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光を用いた計測・分析機器の開発で培った技術を活かし、先端技術を支える装置・測定技術・応用例を中心に解説するWebセミナーを開催いたします。 ぜひ、ご参加ください。
半導体のCMP(研磨)プロセスにおける静電相互作用は、研磨レートやウェーハ表面の欠陥やパーティクルの発生に影響を与えます。そこでスラリーの分散性やウェーハ表面のゼータ電位を測定することで、その吸着性や洗浄性などの静電相互作用の評価法について解説します。また、半導体プロセスにおけるウェーハの品質評価技術として、当社が提供する膜厚や表面構造の評価例をご紹介します。
光の波長より十分に小さい粒子によって散乱される光はレイリー散乱と言われており、この領域の大きさのサンプルの絶対散乱光強度を単一粒子からの散乱光強度で除算することで、粒子濃度が算出されます。 今回、粒子径の異なるポリスチレンラテックス（28nm ～ 2900nm）分散液の絶対散乱光強度を求め、理論式より粒子濃度の算出を試みました、 レイリー散乱領域を超えた大きさまで粒子濃度の評価可能であることがわかりました。また、1μｍ以上になると測定値から乖離する結果となっています。
通常の動的光散乱測定では後方か側方のいずれか1方向の散乱角度で測定を行い、粒子径を求めますが、多角度測定では後方・側方・前方の3角度で動的光散乱測定を行います。各角度で測定した散乱光強度の自己相関関数に対して最適解となる粒子径分布を解析します。これにより、１角度での粒子径分布解析では困難であった隣接した粒子径分布の分離能が向上し、粒子径分布の分離が可能になります。
水の中に油が分散するものをO/W(Oil-in-water)エマルション、油の中に水が分散するものをW/O(Water-in-oil)エマルションと区分されます。これらエマルションは、食品、化粧品、塗料、医薬品などで用いられています。その粒子径および分散性は、製品の機能性や安定性を決める因子として重要です。今回、エマルションの測定例として、0.1wt%のドデシル硫酸ナトリウム(SDS)を用いて大豆油を0.01vol%に調製したものを溶媒とし、超音波ホモジナイザーを用いてO/Wエマルションを作成し超音波処理時間を0.5 ～ 10分間と変化させ粒子径測定を行いました。超音波処理時間が。2 ～10分では、処理時間が増えるごとに平均粒子径および多分散指数が減少しています。このことから長時間超音波処理を行うことでより微細で単分散なエマルションとなっていることが分かります。このように粒子径測定を行うことで作成したエマルションが目的の粒子径であるかの確認や分散性の評価が可能です。
粒子径・ゼータ電位の基礎を知りたい方必見！ 原理がよくわからない、測定していて結果は出ているがどうやって測定しているのかわからない、 装置を検討するうえで勉強しておきたいなどの基礎的な知識習得を目的とした内容になっています。 さらに、粒子径・ゼータ電位のアプリケーションを最新機種ELSzneoのデータを交えてご紹介します。
多くのコロイド分散系においては、ｐHを変化させることによって、様々な特性が現れます。ｐHタイトレーション測定は、単一測定条件下は得られなかった材料の物性情報が得られます。この方法は、再現性の高いプロセスコントロールの追及に不可欠で、無機粉体、セラミックス、汚水処理、洗浄、繊維、化学工業、バイオ、食品等の分野で幅広く利用されています。
超複屈折フィルムなど、従来方式では10,000nｍ程度までしか測定できなかったが、高精度多波長測定および独自のアルゴリズムにより60,000nmまで測定可能。また、多波長をワンショットで測定できるため約１秒で測定可能。
近年、様々な機能を持つ高機能フィルムを用いた製品が一般に普及しており、用途によってはフィルム表面に耐摩擦、耐衝撃、耐熱、耐薬品などの性能を持つ保護フィルムが必要になることもあります。保護フィルム層としてハードコート(HC)膜を製膜することが一般的ですが、HC膜の厚みによって保護フィルムとして機能しなかったり、フィルムにそりが生まれたり、見た目のムラや歪みの原因になるため、HC層の膜厚値を管理する必要があります。
液晶ディスプレイなどに用いられる透明電極材料であるITO（Indium-tin-oxide）は、製膜後のアニール処理（熱処理）によって導電性や色味が向上します。その際、酸素状態や結晶性も変化しますが、この変化は膜の厚みに対して段階的に傾斜変化することがあり、光学的に組成が均一な単層膜として見なすことができません。 このようなITOに対し、傾斜モデルを用いて、上部界面と下部界面のnkから、傾斜の度合いを測定した事例を紹介します。
大塚電子は新素材解析のコアテクノロジーである光散乱技術を 幅広い分野に応用した分析機器をご用意しております。 粒子径・ゼータ電位・粒子濃度・分子量・分離分析・マイクロレオロジーの 測定・分析・評価といったアプリケーションを多数掲載した事例集を ダウンロードいただけます。 【分析機器のアプリケーションデータ(抜粋)】 ■フラーレンの粒子径評価 ■陰イオン界面活性剤によるカーボンナノチューブの分散評価 ■偏光解消動的光散乱法によるカーボンナノチューブの軸比の評価 ■各種分散剤によるカーボンナノチューブの分散評価 ■カーボンナノホーンの開孔処理の評価 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
大塚電子は新素材解析のコアテクノロジーである光散乱技術を 幅広い分野に応用した分析機器をご用意しております。 粒子径・ゼータ電位・粒子濃度・分子量・分離分析・マイクロレオロジーの 測定・分析・評価といったアプリケーションを多数掲載した事例集を ダウンロードいただけます。 【分析機器のアプリケーションデータ(抜粋)】 ■導電性高分子(PEDOT/PSS)の特性評価 ■O/Wエマルションの粒子径測定 ■シクロヘキサン中のポリスチレンの温度グラジエント評価 ■粒子径が隣接したサンプルの多角度粒子径測定 ■粒子径が異なるポリスチレンラテックスの粒子個数測定 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
大塚電子は新素材解析のコアテクノロジーである光散乱技術を 幅広い分野に応用した分析機器をご用意しております。 粒子径・ゼータ電位・粒子濃度・分子量・分離分析・マイクロレオロジーの 測定・分析・評価といったアプリケーションを多数掲載した事例集を ダウンロードいただけます。 【分析機器のアプリケーションデータ(抜粋)】 ■ノンホモ牛乳・低脂肪乳・一般牛乳の粒子径評価 ■牛乳の温度変化による粒子径評価 ■牛乳・豆乳のpHタイトレーション測定による等電点評価 ■無調整豆乳と調整豆乳の粒子径評価 ■缶コーヒーの粒子径評価 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
大塚電子は新素材解析のコアテクノロジーである光散乱技術を 幅広い分野に応用した分析機器をご用意しております。 粒子径・ゼータ電位・粒子濃度・分子量・分離分析・マイクロレオロジーの 測定・分析・評価といったアプリケーションを多数掲載した事例集を ダウンロードいただけます。 【分析機器のアプリケーションデータ(抜粋)】 ■エクソソームの粒子径・粒子濃度・ゼータ電位測定 ■細菌から生産された細胞外膜小胞の粒子径、粒子濃度、ゼータ電位評価 ■タンパク質フォールディングの介添え役シャペロニンの粒子径評価 ■超遠心機を用いたタンパク質会合体の分離分析 ■分子量の異なるタンパク質の粒子径評価 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
各種フィルム上コート膜などの反射率測定および膜厚などの測定が可能。 測定可能膜厚範囲は 65nm～92μmと薄膜から厚膜まで対応しております。（屈折率1.5の場合） 測定原理は分光干渉方式のため、高い測定再現性を実現しつつ多層厚み測定にも対応しております。独自アルゴリズムの採用により高速でリアルタイムにモニタリングが可能なため、インラインフィルムモニターとして最適なシステムをご提案いたします。 【特長】 ■プロセス中の薄膜高速測定に最適 ■最短露光時間1ms～ ※仕様による ■リモート測定に対応 ■膜厚測定範囲65nm～92μm（SiO2換算） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
各種フィルム上コート膜などの透過率測定および吸光度、色などの測定が可能です。 仕様により膜厚測定も可能であり、測定可能膜厚範囲は 65nm～92μmと薄膜から厚膜まで対応しております。（屈折率1.5の場合） 測定原理は分光干渉方式のため、高い測定再現性を実現しつつ多層厚み測定にも対応しております。独自アルゴリズムの採用により高速でリアルタイムにモニタリングが可能なため、インラインフィルムモニターとして最適なシステムをご提案いたします。 【特長】 ■プロセス中の薄膜高速測定に最適 ■最短露光時間1ms～ ※仕様による ■リモート測定に対応 ■膜厚測定範囲65nm～92μm（SiO2換算） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
測定可能膜厚範囲は 65nm～92μmと薄膜から厚膜まで対応しております。（屈折率1.5の場合） 測定原理は分光干渉方式のため、高い測定再現性を実現しつつ多層厚み測定にも対応しております。独自アルゴリズムの採用により高速でリアルタイムにモニタリングが可能なため、インラインフィルムモニターとして最適なシステムをご提案いたします。 【特長】 ■プロセス中の薄膜高速測定に最適 ■最短露光時間1ms～ ※仕様による ■リモート測定に対応 ■膜厚測定範囲65nm～92μm（SiO2換算） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
DLC(diamond‐like carbon)はアモルファス（非晶質）な炭素系材料です。高硬度・低摩擦係数・耐摩耗性・電気絶縁性・高バリア性・表面改質やDLCの厚み測定は断面を電子顕微鏡にて観察する破壊検査が一般的でしたが、大塚電子の光干渉式膜厚計であれば非破壊かつ高速に測定が可能です。 独自の顕微鏡光学系を採用することで、形状のあるサンプルの実測定が可能になりました。
従来法では困難であった極薄膜領域下(100nm以下)でのnk解析ですが、複数点解析機能により、精度良くnk解析が可能です。（特許取得済 第5721586号） 最小二乗法でフィッティングをして膜厚値（ｄ）を解析するには材料のnkが必要です。nkが未知の場合、d とnkの両方を可変パラメータとして解析します。 しかしながら、ｄ が100nm以下の極薄膜の場合、ｄ とnkとを分離することができず、そのため精度が低下して正確な ｄ が求められないことがあります。 このような場合、ｄ の異なるサンプルを複数測定し、nkが同一であると仮定して同時解析（複数点同一解析）をします。これにより精度よくnkを求め、正確な ｄ を求めることが可能です。
屈折率の波長分散を考慮したFFT法によって、厚膜においても従来法に比べ、より真値に近い解析結果が得られます。（特許取得済 第4834847号）
サンプル表面に粗さがある膜の場合は、膜の理論反射率と異なるため解析が難しくなります。 OPTMでは粗さ層はEMA法（有効媒質近似法）でモデル化して評価することが可能です。
OPTMでは単一層内に存在する厚み方向で屈折率が変化する膜の解析に対応しております。
フィルムやガラス等の透明な基板サンプルの場合、基板の裏面からの反射の影響を受けると正確な測定ができません。 OPTMシリーズの反射対物レンズを使用すると、物理的に裏面反射を除去することができ、透明基板でも高精度に測定ができます。 また、フィルムやSiC等の光学異方性をもつサンプルに対してもその影響を受けること無く上面の膜のみの測定を行うことが可能です。 （特許取得済 第5172203号）
反射分光法は他の膜厚測定方法と比較して、薄膜対応、測定時間、非接触性、前処理や検量線不要、多層膜対応、光学定数解析などの点でメリットがございます。 一度お試し測定をしてみてはいかがでしょうか？
自社開発分光器と２軸のゴニオメータを使用することで照明器具やランプの配光データと一緒に光源色データを高精度に測定することを実現しました。室内照明から投光器まで幅広い照明器具を取り扱え、マルチパーパスな要求に応える装置です。角度ごとの分光測定でも照度計タイプのV(λ)受光器と同等の高速測定を実現しました。配光測定結果から照明率解析も可能です。また、球帯係数法により分光全放射束と全光束および色度、色温度などの光源色データを求めることができます。本システムは、北米照明学会（IES）のLM-75のType B、Type Cに対応しています。更に、システムの校正に欠かせない光度標準ランプは、光のJCSS登録事業者である弊社の光計測評価センターより供給可能です。
積分球と分光器との組み合わせで、照明器具や各種ランプの分光全放射束、全光束から演色性評価などの光源色評価まで幅広く対応可能です。ダウンライトなどの2π配光光源の測定に有効な積分半球（HalfMoon）を使ことで加熱冷却をコントロールして温調しながらの測定が容易に実施できます。また、直流・交流電源をコントロールするようにシステムアップすることで、L-I-V測定、パルス幅変調（PWM）調光などを含むパルス点灯測定、温度特性測定などが一括制御下で面倒な操作が不要になります。測定部である積分球と積分半球の大きさは、測定する照明器具やランプの大きさや形状に応じてφ250mmからφ2000mmまでラインアップしています。検出器部である分光器には広いダイナミックレンジを有するMCPD-9800シリーズを採用しており、数ルーメンの低強度ランプからワットクラスのハイパワーレーザー光源まで対応可能です。なお、本システムは、北米照明学会（IES）のLM-79とLM-80とに準拠しています。
一般に市販されているプリンター用インクは、分散安定性を向上させるために、少量の分散剤が添加されています。これらインクの分散性を評価するために、ゼータ電位や粒子径測定が行なわれています。しかし、今までは溶媒のみで希釈して測定されていました。このような処理では添加剤濃度が薄まり、本来の特性から異なる評価がされてしまうことが考えられます。この問題を解決するために、超遠心分離機で分離させた上澄み液を希釈溶媒として使用し添加剤濃度が変わらない状態でゼータ電位および粒子径測定を試みました。
各種有機顔料はプリンタ用インクなどに使用されています。インクが凝集し固まってしまうと色ムラにつながるため、製品寿命や品質向上のためにインクの分散性条件の検討に粒径分布が測定されています。今までは溶媒で希釈して測定されていましたが、このような処理では濃度が薄まり、本来の特性から異なる評価がされてしまうことが考えられます。 図のデータは実際使用している顔料の原液あるいは原液に近い高濃度状態で粒径分布を測定した例です。
『SM-100 series』は高精度かつ簡単に持ち運び・操作ができる膜厚計です。 現場での抜き取り検査や成膜条件の検討にも柔軟に対応が可能。 基材(ガラス・プラスチック)を選ばず、形状のあるサンプルも非破壊で測ることができます。 ■持ち運び可能なハンディタイプ ■高精度測定＆簡単測定 ■多層膜も対応 ■非破壊・非接触測定 ■様々なサンプルを測定 ※詳しくは＜PDFダウンロード＞より資料をご覧ください。 デモ機を無料貸し出し中！＜お問い合わせ＞よりお申し込みいただけます。
半導体トランジスタは電流の通電状態を制御することで信号を伝達していますが、電流が漏れたり別のトランジスタの電流が勝手な通路を通り回り込むことを防止するために、トランジスタ間を絶縁するための絶縁膜が埋め込まれています。 絶縁膜にはSiO2（二酸化シリコン）やSiN（窒化シリコン）が用いられます。 SiO2は絶縁膜として、SiNはSiO2より誘電率の高い絶縁膜として、または不必要なSiO2をCMPで除去する際のストッパーとして使用され、その後にSiNも除去されます。 このように絶縁膜としての性能、正確なプロセス管理のため、これらの膜厚を測定する必要があります。
反射率スペクトルは、同種材質の膜であっても、膜厚値の違いにより図のような異なる波形になります。 膜厚が薄い場合、図左側のようなスペクトルを示し、より厚くなると図中央から右側のようなスペクトルへと変化します。 これは光干渉現象によるものです。 大塚電子の膜厚計では高精度で高い波長分解能を持つ分光計測が可能で、正確に絶対反射率スペクトルを求めることができます。 これにより材質の持っている光学定数（n：屈折率、k：消衰係数）の解析も可能になります。
ゼータ電位がゼロ（粒子の表面電位がゼロ）になるpHを等電点といい、コロイド粒子は等電点近傍のpHに近づけると、静電的な反発力がなくなり凝集しやすくなります。安定した分散状態を実現するためには、溶液のｐHを等電点からできるだけ離し、ゼータ電位の絶対値を高める必要があります。 今回は生理食塩水にリポソームを分散させリポソームの粒子径とゼータ電位のpH依存性を測定し、分散安定性を評価しました。 DDSナノ材料リポソームのと等電点評価の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
リポソームの体内動態を理解する上で粒子径やゼータ電位などの物性評価は非常に重要です。 リポソームを生理食塩水に分散させポアサイズ0.2μｍのフィルターでろ過した後、動的光散乱法により粒子径を電気泳動光散乱法によりゼータ電位の測定を行いました。 DDSナノ材料リポソーム粒子径・ゼータ電位測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
リポソームは膜を構成する層数と大きさにより、小さい一枚膜リポソーム（ SUV; 100nm以下）、大きな一枚膜リポソーム（ LUV; 100-500nm）、そして多重層リポソーム（MLV; 200-1000nm）に大別されます。 これら3種（それぞれ超音波処理法、逆相蒸発法、ボルテックス処理法によって調製）のリポソームを動的光散乱法を用いて、粒子径測定を行いました。 種類の異なるリポソームの粒子径評価の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
『GS-300』は、小フットプリント仕様のロードポート対応膜厚測定 システムです。 φ300mmEFEMユニット予備ポートへのインテグレーションに対応。 ウェーハに埋め込んだ配線パターンアライメントを実現します。 また、半導体プロセスの高スループット要求に対応しております。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■φ300mmEFEMユニット予備ポートへのインテグレーションに対応 ■ウェーハに埋め込んだ配線パターンアライメントを実現 ■半導体プロセスの高スループット要求に対応 ■小フットプリント仕様 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『LE Series』は、生産ラインの制御信号との同期が可能な 高速LED光学特性モニターです。 光ファイバーにより自由な測定系が可能。最短2ms～での スペクトル測定を実現(LE-5400)します。 また、測定・演算・評価の1サイクルが従来製品に比べて 半分以下のハイスピードタイプもラインアップしております。 【特長】 ■生産ラインの制御信号との同期が可能 ■光ファイバーにより自由な測定系が可能 ■最短2ms～でのスペクトル測定を実現(LE-5400) ■測定・演算・評価の1サイクルが従来製品に比べて半分以下の ハイスピードタイプもラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
積分半球仕様の「HM series」は、 光源の点灯姿勢が変更できるため、 実使用条件下での測定が可能。発光部以外を積分空間より排除、吸収誤差 を解消します。 また、積分球仕様の「FM series」は、積分球に設置した補正用ランプを 使用し、自己吸収を補正するほか、紫外域・近赤外域にも対応します。 【HM seriesの特長】 ■積分空間の半減で明るさ(感度)が2倍 ■面発光光源の分光全放射束測定に好適 ■発光面以外を積分半球の外に配置できるため、サンプルの温調が容易 (高出力光源にも対応) ■サンプル光源自身の影の影響を排除できるため、大型サンプルに好適 (積分球直径の1/3まで対応) 【FM seriesの特長】 ■積分半球仕様と同様に2400mmの直管光源の測定が可能 ■積分球に設置した補正用ランプを使用し、自己吸収を補正 ■紫外域・近赤外域にも対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『GP series』は、最大2400mmのLED照明器具の配光測定に対応した 分光配光測定システムです。 角度ごとの分光分布測定結果から分光全放射束、全光束、色度、 色温度などを計算可能。 また、オプションで紫外域・近赤外域の配光測定にも対応できるほか、 国家基準にトレーサブルな校正サービスを提供(JCSS校正サービス)します。 【ラインアップ】 ■GP-500 ■GP-1100 ■GP-2000 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『MCPD series』は、紫外から可視と幅広い波長範囲をカバーする 紫外放射照度測定システムです。 ソフトウェアでサンプル点灯電源、測定計器を一括制御、 L-I-V測定、パルス点灯測定、サンプル温調測定にも対応可能。 【特長】 ■装置校正用の標準ランプはJCSS校正事業者登録の自社部門より供給 ■光合成研究に欠かせないPFD、PPFDも測定可能 ■高斜入射特性など用途にあった照度ヘッドを選択可 ■紫外から可視と幅広い波長範囲をカバー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
半導体ウェーハの研磨工程におけるCMPスラリーは、ウェーハ、スラリー、研磨パッドの組み合わせとして使用されパッド表面の粗さによってスラリーを保持し、ウェーハ表面の被膜が研磨されます。パッド表面の目詰まりは、スクラッチなどの欠陥に寄与し、パッド表面の特性は、研磨性能に寄与すると考えられています。そこで研磨パッドおよびスラリーのゼータ電位を測定し、静電相互作用や吸着特性を検討することは有効であると考えられます。 今回、発泡ポリウレタンの研磨パッドを測定サンプルとし、各pHにおける表面ゼータ電位を行いました。 研磨パッドの表面ゼータ電位測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
CMPスラリーは、研磨対象の材料や研磨条件によって、研磨に用いる砥粒を選択する必要があります。CMPの加工特性では、CMPスラリーの粒子径やpH、砥粒の純度などが影響します。そこで、CMPスラリーの分散性やスラリーと研磨材料との相互作用を評価する上で、ゼータ電位の測定が重要です。 今回は、砥粒の異なるスラリーをpHタイトレータを用いてpHタイトレーションを行い、各砥粒の等電点測定を行いました。 砥粒の異なるCMPスラリーの等電点測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
半導体ウェーハの研磨工程におけるCMPスラリーは、粒子径を均一に制御することで、安定した加工性能が得ることができます。また、凝集物などの粗大粒子が含まれると、研磨レートの変化やスクラッチなどの表面欠陥の要因となるため、粒子径の管理が重要です。そこで、CMPスラリーでは、高い分散性が求められており、ゼータ電位測定から最適な添加剤などの分散条件を検討することができます。 今回は、SiO2スラリーに10～300mMのNaClを添加し、そのゼータ電位および粒子径測定を行いました。 CMPスラリーの塩濃度によるゼータ電位の制御の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
半導体における洗浄プロセスでは、CMPスラリーより表面に吸着するパーティクルや金属不純物、有機物の物理的もしくは、化学的洗浄が行われます。物理洗浄によってパーティクルを剥離した後に洗浄後の再付着を防止することが必要となります。これらの研磨および洗浄条件の検討では、CMPスラリーおよびウェーハのゼータ電位を測定し、スラリーとウェーハの静電相互作用を評価することが有効です。 今回は、スラリーとウェーハそれぞれのpHタイトレーションを行い、ゼータ電位測定をおこないました。 CMPスラリーとウェーハの静電相互作用の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
半導体製造におけるCMPでは、半導体ウェハや金属面を研磨する場合に金属酸化物（シリカ粒子、アルミナ粒子）がよく利用されています。シリカ粒子,アルミナ粒子などの金属酸化物は種々の要因（pH、添加剤など）によって粒子の分散状態が異なり、粒径やゼータ電位を指標として分散状態をコントロールすることが非常に重要になっています。 今回、CMPスラリーに非イオン性界面活性剤を添加し、添加前後のゼータ電位および粒子径の測定をおこないました。 ＣＭＰスラリーの非イオン性界面活性剤添加によるゼータ電位・粒子径の制御評価の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
細菌から生産される細胞外膜小胞は、細菌間のコミュニケーション、遺伝子の水平伝播、病原性細菌の毒性発現、など多様な機能を担うことから注目を集めています。その膜小胞は特にワクチンとしての利用やドラッグデリバリーシステム(DDS)におけるキャリアとしての利用に期待されており、その特性評価も重要になっています。 ELSZneoでは、粒子径・粒子濃度・ゼータ電位を測定することができます。今回、親株のMV (parent)と表層タンパク質欠損株のMVの粒子径分布、粒子濃度、ゼータ電位を測定しました。その結果から、本タンパク質の存在が凝集体形成抑制に寄与していることが推察できる。 エクソソーム測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
大型金属造形や低コストな複合加工に。ロボットシステムの資料進呈
【イプロス初主催】AIを活用したリアル展示会！出展社募集中
