1.ZeDi＋抵抗Tr(VCEO=50V,IC=0.1A,R1=R2=47kΩ) RTE05N3M(Vz=3.8V),RTE09N3M(Vz=5.89V), RTE13N3M(Vz=8.64V) RTE20N3M(Vz=16.9V),RTE21N3M(Vz=18.9V), RTE25N3M(Vz=28.5V) 2.ZeDi(Vz=8.64)+MOSFET(N/P,VDSS,ID) RTE13K6M(N,30V,0.2A), RTE13K7M(N,30V,0.5A), RTE13K4M(N,60V,0.1A) RTE13KFM(N,60V,0.38A), RTE13J1M(P,50V,0.1A), RTE13J5M(P,50V,0.1A) 3.ZeDi+Tr RTE13LFM(Vz=8.64V、VCEO=50,IC=0.2A) 09N3M,RTE13N3M,RTE20N3M,RTE21N3M,RTE25N3Mi(Vz=28.5VMax)＋抵抗Tr

• トランジスタ

RTGN432P(VCEO=60±10V,IC=1A,R1=4.7kΩ,R2=10kΩ, SOT-89) RTGN234AP(VCEO=60±10V,IC=1A,R1=2.2kΩ,R2=10kΩ, SOT-89) RTGN131AP(VCEO=60±10V,IC=1A,R1=1kΩ,R2=1kΩ, SOT-89) RTGN141P(VCEO=60±10V,IC=1A,R1=10kΩ,R2=10kΩ, SOT-89) RTGN426AP(VCEO=60±10V,IC=1A,R1=0.47kΩ,R2=4.7kΩ, SOT-89) RTGN226AP(VCEO=60±10V,IC=1A,R1=0.22kΩ,R2=2.2kΩ, SOT-89) RTGN14BAP(VCEO=60±10V,IC=1A,R2=10kΩ, SOT-89) RTGN14BAC1(VCEO=60±10V,IC=1A,R2=10kΩ, SC-59)

• トランジスタ

□特長 　●入力パルス信号のDuty比により駆動DC電流調整が可能 　●駆動電流を外部抵抗にて調整可能 　●小型パッケージ（TMSOP8:2.9mm×4.0mm） □類似製品 　●RT8H114C (PWM発生回路) 　　→Duty比を調整可能なPWM発生回路になります。

• ASIC

□特長 　●セットの小型化、高密度実装可能 　●オフ時間の設定可能 　●光量調節可能 　●UVLO機能内蔵 　●過熱保護回路内蔵 　●オープン・ショート検知機能内蔵 　●小型パッケージ（TMSOP8:2.9mm×4.0mm） □類似製品 　●RT8H164C (LED駆動用IC) 　　→オープン・ショート検知機能未搭載verのLED駆動用ICになります。

• ASIC

【基本スペック】 極性：Pch VCEO：400V　※実力値は570V以上 VEBO：7V ID：0.2A PKG:TO-92S 【サージ耐量】 最弱端子にて、同耐圧クラス品の最大で4倍以上のサージ耐量を実現　(HBM:8kV以上,MM:3kV)

• トランジスタ

□特長 　●ローサイド過電流検出（負荷デバイスとGND間の過電流を検出する） 　●出力保持機能内蔵（リセット端子付） 　●オープンコレクタ出力 　●初期リセット機能あり（VCCが低いときにリセット信号印加） 　●タイマー機能内蔵 　●小型面実装パッケージ（SC-74；2.8mm×2.8mm） □類似製品 　●RT8H010C（ハイサイド検出型タイマーラッチ機能内蔵過電流検出IC：SC-74） ※電源ラインと負荷デバイス間の過電流を検出するタイプです。

• ASIC

【ラインナップ】 INKA114AC1(VDSS=38V、RDS(on)=1.1Ω、ID=0.55A、SC-59) INKA114AP1(VDSS=38V、RDS(on)=1.1Ω、ID=0.7A、SOT89) INKA114AS1(VDSS=38V、RDS(on)=1.1Ω、ID=0.５Ａ、TO‐92S) INKA214AC1(VDSS=38V、RDS(on)=0.2Ω、ID=1.5A、SC-59) INKA214AP1(VDSS=38V、RDS(on)=0.15Ω、ID=2.0A、SOT89) INKA214AS1(VDSS=38V、RDS(on)=0.125Ω、ID=2.0Ａ、TO‐92S)

• トランジスタ

PKG: SOT-89/SC59 最大定格: VCEO=60V, IC=1A 内部抵抗: 　R1=4.7kΩ, R2=10kΩ, RTGN432(P/AC1) 　R1=2.2kΩ, R2=10kΩ, RTGN234(AP/AC1) 　R1=1kΩ, R2=1kΩ, RTGN131(AP/AC1) 　R1=10kΩ, R2=10kΩ, RTGN141(AP/AC1) 　R1=0.47kΩ, R2=4.7kΩ, RTGN426(AP/AC1) 　R1=0.22kΩ, R2=2.2kΩ, RTGN226(AP/AC1) 　R1=なし, R2=10kΩ, RTGN14B(AP/AC1)

• トランジスタ

【基本スペック】 極性：Nch VDSS：500V VGSS：±30V ID：0.5A RDS(on)：max 25Ω PKG:SC-62(SOT-89) 【サージ耐量】 プロセス最適化により他社同クラス製品の約3倍のサージ耐量を実現　(HBM:3000V,MM:320V)

• トランジスタ

【ラインナップ】 INK040AAC2(VDSS=100V、RDS(on)=49mΩ、ID=4.1A、SC-59時のID=3.7A) INK0510AC2(VDSS=60V、RDS(on)=37mΩ、ID=5.0A、SC-59は無し) INK0410AC2(VDSS=60V、RDS(on)=61mΩ、ID=3.8A、SC-59時のID=3.5A) INK0210CC2(VDSS=60V、RDS(on)=211mΩ、ID=2.0A、SC-59時のID=2.0A) INJ0603AC2(VDSS=30V、RDS(on)=22mΩ、ID=6.0A、SC-59は無し) INJ0503BC2(VDSS=20V、RDS(on)=31mΩ、ID=5.1A、SC-59時のID=4.6A) INJ0410AC2(VDSS=60V、RDS(on)=47mΩ、ID=4.0A、SC-59は無し)

• トランジスタ

□特長 　●電圧の低下・上昇を監視するウィンドウタイプ 　●オープンコレクタ出力（ワイヤードORとしての使用も可能。） 　●外付け抵抗により検出電圧を自由に調整可能 　●検出回路にヒステリシスを設けており、チャタリングによる誤動作を防止。 　●出力は電圧低下検出及び過電圧検出で独立しており、各々の信号を取り出す事も可能。 　●６pin小型面実装パッケージ（SC-74；2.8mm×2.8mm） □類似製品 　●RT8H162C（2入力2出力基準電圧内蔵2chコンパレータ：SC-74） 　●RT8H202C（2入力1出力基準電圧内蔵2chコンパレータ&基準電圧端子付き：SC-74） 　●RT8H151C（閾値外部設定可能ウィンドウコンパレータ (中間電圧時:出力H)：SC-74）

• 専用IC

【ラインアップ】 ○駆動電圧1.5V製品 ■INJ0043AM1(SC70、VDSS=-20V、ID=-0.55A、Ron=6.0Ω) ■INK0043AM1(SC70、VDSS=20V、ID=0.70A、Ron=0.97Ω) ○駆動電圧1.8V製品 ■INJ0103AC1(SC59、VDSS=-20V、ID=-0.55A、Ron=1.6Ω) ■INJ0103AM1(SC70、VDSS=-20V、ID=-0.55A、Ron=1.6Ω) ■INJ0103AU1(SC75、VDSS=-20V、ID=-0.55A、Ron=1.6Ω) ■INK0103AC1(SC59、VDSS=20V、ID=0.70A、Ron=0.76Ω) ■INK0103AM1(SC70、VDSS=20V、ID=0.70A、Ron=0.76Ω) ■INK0103AU1(SC75、VDSS=20V、ID=0.60A、Ron=0.76Ω) ■INK0203AC1(SC59、VDSS=20V、ID=2.0A、Ron=0.2Ω) ■INK0100AC1(SC59、VDSS=60V、ID=1.4A、Ron=0.5Ω)

• トランジスタ

【ラインアップ】 INK0210AP1(VDSS:60V、ID:2A) INK0310AP1(VDSS:60V、ID:2.5A) INK0410AP1(VDSS:60V、ID:3.5A) INK0512AP1(VDSS:30V、ID:4.5A) INK0512CP1(VDSS:30V、ID:6.5A) INK040AAP1(VDSS:100V、ID:6A) INK021AAP1(VDSS:100V、ID:2A) INK011BAP1(VDSS:150V、ID:1.2A) INJ021AAP1(VDSS:-100V、ID:-1.2A) INJ0212AP1(VDSS:-30V、ID:-2.3A) INJ0203BP1(VDSS:-20V、ID:-2.6A) INJ0312AP1(VDSS:-50V、ID:-2A) INJ0310AP1(VDSS:-60V、ID:-3A) INJ0512AP1(VDSS:-30V、ID:-4.6A)

• トランジスタ

□特長 ●UVLO機能・・・・・・VCC=約4V以下で検出。 ●DIM端子への信号入力による調光機能●動作電圧範囲 4.5～37V ●加熱保護機能●CT端子に容量・抵抗を改部接続でオフ時間の設定が可能 ●小型面実装パッケージ（SC-74；2.8mm×2.8mm） □類似製品 ●LED駆動回路『RT8H094C』 　→LEDの調光方法がRT8H164Cと異なり, DIM端子がない代わりに, 内蔵電源を0.2V以下に設定できる機能が付いています。●LED駆動回路『RT8H084C』　→調光方法はRT8H094Cと同様。UVLOの閾値が上記2品種と異なり, VCC=約6.5V以下で検出します。

• 専用IC

ICS1065AF2　TO220H-2、VR:650V、IF:10A、IFSM:30A ICS2065AF2　TO220H-2、VR:650V、IF:20A、IFSM:56A ICS1012AF2　TO220H-2、VR:1200V、IF:10A、IFSM:40A ICS2065AW2　TO247-3、VR:650V、IF:10/20*A、IFSM:30/60*A ICS4065AW2　TO247-3、VR:650V、IF:20/40*A、IFSM:56/110*A ICS2012AW2　TO247-3、VR:1200V、IF:10/20*A、IFSM:40/80*A ICS1065CF2　TO220H-2、VR:650V、IF:10A、IFSM:60A ICS1012CF2　TO220H-2、VR:1200V、IF:10A、IFSM:100A ICS2065CW2　TO247-3、VR:650V、IF:10/20*A、IFSM:60/120*A ICS2012CW2　TO247-3、VR:1200V、IF:10/20*A、IFSM:100/200*A *Per leg/Both legs

• ダイオード

□パッケージラインアップ ●SC-74(6pin：2.8mm×1.5mm) ●ESON8(8pin：2.0mm×2.0mm) ●TMSOP8(8pin：2.9mm×2.8mm) ●SSOP14(14pin：5.0mm×4.4mm) □仕様概略 ●プロセス：高耐圧バイポーラプロセス 　　　　　　 　高耐圧CMOSプロセス(開発中) ●電源電圧 ：40Vmax(定格：バイポーラ) 　　　　　　 　28Vmax(定格：CMOS) ●許容損失：150mW(ESON8) 200mW(SC-74、TMSOP8) 300mW(SSOP14) ●動作周囲温度：-40～125℃ ●接合部温度：150℃

• 専用IC

【ラインアップ】 ■INTB3V6AC1(VBR=3.6V) ■INT05V3AM1(VBR=5.6V) ■INTB5V6AC1(VBR=5.6V) ■INT05V3BC1(VBR=5.6V) ■INT06V4BS1(VBR=6.8V) ■INT06V4BM1(VBR=6.8V) ■INTB8V2AC1(VBR=8.2V) ■INTB18VAC1(VBR=18V) ■INTB27VAC1(VBR=27V)

• ダイオード

【ラインアップ】 ■2SC5477(fT=1.1GHz) ■2SC5626(fT=1.1GHz) ■2SC5619(fT=4.5GHz) ■2SC5620(fT=4.5GHz) ■2SC5621(fT=4.5GHz) ■2SC5634(fT=8GHz) ■2SC5635(fT=8GHz) ■2SC5636(fT=8GHz)

• トランジスタ

【【ラインアップ(一部)】 ■INJ0003AU1(Pch 20V/0.55A,SC-75A) ■INK0010AU1(Nch 60V/0.1A,SC-75A) ■INJ0011AM1(Pch 50V/0.1A,SC-70) ■INK0010AU1(Nch 20V/0.7A,SC-70) ■INJ0103AC1(Pch 20V/0.55A,SC-59) ■INK0010AC1(Nch 60V/0.26A,SC-59)

• トランジスタ

□特徴 ●電源電圧低下検出（VSA＝4.2V±4％） ●外付け抵抗で任意電圧を設定可能な電圧低下検出 （VSB＝1.23V±4％） ●解除時ヒステリシス特性付(VSA、VSBのみ） ●リセット解除時の遅延時間を任意に設定可能 ●過電圧検出回路等の構成が可能なコンパレータ内蔵 （オープンコレクタ出力） ●低消費電流（ICC=0.4ｍA標準＠VCC=5V） ●小型パッケージ（TMSOP8:2.9mm×4.0mm） □類似製品 　●過電流・過電圧検出IC 『RT8H020C』 ●タイマーラッチ機能内蔵過電圧検出IC『RT8H060C』過電圧検出時　出力High ●タイマーラッチ機能内蔵過電圧検出IC『RT8H070C』過電圧検出時　出力Low

• ASIC

□特長 ●RT8H151Cの2個相当をTMSOP8パッケージにて1パッケージ化 ●動作電圧範囲 3～36V ●同相入力電圧範囲 0～VCC-1.5V ●ウインドウ電圧範囲（2CH共通）を外部にて設定可能 ●オープンコレクタ出力（ウインドウ電圧範囲内の時、出力High） □類似製品 　●ウィンドウコンパレータ(中間電圧時:出力H)『RT8H151C』 　●ウィンドウコンパレータ(中間電圧時:出力L)『RT8H141C』

• ASIC

□特長 　●動作電圧範囲　3～14V 　●任意の検出電圧の設定が可能 　●出力保持機能内蔵（リセット端子付） 　●任意の時間設定が可能なタイマー機能内蔵 　●オープンコレクタ出力 　　　RT8H060C；過電圧検出時　出力High 　　　RT8H070C；過電圧検出時　出力Low 　●小型面実装パッケージ（SC-74；2.8mm×2.8mm） □類似製品 　●過電流・過電圧検出IC 『RT8H020C』

• ASIC
• 専用IC
• その他半導体

□特長 　●過電流・過電圧のどちらか一方の入力異常検出により異常信号を出力 　●ヒステリシス内臓(過電流保護のみ) 　●オープンコレクタ出力 　●小型面実装パッケージ（SC-74；2.8mm×2.8mm） □類似製品 　●タイマーラッチ機能内蔵 過電流検出IC 『RT8H010C』 　●タイマーラッチ機能内蔵 過電圧検出IC 『RT8H060C』、『RT8H070C』

• ASIC
• 専用IC
• その他半導体

□特長 　●任意の電流設定が可能 　●出力保持機能内蔵（リセット端子付） 　●任意の時間設定が可能なタイマー機能内蔵 　●オープンコレクタ出力 　●小型面実装パッケージ（SC-74；2.8mm×2.8mm） □類似製品 　●過電流・過電圧検出IC 『RT8H020C』

• ASIC
• 専用IC
• その他半導体

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• コンバーター
• スイッチング電源
• 電源

PFCコンバータやDCDCコンバータ、インバータ等、ご要望に応じて各ブロックを柔軟に組み合わせトータルシステムとしてご提案いたします。

• スイッチング電源

【ターゲット SiCMOSFET モジュール】 FMF600DXZ-24B/FMF800DXZ-24B FMF1200DXZ-24B/FMF300DXZ-34B FMF300BXZ-24B/FMF400BXZ-24B FMF400DY-24B etc. ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

【ターゲットIGBTモジュール】 ■600/650Vシリーズ、～600Aクラス ■1200Vシリーズ、～1400Aクラス ■1700Vシリーズ、～1800Aクラス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

【ターゲットIGBTモジュール】 ●600/650Vシリーズ、～600Aクラス ●1200Vシリーズ、～3600Aクラス ●1700Vシリーズ、～3600Aクラス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

【ターゲット SiC モジュール】 ■3300Vシリーズ、～750Aクラス ・FMF375DC-66A （三菱電機株式会社製HVフルSiCモジュール） ・FMF750DC-66A （三菱電機株式会社製HVフルSiCモジュール） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

【ターゲットIGBTモジュール】 ■600Vシリーズ、～600Aクラス ■1200Vシリーズ、～3600Aクラス ■1700Vシリーズ、～3600Aクラス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

【ターゲットIGBTモジュール 】 ■3300Vシリーズ、～600Aクラス ・CM450DC-66X（三菱電機株式会社製 HVIGBT モジュール） ・CM600DC-66X（三菱電機株式会社製 HVIGBT モジュール） ・CMH600DC-66X（三菱電機株式会社製ハイブリッド SiC モジュール） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

【ターゲットIGBTモジュール】 ■4.5kVシリーズ、～1500Aクラス ・CM1200HG-90R（三菱電機株式会社製HVIGBTモジュール） ・CM1350HG-90X（三菱電機株式会社製HVIGBTモジュール） ・CM1500HG-90X（三菱電機株式会社製HVIGBTモジュール） ■3.3kVシリーズ、〜1800Aクラス ・CM450DE-66X （三菱電機株式会社製HVIGBTモジュール） ・CM600DE-66X （三菱電機株式会社製HVIGBTモジュール） ・CM1800HG-66X （三菱電機株式会社製HVIGBTモジュール） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源

【ターゲットIGBTモジュール】 ■VCES : 1200V/1700V, ~800A クラス 薄型デュアルタイプ IGBTモジュール ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• LEDモジュール

【ターゲットIGBTモジュール】 ■VCES：4500V、450Aクラス HV100タイプ ■VCES：3300V、600Aクラス HV100タイプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

【ラインアップ(一部)】 ■INJ0303CC1 ■INJ0303AC1 ■INJ0503BC1 ■INJ0203CC1 ■INJ0203AC1 ■INJ0203BC1 ■INJ0512AC1 ■INJ0512BC1 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• DCモータ
• LEDモジュール
• トランジスタ

【ラインアップ(一部)】 ■SC-59 ・INKE111AC1 ・INKE211AC1 ■SOT-89 ・INKE211AP1 ・INKE211BP1 ・INKE211CP1 ・INK021ABP1 ■TO-92S ・INK021ABS1 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• ダイオード
• トランジスタ