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簡単にエポキシボンディングが可能
エポキシ及び銀ペーストダイボンディグが簡単に行えるマシン モデル7200CR エポキシダイボンダーは、エポキシ材(接着剤)や銀ペーストを塗布する為のディスペンスチューブと、チップを吸着する為のピックアップツールが1つのボンドヘッドに組込まれており、新機構 X-Y-Z 3軸マニピュレーター(特許)の操作だけで、ディスペンスモードとピックアップモードの切り替えや、ダイボンディングを行う事が可能です。 又、ボンドヘッドにモーターとタイミングベルトが組込まれている為、ピックアップツールで吸着したチップは手元のコントロールノブで360°自由に回転させる事が可能です。 さらに、ダイパフタイムを設定する事で、吸着コレットからチップがスムーズに離れる為、ボンディング効率が良くなりました。
QFN等、小ピンICのボンディングに最適
◆高スループット、小フットプリント、品種切替時間短縮でＴＣＯ削減 ◆調整容易化、リワーク機能搭載で優れた操作性を実現 ◆マウント-プリフォーム間の最小化、経時変化を防止し、無駄な動きを短縮 ◆新開発ツインディスペンスシステム搭載で多様なペーストに対応 ◆ニードルレスピックアップシステム（オプション）でダメージレスピックアップを実現
あらゆるLEDパッケージのハンドリングに最適
◆マウント-プリフォーム間をミニマム化し、経時変化を防止し、無駄な動きを短縮 ◆基板ダイレクト搬送、ワーク厚み対応、大型基板対応（オプション）、キャリア対応 ◆照明基板の大型化、モジュール化に対応し、多彩なボンディングパターン、認識パターンをご用意 ◆ワークデータ入力容易化により、品種切替時間短縮 ～品種切替時間60分（ハードウェア15分、セットアップ45分）～
短冊フレーム用ダイボンダ 共晶、エポキシ両方に対応可、兼用仕様も可。小チップ(□0.15mm～)対応 安定稼働を供給！
『DBD4600S』は、短冊フレーム用ダイボンダで、 0.15mm～からの小チップも対応可能 安定稼働を供給します 【仕様】 ■接合プロセス 共晶(DAF)/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ □0.15~1.0mm(共晶) ~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) +/-35μm +/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重 30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅 最大70mmまで ■ウェハサイズ 6インチ又は8インチ ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム 0.3秒/チップ(共晶), 各種条件による ■搬送方式 ピン搬送(共晶又は兼用仕様) グリッパ搬送(エポキシ専用機) ■外形寸法 2,200x1,250x1,880mm ■質量 1,200kg ■主要オプション ロータリーボンドヘッド、裏面認識、コレットクリーナ、ウェハマップ、ストリップマップ等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
多工程を一つの装置で！ 0.5µmのボンディング位置精度！
光学部品のパッケージは、光学系（レンズ、プリズム、アパチャー、フィルターなど）と電子部品（LD、PD、アンプ、コントローラーなど）を実装する事で構成されます。これらは光信号が電気信号へ変換される、又はその逆の通信技術に対して多く用いられます。パッケージの正常動作には光学系と電子部品の実装時に於ける相互の高精度の位置決めが必須です。
超低荷重制御、全自動、微細チップ対応の高精度ダイボンディング装置です。※技術資料も進呈中！
試作開発及び、高歩留まり製造に於いて多様なボンディングプロセスに対応し、特に光学部品、光電子部品の実装に適したダイボンダー装置です。安定したプロセス製造環境を実現し、操作オペレータに対してのプロセスガスの使用、UV照射などに対する安全性を考慮した、密閉型エンクロージャを採用しています。 【主要機能】 • 搭載精度 2μm@3σ • マルチチップ対応 • 費用対効果の高い装置構成 • 各種の実装プロセスに対応（接着剤・はんだ・熱圧着・超音波） • 幅広いコンポーネント供給法(wafer, waffle pack, Gel-Pak) • 固定式ビームスプリッターによるオーバーレイ・ビジョンアライメントシステム(VAS) • 全自動およびマニュアル動作 ※詳しくはPDFをダウンロード、もしくはお問合せください。
量産および試作開発で優れた高精度搭載精度を発揮。 ※ボンディングに関する技術資料を配布中
『FINEPLACER femto2』は、搭載精度0.3μm＠3sigmaを実現した 全自動の高精度ダイボンディング装置です。 熱共晶方式、超音波方式など各種実装方式、アプリケーションに対応し、 製品開発から本格的な製造に用途が変わる際にも 継続して安定したアセンブリプロセスを実現します。 【特長】 ■UHDビジョンアライメントシステムによる高精度アライメント ■統合型プロセスマネージメントで短時間で複数の実装プロセスに対応 ■各種の実装プロセスに対応(熱圧着・はんだ・接着剤・超音波など) ■モジュールシステム採用により多様な構成が可能 ■クリーンルーム品質でプロセス環境を管理 ■3色LED照明を搭載し、優れた可視性と画像認識を実現 ■タッチスクリーンパネルで直観的な操作が可能 ※「PDFダウンロード」より製品資料、ボンディングに関する技術資料を ご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
繊細なメンブレンチップを1μm以下のポストボンディング精度で積層しています！
シュトゥットガルトのマイクロエレクトロニクス研究所は、シリコン技術、 特定用途向け回路（ASIC）、ナノ構造、イメージセンサー技術などの分野で ビジネス志向の研究を行い、専門的なトレーニングを提供しています。 新しいアプリケーションでは、数cmの大きさのメンブレンチップを非常に 高い精度で積み重ねることが重要な要件となりました。 配置と積層のすべてのステップが完了した後、プロセス全体としての ポストボンディング精度は1μm未満でなければなりませんでした。 当事例では、“ポストボンディング精度1μmのメンブレンチップの スタッキング実装対応ダイボンダー”について紹介しています。 ※事例の詳細内容は、PDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
パートナーにマイクロシステム技術のための先進的研究施設を提供しています！
ノルウェー・サウスイースタン大学が、ノルウェー国内有数の微細技術拠点 において、どのようにファインテック社製アッセンブリ装置を活用し、 イノベーションを促進しているかご紹介します。 8つの拠点に2万人の学生を擁するノルウェー南東部国立大学（USN）は、 ノルウェー国内の教育機関のひとつです。 3か所の地域のカレッジが合併して誕生したこの大学では、現在、多くの 科学分野における学士、修士、博士課程の様々なコースが提供されています。 加えて、USNは国内外の研究・教育において重要な役割を果たしている だけではなく、ダイナミックな経済地域のひとつと極めて密に連携しています。 当事例では、“Electronic Coastにおける高精度ダイボンダー活用”について 紹介しています。 ※事例の詳細内容は、PDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
CoS (Chip on Submount )は高精度ダイ/フリップチップボンダーです。
CoS アライメント精度：±3µm@3σ アプリケーション：レーザーアプリケーションが主 同社製品では、レーザー加熱を採用しており、パルスヒータと比べ 高速に加熱実装が可能となります。 サイクルタイム：5～15 sec/chip 接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応 〇その他ダイボンダー/フリップチップボンダー装置 アライメント精度 NANO ±0.3µm @ 3σ AFCplus ±1μm@3σ Nova + ±2.5μm@3σ 〇その他ASMPT製取扱い装置 ・マルチレーザーダイシング装置 ・ワイヤーボンダー装置 ・２次元、３次元パッケージ外観検査装置 ・その他ダイボンダー装置（アライメント精度0.2µm～25µm） 〇ASMPT装置導入実績（国内、国外トータル）： 年間2000台 ダイボンダー、年間4000台ワイヤーボンダー
AD838L-G2は、LED関係で非常に実績が多いエポキシダイボンダーです
AD838L-G2は、個片化されたチップをサブストレートに高速でボンディング可能な装置です。 マルチダイにも対応しており、充実したInspection機能を搭載しております。 【装置特徴】 ・アライメント精度：±10µm @ 3σ ・約0.25秒/chipと高速ボンディングが可能 ・様々な薄いチップを容易にピックアップ可能な機能搭載 ・デュアルディスペンス機能搭載（様々なダイサイズに応じてのドットやライティングに対応） ・ボンディング前後の充実したInspection機能搭載 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±10µm @ 3σ ・UPH：14,000（約0.25秒/chip） ※接合材料やダイ/サブストレート仕様により変動 ・ダイ対応サイズ：0.15 × 0.15 mm – 2.03 × 2.03mm ・サブストレートサイズ：長さ60 – 300 mm 幅60 – 100 mm アライメント精度/サイクルタイム/ダイサイズなどに応じて最適な装置をご提案致します。 ダイボンダーをお探しの際は、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速かつ正確に、チップをサブストレートやリードフレームへボンディング。
『INFINITE』は、個片化されたチップを超高速かつ高精度に サブストレートやリードフレームへボンディングできる装置です。 エポキシ樹脂のディスペンス量や幅のほか、ボンディング時のはみだし量も制御可能。 ディスペンス前後やボンディング前後の検査機能も搭載しており、 QFN、BGA、MEMS、SiPなどの様々なアプリケーションに活用可能です。 【特長】 ■薄チップや大判ダイも高速ボンディング可能 ■無加圧シンタリング材や強粘度材などの様々なエポキシ材料に対応 ■アライメント精度は±20μm＠3σ ■最高0.19秒/チップの高速処理が可能 ■ダイ対応サイズ：0.2×0.2～9×9mm サブストレート対応サイズ：長さ100～300mm、幅15～100mm ※＜PDFダウンロード＞より製品資料ご覧いただけます。
半導体組立装置の世界市場：ダイボンダー、ワイヤーボンダー、包装機器、その他、IDM、OSAT
本調査レポート（Global Semiconductor Assembly Equipment Market）は、半導体組立装置のグローバル市場の現状と今後5年間の展望について調査・分析しました。世界の半導体組立装置市場概要、主要企業の動向（売上、販売価格、市場シェア）、セグメント別市場規模、主要地域別市場規模、流通チャネル分析などの情報を収録しています。 半導体組立装置市場の種類別（By Type）のセグメントは、ダイボンダー、ワイヤーボンダー、包装機器、その他を対象にしており、用途別（By Application）のセグメントは、IDM、OSATを対象にしています。地域別セグメントは、北米、アメリカ、ヨーロッパ、アジア太平洋、日本、中国、インド、韓国、東南アジア、南米、中東、アフリカなどに区分して、半導体組立装置の市場規模を算出しました。 主要企業の半導体組立装置市場シェア、製品・事業概要、販売実績なども掲載しています。
±1um以下の超高精度アライメント。試作開発に最適
試作／開発に特化したダイフリップチップボンダー。 高精度ダイボンダー＆フリップチップボンディング機能を兼備え モニター画面により手動調整にて超高精度ボンディングを行います。 （型式：MOA1250の場合 無負荷アライメント±１micron） PC又はシーケンサーコントロールにより簡易に高精度ボンディングを実現。 ●シリコンウェハー／チップ／セラミック基板／FR4等対象物を選びません。 ●アクチュエーター単位に移動量のフィールドバックを行い、超高精度を実施。（MOA-1250タイプ） ●エアーカーテン方式ヒートアップステージにより、低酸素濃度中でのボンディング可。 ●多様なオプション 角錐コレット、パルスヒーター、スクライブ機能他。 ●装置は全て受注生産方式、レイアウト、予算、機能等カスタマイズ可。
レーザーダイオード、微細チップの実装開発試作に最適
カメラ上下2台設置 チップアライメントマーク、バンプ、パッド、外形などによりアライメント 高精度にボンディングを実施。 デバイス品種、材質やボンディング工法に制約のない 汎用型の簡易フリップチップボンダー
