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FE電子銃でさらに美しく！フロアモデルに迫る高分解能を卓上SEMで実現
当社が取り扱う、卓上走査型電子顕微鏡『Phenom Pharos』を ご紹介いたします。 ナノ～サブミクロンレベルの解析を実現。 誰でも簡単、スピーディに高分解能観察ができます。 また、3Dや粒子、細孔などを測ることも可能です。 ご要望の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■FE電子銃搭載 ■誰でも簡単、スピーディに高分解能観察 ■観察＋α(3D、粒子、細孔、繊維) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
金属材料中の転位の観察にはTEMが用いられてきましたが、SEMを用いた転位の観察ができるようになりました。
金属材料の変形や破壊のプロセスの本質的な理解には、転位の状態を可視化することが重要となっています。従来、金属材料中の転位の観察にはTEM（透過電子顕微鏡法）が用いられてきましたが、近年ではSEM（走査電子顕微鏡法）による観察も試みられていました。今回、当社でもこのSEMを用いた転位の観察ができるようになりました。
SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能に！単結晶GaNの測定事例もご紹介
当社では、SEM-ECCI法によるGaNの転位観察を行っております。 窒化ガリウム（GaN）等のパワー半導体において、製造時に含まれる転位は デバイス性能の低下や短寿命化の要因とされています。 半導体の転位観察は主に透過電子顕微鏡（TEM）やエッチピット法が用いられますが、 SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能となります。 【測定事例】 ■供試材：単結晶GaN（サファイア基板上にGaNを成膜したウェハ） ■面方位：C面（0001）±0.5° ■GaN膜厚：4.5±0.5μm ■測定条件：後方散乱モード ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
GaNなどのパワー半導体の転位やステップ(微小な段差)、微小方位差が観察可能です。
GaNなどのパワー半導体において、原子レベルの欠陥は性能の劣化に影響を及ぼします。EBSD検出器を用いた前方散乱電子の評価により、転位に加えてステップ(微小な段差)や微小方位差の観察が可能となります。
設備で発生したトラブルの真の原因を究明することで、効果的な対策立案が可能となります！
設備トラブルで損傷した部位を詳細に解析することで、発生したトラブルの真の原因を究明し、対策を提案して再発防止や改善に役立てていただけます。東レグループでの４０年以上の経験と専門知識をベースに電子顕微鏡や成分分析装置など各種ツールを駆使してお客様の疑問にお答えします。 【解析装置例】 ■走査型電子顕微鏡（SEM） ■エネルギー分散型X線分析装置（EDS） ■硬度計 ■各種光学顕微鏡 等
透過型電子顕微鏡による安全性試験！長年積み重ねてきた経験と実績があります！
花市電子顕微鏡技術研究所では、電子顕微鏡による『ウイルス安全性試験』の 受託を行っております。 GLP/GMPに準拠した厳正な管理の下、ウイルス安全性試験を実施。 例としてCHO細胞を使用してバイオ医薬品を製造する場合、ICH Q5A,Q5Dに 基づいた試験項目におけるレトロウイルス否定試験において、電子顕微鏡 観察の実施が必要とされています。 当社では、長年積み重ねてきた経験と実績をもとに、信頼性の高いデータを お客様に提供いたします。 【特長】 ■透過型電子顕微鏡による安全性試験 ■長年積み重ねてきた経験と実績 ■信頼性の高いデータをお客様に提供 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
集団食中毒の原因菌のひとつとして知られるようになった菌を×30,000 1:TEM 2:SEMで解析！
当社が行った『病原性大腸菌O-157』の解析事例をご紹介します。 "O-157"は近年集団食中毒の原因菌のひとつとして知られるようになった菌で、 この菌の持つベロ毒素産生機序の解明が急務とされています。 細菌類は細胞の周りに細胞壁を持ち、固定液などの薬品類の浸透が困難。 試料作製法は基本的に動物組織と同様ですが、それぞれの処理時間を 長くしたり、固定の時には室温で行うことによって像質を改善します。 【解析概要】 ■解析対象：病原性大腸菌O-157 ■試料作製法：基本的に動物組織と同様 ・処理時間を長くしたり、固定の時には室温で行うことによって像質を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
試料を冷却してSEMで観察できます。
PP3010Tは、含水試料や電子ビーム、真空ダメージを受けやすい試料を凍結させ電子顕微鏡で観察を行う装置です。 大気非暴露で試料の移動が可能なサンプルトランスファーが標準付属。 自動ガス流量コントロール機能やクライオSEMに最も必要な温度コントロール機能を重要視した設計がなされています。試料をより自然の状態に保ちSEM観察を行うPP3010T装置は動植物、医療、食材、ポリマー、塗装、温度上昇に敏感な半導体材料などの測定に活用されています。
LVEM 5 は他に類を見ない「卓上タイプ」「低価格」の「透過型電子顕微鏡（TEM）」。オプションでSEM/STEM追加可能。
【LVEM5の主な特徴】 ◆1台でTEM（電子回析含む）、SEM、およびSTEMイメージングモードが搭載できる汎用性。サンプルの同じ領域を、TEM、SEM、STEMモードを切り替えるだけで観察が可能。（各イメージモード搭載時） ◆抜群の省スペース設計、卓上タイプなので特別な施設も不要。 ◆低電圧（5KV）の為、生体材料観察時に試料へのダメージ軽減及び、染色無しでの観察、軽元素・軽金属の観察に有効。 ◆簡単操作で誰にでも扱える為、専任オペレータは不要。 ◆独自設計の永久磁石レンズは冷却が不要 ◆イオンゲッターポンプの採用によりクリーンで振動が無く、高真空を実現。 ◆簡単に切替が出来るイメージングモード 複数のイメージングモードを切替えて実行出来る為、表面画像と透過画像の両方をキャプチャする事が可能です。 また、カラムを再調整したり試料を調整をすることなく、ワンクリックでモードを切替え使用が出来ます。
物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【微少領域形態観察 透過電子顕微鏡（HR-TEM）】 ○高速電子線を薄く加工された試料に照射し、透過および散乱する電子の結像により拡大像や結晶構造の情報を提供する手法。 ○薄膜の構造、結晶性の評価に適している。また高分解能観察により結晶構造の観察が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
EBSD法により、結晶状態や残留応力の推測が可能！BGAの解析例をご紹介します
BGA(Ball Grid Array)の解析例をご紹介いたします。 顕微鏡による観察では、光学顕微鏡とSEMを使用。 EBSD法による結晶解析では、Phaseマップ、SnのGrainマップ、 SnのIPFマップ、SnのGRODマップを使用し、結晶状態や残留応力の 推測が可能です。 【概要】 ■EBSD法による結晶解析 ・Phaseマップ ・SnのGrainマップ ・SnのIPFマップ ・SnのGRODマップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに配線構造、結晶構造解析まで一貫対応が可能です！
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。 【EBICを用いた解析手法】 ■PEM/OBIRCH 不良箇所特定 ■FIB断面加工 ■低加速SEM ■EBIC解析 ■TEM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
微細なクラックが見やすい！導電処理が不要で、すばやく詳細な観察が出来ます
『卓上型SEM(電子顕微鏡)によるクラック観察』についてご紹介です。 製品の信頼性評価において、クラックの断面観察は欠かせません。 光学顕微鏡観察では見落とす可能性がある微小なクラックもSEM観察では 明確に確認することが可能です。 しかも卓上SEMなら、導電処理が不要で、すばやく詳細な観察が出来ます。 【特長】 ■蒸着不要 ■簡易的に結晶粒が見える ■微細なクラックが見えやすい ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
明視野モードと通常/標準モードの断面観察などを掲載しています！
当資料では、卓上型SEM(電子顕微鏡)によるネオジム磁石の断面観察に ついてご紹介しています。 ネオジム磁石など磁性を帯びた試料は、着磁状態でSEM観察はできませんが、 脱磁処理を施すことで、SEM観察や元素分析を行うことが出来ます。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■ネオジム磁石の脱磁とSEMによる断面観察(日立ハイテク社製TM3030Plus) ・脱磁処理(磁石は、着磁状態でのSEM観察が不可能なため、脱磁を実施) ・断面観察 ・EDXによる元素分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
各種条件下で撮影したSEM像をご紹介！SEMの観察条件による見え方の違いについて解説
SEM観察は、試料表面に照射した電子が試料の極表層で散乱することで 発生する二次電子や反射電子を検出器で捉え、像としてモニターに 映し出しています。 電子を捉える検出器には種類があり、それぞれの特長を生かした像が 得られ、加速電圧を変えることで見え方も変わります。 当資料では、各種条件下で撮影したSEM像をご紹介。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■反射電子像 ・高加速電圧による反射電子像(AsB検出器) ・低加速電圧による反射電子像(EsB検出器) ■二次電子像 ・加速電圧による見え方の違い ・検出器の位置による見え方の違い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像！表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備
ZEISS製の「FE-SEM ULTRA55」は、GEMINIカラムを搭載しており、 極低加速電圧で高分解能観察が可能な装置です。 検出器も複数搭載されており、さまざまなサンプルの観察が可能。 2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握ができ、低加速電圧でも ⾼分解能なEDX分析ができます。 【特長】 ■⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像 ■極低加速電圧による極表⾯分析 ■表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備 ■2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握 ■低加速電圧でも⾼分解能なEDX分析 ■無蒸着による観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
平面傾斜切削も可能な“ミクロトーム”など！様々な製品で使用されている塗膜の観察、分析例をご紹介
自動車、携帯電話等、様々な製品で使用されている塗膜の観察、分析例を ご紹介します。 「トリプルイオンポリッシャー(CP)」は、硬・軟材料の共存する試料であっても、 ダメージのない加工ができ、「ミクロトーム」は、断面作製のみならず、 平面傾斜切削も可能。 この他、「卓上斜め切削機」は、表面情報として元の厚みの6～300倍の サンプル面を取り出すことが可能で、「卓上型SEM(電子顕微鏡)」は、低真空下 での観察が可能なモード(帯電軽減)があり、揮発成分が出る試料の観察や 元素分析ができます。 【プラスチック皮膜(携帯電話のケース)の観察】 ■トリプルイオンポリッシャー(CP) ■ミクロトーム ■卓上斜め切削機 ■卓上型SEM(電子顕微鏡) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TEM・STEMの分解能が向上！4本の検出器でEDS分析が可能になるなど性能が大幅に強化
当社では、透過型電子顕微鏡システム FEI製「Talos F200E」を導入します。 従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能に なるなど性能が大幅に強化されます。 また、ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算する、ドリフト補正 フレーム積算(DCFI)なども搭載しております。 【仕様(抜粋)】 ■加速電圧：200kV、80kV ■TEMインフォメーションリミット：≦0.11nm ■STEM分解能：≦0.14nm ■ドリフト補正フレーム積算(DCFI) ・ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得
TEMは、薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 ■長所 ・サブナノレベルの空間分解能で拡大像が得られ、試料の微細構造・格子欠陥等を観察・解析可能 ・試料の結晶性を評価し、物質の同定を行うことが可能 ・ＦＩＢで試料作製することにより、デバイス内の指定箇所をピンポイントで観察することが可能 ・オプション機能を組み合わせることにより、局所領域の組成・状態分析なども可能 ■短所 ・試料を薄片化する必要がある（一部の試料において薄片化が困難な場合もある） ・単原子を見ているのではなく、試料の厚み方向（通常約0.1μm厚） の平均情報を映し出している ・試料加工および観察により、試料が変質・変形することがある
任意断面のEBIC測定で特徴があった箇所の直交断面観察
EBICとEBSDで電気的性質と結晶の関連性についての知見が得られますが、情報の深さが異なります。EBIC分布測定で電気的性質が特徴的であった箇所について、直交断面を作製し、奥行き方向のSTEM像観察を行いました。また、各結晶粒について電子回折を測定しました。これにより、電気的性質と結晶粒・結晶粒界の関係がより一層、明らかになりました。STEM観察および電子回折測定を行うことにより、特定箇所の結晶粒について局所的な情報を得ることが可能です。
低加速STEM観察とEELS測定による有機材料の分布状態評価
低加速STEM観察とSTEM-EELS面分析により、バルクへテロ接合型太陽電池の活性層の混合状態の評価を行いました。評価にはITO上に活性層のみを成膜した試料を用いました。 低加速STEM像（写真1）のコントラストはSTEM-EELS像のS、 Cの元素分布(写真2、 3)と対応しており、バルクヘテロ構造を反映していることが確認できました。また、Sの分布に偏りが認められ、表面側にP3HTが偏析していることも示唆されました。
超高分解能STEMによるCdS/CIGS接合界面高抵抗層の結晶構造評価
Csコレクタ付STEM装置を用いてCdS/CIGSヘテロ接合界面を直接観察しました。 TEM像・高分解能HAADF-STEM像および第一原理計算を用いたシミュレーションから、CIGSとCdSがヘテロエピタキシャル接合している様子が確認されました。
低加速電圧のSTEMを用いると有機膜のわずかな密度の違いが観えます
p型・n型材料の混合膜を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、高効率化のために膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。密度が低い膜（有機膜など）においては、TEM専用機を用いた高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることが困難です。 一方、わずかな密度の違いが反映される低加速電圧のSTEM像観察では膜内の混合状態が明瞭に観察できています。
InGaZnO4粒子の超高分解能STEM観察
Csコレクタ（球面収差補正機能）付きSTEM装置により、超高分解能観察（分解能0.10nm）が可能となりました。原子量に敏感なHAADF※-STEM像は多元系結晶構造を直接理解できる有効なツールです。今回、酸化物半導体中微粒子の評価を行いましたので紹介します。異種材料界面・化合物界面の原子配列、粒界偏析評価などに応用できます。 ※High-Angle Annular Dark-Field： 原子量（Z)に比例したコントラストが得られます。
低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます
密度が低い膜について、高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることは困難ですが、低加速電圧のSEM-STEM1)像では、わずかな密度の違いを反映し、組成コントラストをはっきりつけることができます。密度差・平均質量差・組成差が小さい有機EL膜・Low-k膜・ゲート酸化膜・TEOS膜・BPSG膜などに適用できます。 1) TEM専用機に比べて加速電圧が低いSEM装置によるSTEM観察 測定法：TEM・SEM 製品分野：LSI・メモリ・ディスプレイ・太陽電池・照明 分析目的：形状評価・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
FIBでの断面出し加工とSEMによる観察を細かく繰り返し、取得した像を再構築することで立体的な構造情報を得ることができます
FIB付き高分解能SEM装置を用い、FIBでの断面出し加工（Slice）とSEMによる観察（View）を細かく繰り返し、取得した像を再構築することで立体的な構造情報を得ることができます。また、SIM(Scanning Ion Microscope)像についても同様にSlice & Viewが可能です。 ・二次電子（Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、走査イオンSIM(Scanning Ion Microscope)の観察が可能
FIB加工技術を応用し、エナメル質／接着材界面の全景を観察
虫歯治療においては、「う窩」に詰める充填剤を歯質と一体化するため接着材が用いられます。接着材には歯との強固な接着力と、治療後長期にわたって口腔内に発生する酸や熱などに耐久していく性能が求められており、接着界面の観察は評価･検討のための有効な手段です。FIB加工技術を使用した作製法を用いることにより、従来のダイアモンドナイフを用いた超薄切片では得られなかった有効な成果を得ることができましたので紹介します。
充電前後の電極の様子およびLiの存在・分布を評価可能
Siは高容量負極活物質の候補の一つですが、充放電時の非常に大きな体積変化のためにサイクル劣化が激しいと言われています。 充電前後のSi負極に関して雰囲気制御環境下で解体、観察をしました。更に、FIBマイクロサンプリング法により断面観察用サンプルを作成し、Csコレクタ付きSTEM装置で形状観察とEELS測定を行い、Si電極の様子と電極中のLi分布を評価しました。
クライオSEM観察-EDX分析で溶液試料の構造を直接評価
熱に弱い有機材料や液体試料の内部構造を観察・分析するには、加工や電子線照射による温度上昇を抑え、試料本来の構造を保ったまま一連の分析を行う必要があります。 本事例では化粧品を評価サンプルとし、冷却環境を維持したまま断面FIB加工・SEM観察・EDX分析までの構造分析を行った事例をご紹介します。
