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簡単にエポキシボンディングが可能
エポキシ及び銀ペーストダイボンディグが簡単に行えるマシン モデル7200CR エポキシダイボンダーは、エポキシ材(接着剤)や銀ペーストを塗布する為のディスペンスチューブと、チップを吸着する為のピックアップツールが1つのボンドヘッドに組込まれており、新機構 X-Y-Z 3軸マニピュレーター(特許)の操作だけで、ディスペンスモードとピックアップモードの切り替えや、ダイボンディングを行う事が可能です。 又、ボンドヘッドにモーターとタイミングベルトが組込まれている為、ピックアップツールで吸着したチップは手元のコントロールノブで360°自由に回転させる事が可能です。 さらに、ダイパフタイムを設定する事で、吸着コレットからチップがスムーズに離れる為、ボンディング効率が良くなりました。
QFN等、小ピンICのボンディングに最適
◆高スループット、小フットプリント、品種切替時間短縮でＴＣＯ削減 ◆調整容易化、リワーク機能搭載で優れた操作性を実現 ◆マウント-プリフォーム間の最小化、経時変化を防止し、無駄な動きを短縮 ◆新開発ツインディスペンスシステム搭載で多様なペーストに対応 ◆ニードルレスピックアップシステム（オプション）でダメージレスピックアップを実現
あらゆるLEDパッケージのハンドリングに最適
◆マウント-プリフォーム間をミニマム化し、経時変化を防止し、無駄な動きを短縮 ◆基板ダイレクト搬送、ワーク厚み対応、大型基板対応（オプション）、キャリア対応 ◆照明基板の大型化、モジュール化に対応し、多彩なボンディングパターン、認識パターンをご用意 ◆ワークデータ入力容易化により、品種切替時間短縮 ～品種切替時間60分（ハードウェア15分、セットアップ45分）～
短冊フレーム用ダイボンダ 共晶、エポキシ両方に対応可、兼用仕様も可。小チップ(□0.15mm～)対応 安定稼働を供給！
『DBD4600S』は、短冊フレーム用ダイボンダで、 0.15mm～からの小チップも対応可能 安定稼働を供給します 【仕様】 ■接合プロセス 共晶(DAF)/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ □0.15~1.0mm(共晶) ~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) +/-35μm +/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重 30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅 最大70mmまで ■ウェハサイズ 6インチ又は8インチ ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム 0.3秒/チップ(共晶), 各種条件による ■搬送方式 ピン搬送(共晶又は兼用仕様) グリッパ搬送(エポキシ専用機) ■外形寸法 2,200x1,250x1,880mm ■質量 1,200kg ■主要オプション ロータリーボンドヘッド、裏面認識、コレットクリーナ、ウェハマップ、ストリップマップ等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
超低荷重制御、全自動、微細チップ対応の高精度ダイボンディング装置です。※技術資料も進呈中！
試作開発及び、高歩留まり製造に於いて多様なボンディングプロセスに対応し、特に光学部品、光電子部品の実装に適したダイボンダー装置です。安定したプロセス製造環境を実現し、操作オペレータに対してのプロセスガスの使用、UV照射などに対する安全性を考慮した、密閉型エンクロージャを採用しています。 【主要機能】 • 搭載精度 2μm@3σ • マルチチップ対応 • 費用対効果の高い装置構成 • 各種の実装プロセスに対応（接着剤・はんだ・熱圧着・超音波） • 幅広いコンポーネント供給法(wafer, waffle pack, Gel-Pak) • 固定式ビームスプリッターによるオーバーレイ・ビジョンアライメントシステム(VAS) • 全自動およびマニュアル動作 ※詳しくはPDFをダウンロード、もしくはお問合せください。
FINEPLACER femto2による集積型フォトニクス・パッケージング技術の開拓！
オランダのエンスヘデを拠点とするPHIX Photonics Assembly社は、 フォトニック集積回路(PIC)の組立および製造に関するイノベーションに おいてのグローバルカンパニーです。同社の目標は、フォトニクス業界における 新たなスタンダードを確立するという、シンプルかつ野心的なものです。 装置に関して、PHIXの組立・製造能力における重要な要素の一つは、2021年に PHIXが導入した当社の先端フルオート・サブミクロン・ダイボンダーである FINEPLACER femto2です。 導入した装置により、ラピッドプロトタイピングと高歩留まり生産に不可欠な 安定した組立プロセスを確保します。また、革新的なFPXvisionビジョンアライ メントシステムとIPMコマンドソフトウェアは、PIC組立における比類なき柔軟性と 精度を提供しています。 【概要】 ■装置精度がプロセス全体に与える影響がごくわずかであるため、 装置精度を気にする考慮する必要はない ※詳しくは関連リンクURL(公式HP)をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
CoS (Chip on Submount )は高精度ダイ/フリップチップボンダーです。
CoS アライメント精度：±3µm@3σ アプリケーション：レーザーアプリケーションが主 同社製品では、レーザー加熱を採用しており、パルスヒータと比べ 高速に加熱実装が可能となります。 サイクルタイム：5～15 sec/chip 接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応 〇その他ダイボンダー/フリップチップボンダー装置 アライメント精度 NANO ±0.3µm @ 3σ AFCplus ±1μm@3σ Nova + ±2.5μm@3σ 〇その他ASMPT製取扱い装置 ・マルチレーザーダイシング装置 ・ワイヤーボンダー装置 ・２次元、３次元パッケージ外観検査装置 ・その他ダイボンダー装置（アライメント精度0.2µm～25µm） 〇ASMPT装置導入実績（国内、国外トータル）： 年間2000台 ダイボンダー、年間4000台ワイヤーボンダー
AD838L-G2は、LED関係で非常に実績が多いエポキシダイボンダーです
AD838L-G2は、個片化されたチップをサブストレートに高速でボンディング可能な装置です。 マルチダイにも対応しており、充実したInspection機能を搭載しております。 【装置特徴】 ・アライメント精度：±10µm @ 3σ ・約0.25秒/chipと高速ボンディングが可能 ・様々な薄いチップを容易にピックアップ可能な機能搭載 ・デュアルディスペンス機能搭載（様々なダイサイズに応じてのドットやライティングに対応） ・ボンディング前後の充実したInspection機能搭載 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±10µm @ 3σ ・UPH：14,000（約0.25秒/chip） ※接合材料やダイ/サブストレート仕様により変動 ・ダイ対応サイズ：0.15 × 0.15 mm – 2.03 × 2.03mm ・サブストレートサイズ：長さ60 – 300 mm 幅60 – 100 mm アライメント精度/サイクルタイム/ダイサイズなどに応じて最適な装置をご提案致します。 ダイボンダーをお探しの際は、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速かつ正確に、チップをサブストレートやリードフレームへボンディング。
『INFINITE』は、個片化されたチップを超高速かつ高精度に サブストレートやリードフレームへボンディングできる装置です。 エポキシ樹脂のディスペンス量や幅のほか、ボンディング時のはみだし量も制御可能。 ディスペンス前後やボンディング前後の検査機能も搭載しており、 QFN、BGA、MEMS、SiPなどの様々なアプリケーションに活用可能です。 【特長】 ■薄チップや大判ダイも高速ボンディング可能 ■無加圧シンタリング材や強粘度材などの様々なエポキシ材料に対応 ■アライメント精度は±20μm＠3σ ■最高0.19秒/チップの高速処理が可能 ■ダイ対応サイズ：0.2×0.2～9×9mm サブストレート対応サイズ：長さ100～300mm、幅15～100mm ※＜PDFダウンロード＞より製品資料ご覧いただけます。
高速共晶ダイボンダー
AD211Plus-IIは、個片化されたチップをサブストレートやリードフレームに高速で共晶接合可能な装置です。 車載照明や屋外照明などLED向けに多くの導入実績があります。 製品特徴 ・アライメント精度：7μm ・サイクルタイム：540ms ・ヒートアップ時のかげろう防止機能 ・特徴的なワークホルダー/ヒートアップステージ ・ボイド率3%以下のコントロール機能 ・豊富な国内/国外導入実績 ・アプリケーション：車載関係、フォトニクス関係、LED関係、LiDAR関係
±1um以下の超高精度アライメント。試作開発に最適
試作／開発に特化したダイフリップチップボンダー。 高精度ダイボンダー＆フリップチップボンディング機能を兼備え モニター画面により手動調整にて超高精度ボンディングを行います。 （型式：MOA1250の場合 無負荷アライメント±１micron） PC又はシーケンサーコントロールにより簡易に高精度ボンディングを実現。 ●シリコンウェハー／チップ／セラミック基板／FR4等対象物を選びません。 ●アクチュエーター単位に移動量のフィールドバックを行い、超高精度を実施。（MOA-1250タイプ） ●エアーカーテン方式ヒートアップステージにより、低酸素濃度中でのボンディング可。 ●多様なオプション 角錐コレット、パルスヒーター、スクライブ機能他。 ●装置は全て受注生産方式、レイアウト、予算、機能等カスタマイズ可。
レーザーダイオード、微細チップの実装開発試作に最適
カメラ上下2台設置 チップアライメントマーク、バンプ、パッド、外形などによりアライメント 高精度にボンディングを実施。 デバイス品種、材質やボンディング工法に制約のない 汎用型の簡易フリップチップボンダー
微細実装から100kg高荷重接合まで 一台で柔軟にこなすボンダー
スイスのDr.Tresky社は1980年にスイスで設立以来、 各種実装機器を開発・製造販売を行っております。 拡張性に優れたシンプルなフルマニュアル機から、 セミオート機までラインアップしており、 少量多品種生産から研究開発の現場に幅広く納入実績がございます。 【T-5300/T-5300-Wの特長】 ■チップ搭載時にチップの厚みが変わっても常に基板と平行に、設定された荷重で搭載可能 ■広いワークテーブル（250×330mm） ■組合せのオプションにより、ダイボンディング、フリップチップボンディングなど 仕様に対して装置の構成が可能 ■各オプションの後付け追加対応可能 ■オプションのヒーターや超音波ユニット仕様にした場合、 ヒーター昇温タイミング（荷重検知同時スタート等、冷却タイミングの設定）、 超音波発信タイミング、Z軸搭載時間と上昇タイミング等のパラメーターを任意で設定可能 ■オプションビームスプリッダーカメラを使用時、±1μの精度まで出すことが可能 ※詳しくは、PDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせください。
ハーフミラービューイングシステム！目的に合ったボンディングがヘッドの交換のみ
『MODEL860Eagle』は、フリップチップ、共晶、超音波、熱圧着、 エポキシボンディングと、目的に合ったボンディングがヘッドの交換を 行うだけで可能なユニバーサルダイボンダーです。 ハーフミラービューイングシステムを使用する事で実現した高い プレースメント精度、抜群の操作性を持った製品です。 【製品概要(抜粋)】 ■ハーフミラー式ビューイングシステム ■高精度サーボモーター使用 (Z駆動) ■自動制御温度コントロール (ステージ / コレット温度) ■ボンド加重選択 (15 g ～ 700 g または 50 g ～ 10 kg) ■超高精度リニアスクラブボンドヘッド (スタート位置再現性 ± 1 ミクロン以内) ※詳しくは外部リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ＮＡＮＤフラッシュ等、高精度積層パッケージに対応
ニードルレスピックアップシステムで超薄型チップもダメージなくピックアップ可能 世界最高レベルのボンディング精度 ～ 高精度 XY:±8μm θ:±0.05（3σ） ～ 多彩なハンドリング ～ □1.0～25.0mm、基板サイズ100～315mmまで対応 ～
Dpak、To220からTo3p、IGBTまで、高品質高熱容量デバイス対応半田接合ダイボンダーです。
◆ボンディング精度 XY:±40µm、 Θ :±3° 3σ ◆DBIによる半田接合品質の検査・検出 ◆強力なセットアップウィザード ◆ヒーターレールユニットもしくはアダプターレール交換を選択可能
QFN等、小ピンICのボンディングに最適
◆Best TCO ～小フットプリント、品種切替え時間短縮～ ◆Best Quality ～速乾性ペースト対応～ ◆幅広リードフレーム対応 ～リードフレームサイズ：Ｗ102mm×Ｌ300mm～ ◆新開発ツインディスペンスシステム搭載 ～多様なペーストに対応、安定した塗布性能～ ◆高精度小チップピックアップ ～□0.15～8.0mmまで対応～
微小・薄型チップに対応した高速Die Bonder(ダイボンダ)！
当社で取り扱う、アスリートFA製の高精度ダイボンダ『AB-1000』を ご紹介いたします。 XY：±5[μm],θ：±1[deg](±3σ)の搭載精度を実現。 微小・薄型チップに対応。 キャリブレーション、トレサビリティ、搭載後検査機能付です。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■高精度搭載を実現 ■微小・薄型チップに対応 ■キャリブレーション機能付 ■トレサビリティ機能付 ■搭載後検査機能付 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コト前管理を徹底し、行動指針に乗っ取り行動を”興す”。
株式会社テクサスは、日本電産トーソク株式会社のダイボンダ技術を継承し、その技術を基軸に半導体製造装置の自動化を実践させて頂いております。 安全第一主義経営を実践し、コト前管理を徹底し、行動指針に乗っ取り行動を興します。 【製品案内】 ○DBD4200R / EBD4200R ○DBD4600S / EBD4600 ○DBD3580SW ○EBD4350S 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
フープフレーム用ダイボンダ 共晶、エポキシ両方に対応可（兼用仕様可）小チップ(0.15mm～)対応 安定稼働を供給！
フープフレーム用ダイボンダ『DBD4200R』 0.15mm～からの小チップも対応可能です。 【仕様】 ■接合プロセス共晶/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ□0.15~1.0mm(共晶) ~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) +/-35μm ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅最大78mmまで ■ウェハサイズ6インチ又は8インチ ■ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム0.25秒/チップ(共晶), 各種条件による ■搬送方式ローラ搬送 ■外形寸法1,740x1,150x1,185mm ■質量1,000kg ■主要オプション ロータリーボンドヘッド、アンコイラ、カッター、ウェハマップ、ポストボンド認識等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短冊フレーム用ダイボンダ エポキシ、DAF両方に対応可、速乾性ペースト対応
短冊フレーム用ダイボンダ『EBD4350S』は、 速乾性ペーストに対応したエポキシダイボンダです。 【仕様】 ■接合プロセス エポキシ/DAF/兼用機仕様 ■チップサイズ □0.15~3.0mm ■ボンド精度(XY) +/-35μm +/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重 30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅 最大70mmまで ■ウェハサイズ 6インチ又は8インチ ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム 0.35秒/チップ, 各種条件による ■搬送方式 グリッパ搬送 ■外形寸法 1,680x1,135x1,645mm ■質量 1,300kg ■主要オプション ロータリーボンドヘッド、裏面認識、アップダウン機構 ウェハマップ、ストリップマップ等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
0.5µmのボンディング位置精度！
最新の光デバイスのアプリケーションでは、データ転送速度が高い、複合トランスミッタ、レシーバ、混合素子が重要な部品群です。これらの部品の実装工程では適切なボンディング技術による、高精度な位置制御が求められています。
高品質・高生産性を実現！更に進化した300mmウェハ対応高精度SiPボンダ
ファスフォードテクノロジ「SiPボンダ(DB830plus＋)」は、SiP組立に特化した300mmウェハ対応のDB800を更に進化させた高速・高性能ダイボンダです。 中間ステージ採用による高品質・高生産性を実現し、多段積層対応の位置補正を備えたビジョンシステムを搭載しています。 積層時のパーティクル軽減のクリーン化対応により、薄ダイ・多段積層に最適なダイボンダです。 【特長】 ○高品質・高生産性 ○多段積層対応 ○薄ダイボンディング技術 ○クリン化技術 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
AFC Plusは､高精度にダイをウエハ/サブストレート/ダイにボンディングが可能なフリップチップボンダーです。
”AFC Plus”は、同社の特許であるアライメント技術を用いて、 高精度に個片化されたダイをウエハ/サブストレート/ダイへ、 ボンディングを可能にした装置です。 【特徴】 ・アライメント精度：±1µm @ 3s ・アライメント技術（特許） ・ボンディング時の接合方法 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±0.2µ@3σ ・サイクルタイム：20 to 30 sec（材料により変動） ・ダイサイズ：0.1mm to 20mm ・サブストレートサイズ：MAX 300 x 300 mm ・ボンディングフォース（荷重）：10g to 2kg ・接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応
AD830Plusは、サイクルタイム0.16秒/chipの超高速エポキシダイボンダーです
AD830Plusは、個片化されたチップをサブストレートやリードフレームに超高速でボンディング可能な装置です。 LED関係やセンサー関係など様々なアプリケーション向けに導入実績があります。 【装置特徴】 ・アライメント精度：±25.4µm ・超高速ボンディング ・様々な薄いチップを容易にピックアップ可能な機能搭載 ・様々な材料のハンドリングが可能（長尺のサブストレートやリール供給など） ・デュアルディスペンス/デュアルスタンピング機能搭載 ・充実したInspection機能搭載（ボンディング前後など） 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±25.4µm ・UPH：0.16秒（163ミリ秒） ・ダイ対応サイズ：0.15mm ×0.15mm – 5.08mm × 5.08mm ・サブストレート対応サイズ：長さ110mm – 300mm 幅12mm – 102mm アライメント精度/サイクルタイム/ダイサイズなどに応じて最適な装置をご提案致します。 ダイボンダーをお探しの際は、お気軽にお問い合わせ下さい
様々なメーカーの製品を展示予定！ダイボンダーやマスクアライナー装置など
兼松PWS株式会社は、東京ビッグサイトで開催される「SEMICON JAPAN 2023」 に出展いたします。 ASMPT社の後工程装置(ダイボンダー、ワイヤーボンダーなど)や、 SUSS社のマスクアライナー装置、コータ/デベロッパなど、 様々な製品を展示予定。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。 【展示会概要】 ■日時：2023年12月13日(水)～12月15日(金) 10：00～17：00 ■会場：東京ビッグサイト(東展示場)ホール1 ■ブース位置：1704 ■住所：〒135-0063 東京都江東区有明3丁目11−1 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
充実したInspection機能が搭載！ボンディング前後での品質を確認することが可能
『MEGA』は、1パスで1枚のサブストレートに複数種類のチップを ボンディングすることが可能な装置です。 オプションを追加することで、精度を25μm～2μmの幅で変える ことが可能。また、充実したInspection機能が搭載されており、 ボンディング前後での品質を確認することが出来ます。 少量多品種向け/量産/R＆Dなど様々な用途での使用が可能です。 【概要】 ■メーカー：ASMPT ■製品名：マルチチップ対応ダイボンダーエポキシ接合、UV接合 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
サブミクロン精度と量産性を両立した超高精度ボンダ
本機は、サブミクロンレベルの超高精度実装と高生産を両立した量産対応の光デバイスや高精度搭載が必要とされるデバイスの量産に最適なフリップチップボンダです。 オプションによりフェースアップ搭載にも対応しています。
日々発展する半導体アプリケーションに対応！
当社では、Besi社のダイアタッチシステムを取り扱っております。 日々発展する半導体アプリケーションに対応するため、先進技術を搭載し 進化を続けております。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【4つのカテゴリー】 ■マルチモジュールボンダー ■エポキシダイボンダー ■ソフトソルダーダイボンダー ■フリップチップボンダー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お問い合わせください。
