【その他の特長】 ■実行中プロセスの観察 ■タッチスクリーン操作による全てのプロセスへのアクセスと 　容易な視覚的プログラミング ■プロセスモジュールによる個別構成 ■フルオートまたはセミオートを選択可能な装置バリエーション ■広範囲ボンディングエリア ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• ボンディング装置

【主な仕様】 ○搭載精度：0.5μm ○光学視野範囲：0.54mm×0.43mm(最小)、6.6mm×5.28mm(最大) ○θ微動調整範囲：±15° ○Z高さ調整範囲：10mm ○ワーキングエリア：190mm×52mm ○加重範囲：0.1N～400N ○最大加熱温度：450℃ ○装置サイズ：660mm×610mm×640mm(本体) ○ギ酸ガスプロセスにも対応 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• ボンディング装置

【主な仕様】 ○搭載精度：±0.5μm ○光学視野範囲：3.8mm(拡張83mm) x 2.7mm ○光学視野解像度：1μm/pix ○対応チップサイズ：0.1mm x 0.1mm～80mm x 100mm ○対応基板サイズ(最大)：300mm x 300mm ○θ調整範囲：±15°(±2°微調) ○Z高さ調整範囲：10mm ○ワーキングエリア：440mm x 150mm ○ボンディング荷重(最大)：1000N ○加熱温度(最大)：450℃ ○真空バキュームチャンバープロセス対応 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

• ボンディング装置

※製品カタログと技術資料をダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他

【主な仕様】 ○搭載精度：±0.5μm @ 3Sigma ○光学視野範囲：3.8mm x 2.7mm ○光学視野解像度：1μm/pix ○拡大視野範囲：103.8mm x 2.7mm ○対応チップサイズ(最小)：0.03mm x 0.03mm～100mm x 100mm ○θ微調整：±9°/ 3.5μrad ○Z移動 / 精度：10mm / 0.2μm ○Y移動 / 精度：150mm / 0.1μm ○X移動 / 精度：450mm / 0.1μm ○基板加熱温度：500℃ ○ボンディング荷重範囲：0.05N ～ 1000N ※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

• その他半導体製造装置

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他半導体製造装置

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• その他半導体製造装置

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• その他半導体製造装置

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• その他実装機械

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• その他実装機械

※事例の詳細内容は、PDF資料より閲覧いただけます。 　詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他実装機械

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• その他実装機械

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• その他実装機械

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• その他実装機械

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• その他実装機械

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• その他実装機械

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• その他実装機械

【ファインテック社のソリューション】 ○0.5µmのボンディング位置精度 通常は能動型アライメントが光学素子実装アプリケーションには使用されますが、ファインテック社のダイボンダーでは、高精度なアライメントと実装位置制御を、光学部品に対して容易に実行できる為、VCSELアレーとPDアレーを完全な平衡度を保持して実装できます。 ○独自のピックアップツールを提供 サブミクロンの位置精度を確保しつつ、VCSEL、PDアレーなどを基板に対して、フェースアップの状態で実装が可能な、ファインテック社独自のピックアップツールを提供する事ができます。位置精度の向上とタクトタイムの向上に大いに寄与する事ができます。 ○視野範囲の拡張 + 高倍率でのアライメント 微小な部品は高倍率で認識される必要があります。その為視野は小さくなり、パターン認識の自由度に制限をかけていました。ファインテック社のダイボンダーでは、光学シフト機能により大型部品、大型基板の全ての領域を高解像度にて補足する事ができます。200µm x 3000µm又はそれ以上の大きさのVCSELやPDアレーを高精度で実装可能です。

• ボンディング装置

【ファインテック社のソリューション】 ○高精度ダイボンディング装置FINEPLACER　sigmaを用いた3Dパッケージング技術 ファインテック社は、多数のバンプ(最大143,000個)、狭小ピッチ幅（25ミクロン幅まで）、微小バンプ径（13ミクロン径まで）で構成されるダイ、チップを3次元積層技術に関連する各プロセスを用いて、高精度で実装する事を達成しました。 ＊プリ・アンダーフィルを使っての熱圧着ボンディング ＊液化固化拡散ボンディング方法 Solid Liquid Interdiffusion Bonding (SLID) ＊熱圧着ボンディング (金属-金属間) ＊共晶ボンディング

• ボンディング装置

【ファインテック社のソリューション】 ○シリコンサブ基板にレンズを実装 (接着材ボンディング) 1. V形溝へ接着剤を高精度に塗布 2. V形溝にレンズを高精度実装 ○TEC をパッケージの底面に実装 (鉛フリーハンダ工法) 1. プリフォームをパッケージ底面に置く 2. プリフォームの上に TEC を実装する 3. フォーミングガスを使用してのソルダリング ○シリコンサブ基板を TEC 上に実装 (鉛フリーハンダ工法) 1. TEC の上にプリフォームを置く 2. レンズとパッケージレンズを調整する（X軸、Y軸方向） 3. プリフォームの上にサブ基板を置く 4. フォーミングガスを使用してのソルダリング ○フレックスコンタクトをコンタクトストリップに装着（熱圧着ボンディング） 1. 実装面のアライメント（X軸、Y軸方向） 2. 熱圧着法によりフレックスコンタクトを TOSA のインサートに実装

• ボンディング装置

【ファインテック社のソリューション】 ○高精度のダイボンディングには、正確な倍率と解像度が必要です。どちらが欠けてもサブミクロンでの実装を達成することは不可能となります。 ○高倍率のみを達成した場合、アライメント画像はぼやけた(ノイズ信号を拡大した)イメージとなり、再現性は保たれません。 ○逆に低倍率で高解像度の場合では、アライメント画像は非常に小さいイメージとなり高精度の実装はほぼ不可能となります。 ○ファインテック社のダイボンダーは、正確な倍率と高度な解像度を備えた最高品質の光学系技術を採用し、サブミクロン精度を達成するために必要な、シャープなアライメント画像を提供します

• ボンディング装置

【ラインアップ】 ■サブミクロン対応 高精度ボンディング装置「FINEPLACER lambda」 ・多様化するプロセスと開発技術 ・即効性のある装置対応 ・モジュールシステムによる容易なアップグレード ・ハイコストパフォーマンス ■全自動高精度ボンディング装置「FINEPLACER femto 2」 ・全自動操作環境 ・再現性の高いプロセス ・高速化スループット対応 ・共晶ハンダ、接着剤方式など各種実装技術に対応 【対応プロセス】 ■熱圧着ボンディング ■熱/超音波ボンディング ■超音波ボンディング ■共晶ソルダリング（AuSn、インジウム、C4） ■接着剤方式 ■UV/サーマルキュアリング ■バンプ実装 ■Cuピラー実装 ■メカニカルアセンブリー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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• その他

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• その他の各種サービス

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• その他実装機械

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• その他組込み系（ソフト＆ハード）

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• 分析機器・装置

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• その他実装機械

【主な仕様】 搭載精度：±0.5μm＠3Sigma 光学視野範囲：3.8mm×2.7mm 光学視野解像度：1μm / pix 対応チップサイズ：(最小)0.03mm×0.03mm～(最大)100mm×100mm θ微調整：±9°/ 3.5μrad X移動/精度：660mm / 0.02μm Y移動/精度：150mm / 0.02μm Z移動/精度：10mm / 0.02μm 基板加熱温度：500℃ ボンディング荷重範囲：0.05N～1000N ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

• その他半導体製造装置

※製品カタログと技術資料をダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他

【主な仕様】 ○搭載精度：0.5μm ○光学視野範囲：0.54mm×0.43mm(最小)、6.6mm×5.28mm(最大) ○θ微動調整範囲：±15° ○Z高さ調整範囲：10mm ○ワーキングエリア：190mm×52mm ○加重範囲：0.1N～400N ○最大加熱温度：450℃ ○装置サイズ：660mm×610mm×640mm(本体) ○ギ酸ガスプロセスにも対応 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【主な仕様】 ○搭載精度：±0.3μm @ 3Sigma ○光学視野範囲：3.8mm x 2.7mm ○光学視野解像度：1μm/pix ○対応チップサイズ(最小)：0.03mm x 0.03mm～100mm x 100mm ○θ微調整：±9°/ 3.5μrad ○Z移動 / 精度：10mm / 0.2μm ○Y移動 / 精度：150mm / 0.02μm ○X移動 / 精度：660mm / 0.02μm ○基板加熱温度：500℃ ○ボンディング荷重範囲：0.05N ～ 1000N ※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

• その他半導体製造装置

【主な仕様】 ○搭載精度：±0.5μm ○光学視野範囲：3.8mm(拡張83mm) x 2.7mm ○光学視野解像度：1μm/pix ○対応チップサイズ：0.1mm x 0.1mm～80mm x 100mm ○対応基板サイズ(最大)：300mm x 300mm ○θ調整範囲：±15°(±2°微調) ○Z高さ調整範囲：10mm ○ワーキングエリア：440mm x 150mm ○ボンディング荷重(最大)：1000N ○加熱温度(最大)：450℃ ○真空バキュームチャンバープロセス対応 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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