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簡単にエポキシボンディングが可能
エポキシ及び銀ペーストダイボンディグが簡単に行えるマシン モデル7200CR エポキシダイボンダーは、エポキシ材(接着剤)や銀ペーストを塗布する為のディスペンスチューブと、チップを吸着する為のピックアップツールが1つのボンドヘッドに組込まれており、新機構 X-Y-Z 3軸マニピュレーター(特許)の操作だけで、ディスペンスモードとピックアップモードの切り替えや、ダイボンディングを行う事が可能です。 又、ボンドヘッドにモーターとタイミングベルトが組込まれている為、ピックアップツールで吸着したチップは手元のコントロールノブで360°自由に回転させる事が可能です。 さらに、ダイパフタイムを設定する事で、吸着コレットからチップがスムーズに離れる為、ボンディング効率が良くなりました。
QFN等、小ピンICのボンディングに最適
◆高スループット、小フットプリント、品種切替時間短縮でＴＣＯ削減 ◆調整容易化、リワーク機能搭載で優れた操作性を実現 ◆マウント-プリフォーム間の最小化、経時変化を防止し、無駄な動きを短縮 ◆新開発ツインディスペンスシステム搭載で多様なペーストに対応 ◆ニードルレスピックアップシステム（オプション）でダメージレスピックアップを実現
あらゆるLEDパッケージのハンドリングに最適
◆マウント-プリフォーム間をミニマム化し、経時変化を防止し、無駄な動きを短縮 ◆基板ダイレクト搬送、ワーク厚み対応、大型基板対応（オプション）、キャリア対応 ◆照明基板の大型化、モジュール化に対応し、多彩なボンディングパターン、認識パターンをご用意 ◆ワークデータ入力容易化により、品種切替時間短縮 ～品種切替時間60分（ハードウェア15分、セットアップ45分）～
短冊フレーム用ダイボンダ 共晶、エポキシ両方に対応可、兼用仕様も可。小チップ(□0.15mm～)対応 安定稼働を供給！
『DBD4600S』は、短冊フレーム用ダイボンダで、 0.15mm～からの小チップも対応可能 安定稼働を供給します 【仕様】 ■接合プロセス 共晶(DAF)/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ □0.15~1.0mm(共晶) ~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) +/-35μm +/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重 30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅 最大70mmまで ■ウェハサイズ 6インチ又は8インチ ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム 0.3秒/チップ(共晶) 各種条件による ■搬送方式 ピン搬送(共晶又は兼用仕様) グリッパ搬送(エポキシ専用機) ■外形寸法 2 200x1 250x1 880mm ■質量 1 200kg ■主要オプション ロータリーボンドヘッド、裏面認識、コレットクリーナ、ウェハマップ、ストリップマップ等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
量産および試作開発で優れた高精度搭載精度を発揮。 ※ボンディングに関する技術資料を配布中
『FINEPLACER femto2』は、搭載精度0.3μm＠3sigmaを実現した 全自動の高精度ダイボンディング装置です。 熱共晶方式、超音波方式など各種実装方式、アプリケーションに対応し、 製品開発から本格的な製造に用途が変わる際にも 継続して安定したアセンブリプロセスを実現します。 【特長】 ■UHDビジョンアライメントシステムによる高精度アライメント ■統合型プロセスマネージメントで短時間で複数の実装プロセスに対応 ■各種の実装プロセスに対応(熱圧着・はんだ・接着剤・超音波など) ■モジュールシステム採用により多様な構成が可能 ■クリーンルーム品質でプロセス環境を管理 ■3色LED照明を搭載し、優れた可視性と画像認識を実現 ■タッチスクリーンパネルで直観的な操作が可能 ※「PDFダウンロード」より製品資料、ボンディングに関する技術資料を ご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
CoS (Chip on Submount )は高精度ダイ/フリップチップボンダーです。
CoS アライメント精度：±3µm@3σ アプリケーション：レーザーアプリケーションが主 同社製品では、レーザー加熱を採用しており、パルスヒータと比べ 高速に加熱実装が可能となります。 サイクルタイム：5～15 sec/chip 接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応 〇その他ダイボンダー/フリップチップボンダー装置 アライメント精度 NANO ±0.3µm @ 3σ AFCplus ±1μm@3σ Nova + ±2.5μm@3σ 〇その他ASMPT製取扱い装置 ・マルチレーザーダイシング装置 ・ワイヤーボンダー装置 ・２次元、３次元パッケージ外観検査装置 ・その他ダイボンダー装置（アライメント精度0.2µm～25µm） 〇ASMPT装置導入実績（国内、国外トータル）： 年間2000台 ダイボンダー、年間4000台ワイヤーボンダー
AD838L-G2は、LED関係で非常に実績が多いエポキシダイボンダーです
AD838L-G2は、個片化されたチップをサブストレートに高速でボンディング可能な装置です。 マルチダイにも対応しており、充実したInspection機能を搭載しております。 【装置特徴】 ・アライメント精度：±10µm @ 3σ ・約0.25秒/chipと高速ボンディングが可能 ・様々な薄いチップを容易にピックアップ可能な機能搭載 ・デュアルディスペンス機能搭載（様々なダイサイズに応じてのドットやライティングに対応） ・ボンディング前後の充実したInspection機能搭載 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±10µm @ 3σ ・UPH：14 000（約0.25秒/chip） ※接合材料やダイ/サブストレート仕様により変動 ・ダイ対応サイズ：0.15 × 0.15 mm – 2.03 × 2.03mm ・サブストレートサイズ：長さ60 – 300 mm 幅60 – 100 mm アライメント精度/サイクルタイム/ダイサイズなどに応じて最適な装置をご提案致します。 ダイボンダーをお探しの際は、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速かつ正確に、チップをサブストレートやリードフレームへボンディング。
『INFINITE』は、個片化されたチップを超高速かつ高精度に サブストレートやリードフレームへボンディングできる装置です。 エポキシ樹脂のディスペンス量や幅のほか、ボンディング時のはみだし量も制御可能。 ディスペンス前後やボンディング前後の検査機能も搭載しており、 QFN、BGA、MEMS、SiPなどの様々なアプリケーションに活用可能です。 【特長】 ■薄チップや大判ダイも高速ボンディング可能 ■無加圧シンタリング材や強粘度材などの様々なエポキシ材料に対応 ■アライメント精度は±20μm＠3σ ■最高0.19秒/チップの高速処理が可能 ■ダイ対応サイズ：0.2×0.2～9×9mm サブストレート対応サイズ：長さ100～300mm、幅15～100mm ※＜PDFダウンロード＞より製品資料ご覧いただけます。
±1um以下の超高精度アライメント。試作開発に最適
試作／開発に特化したダイフリップチップボンダー。 高精度ダイボンダー＆フリップチップボンディング機能を兼備え モニター画面により手動調整にて超高精度ボンディングを行います。 （型式：MOA1250の場合 無負荷アライメント±１micron） PC又はシーケンサーコントロールにより簡易に高精度ボンディングを実現。 ●シリコンウェハー／チップ／セラミック基板／FR4等対象物を選びません。 ●アクチュエーター単位に移動量のフィールドバックを行い、超高精度を実施。（MOA-1250タイプ） ●エアーカーテン方式ヒートアップステージにより、低酸素濃度中でのボンディング可。 ●多様なオプション 角錐コレット、パルスヒーター、スクライブ機能他。 ●装置は全て受注生産方式、レイアウト、予算、機能等カスタマイズ可。
レーザーダイオード、微細チップの実装開発試作に最適
カメラ上下2台設置 チップアライメントマーク、バンプ、パッド、外形などによりアライメント 高精度にボンディングを実施。 デバイス品種、材質やボンディング工法に制約のない 汎用型の簡易フリップチップボンダー
ハーフミラービューイングシステム！目的に合ったボンディングがヘッドの交換のみ
『MODEL860Eagle』は、フリップチップ、共晶、超音波、熱圧着、 エポキシボンディングと、目的に合ったボンディングがヘッドの交換を 行うだけで可能なユニバーサルダイボンダーです。 ハーフミラービューイングシステムを使用する事で実現した高い プレースメント精度、抜群の操作性を持った製品です。 【製品概要(抜粋)】 ■ハーフミラー式ビューイングシステム ■高精度サーボモーター使用 (Z駆動) ■自動制御温度コントロール (ステージ / コレット温度) ■ボンド加重選択 (15 g ～ 700 g または 50 g ～ 10 kg) ■超高精度リニアスクラブボンドヘッド (スタート位置再現性 ± 1 ミクロン以内) ※詳しくは外部リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ＮＡＮＤフラッシュ等、高精度積層パッケージに対応
ニードルレスピックアップシステムで超薄型チップもダメージなくピックアップ可能 世界最高レベルのボンディング精度 ～ 高精度 XY:±8μm θ:±0.05（3σ） ～ 多彩なハンドリング ～ □1.0～25.0mm、基板サイズ100～315mmまで対応 ～
Dpak、To220からTo3p、IGBTまで、高品質高熱容量デバイス対応半田接合ダイボンダーです。
◆ボンディング精度 XY:±40µm、 Θ :±3° 3σ ◆DBIによる半田接合品質の検査・検出 ◆強力なセットアップウィザード ◆ヒーターレールユニットもしくはアダプターレール交換を選択可能
QFN等、小ピンICのボンディングに最適
◆Best TCO ～小フットプリント、品種切替え時間短縮～ ◆Best Quality ～速乾性ペースト対応～ ◆幅広リードフレーム対応 ～リードフレームサイズ：Ｗ102mm×Ｌ300mm～ ◆新開発ツインディスペンスシステム搭載 ～多様なペーストに対応、安定した塗布性能～ ◆高精度小チップピックアップ ～□0.15～8.0mmまで対応～
微小・薄型チップに対応した高速Die Bonder （ダイボンダ）
Die Bonder ”AB-1000” が完成。 搭載精度（XY：±5 [μm] θ：±１ [deg] (±3σ) ）実現。 微小・薄型チップに対応。
