が可能です。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 最大3：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DC, DC/DCのみ） ● RF150W、DC780電源搭載（最大2電源まで） ● MFC x 3：プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
スパッタソースを超高真空に保持したまま、マグネットの取り外しが可能
本スパッタソースは超高真空対応の汎用型小型マグネトロンスパッタソースです。 本体がすべてベーカブルであるため、反応性の高いターゲットでも、不純物の少ない成膜が可能です。 【特徴】 ○Oリングを使用しない超高真空タイプ ○スパッタソースを超高真空に保持したまま、マグネットの取り外しが可能 ○マグネットを取り外すことにより、300℃までのベーキングが可能 ○ターゲットの固定はリテイナーで行われ、ターゲットを短時間で交換可能 ○ガス導入口が取付フランジと一体となっているので、 ガス導入用のフランジは不要 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
