『DLS-8000 series』は、He-Neレーザー、固体レーザー、ダブルレーザー の仕様が選択できるダイナミック光散乱光度計です。 動的光散乱法を用いた粒子径・粒子径分布(粒径・粒径分布)測定と静的 光散乱法を用いた絶対分子量・慣性半径・第二ビリアル係数の測定が可能。 また、液浸セル光学系を採用しているため、微弱散乱のナノオーダー粒子を 高精度に測定できます。 【特長】 ■He-Neレーザー、固体レーザー、ダブルレーザーの仕様が選択できる ■液浸セル光学系を採用 ■微弱散乱のナノオーダー粒子を高精度に測定できる ■最大4096chの相関計により、高分子濃厚溶液などの多モード解析が可能 ■オプションのゲル回転セルと組み合わせてゲル状態の解析が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

エクソソームは、生体メカニズムの理解、診断、DDSなどへの応用が期待されています。そのエクソソームを適切に分離し精製することは、特性の理解や臨床応用へ発展させる上で非常に重要です。精製されたエクソソームの粒子径・粒子数の確認は実験のファーストステップとなります。 ELSZneoでは、粒子径・粒子濃度・ゼータ電位を測定することができます。粒子径は動的光散乱法、粒子濃度には静的光散乱法、ゼータ電位は電気泳動光散乱法を用いて結果を得ることができます。エクソソーム表面の電荷（ゼータ電位）の違いは粒子挙動にも大きく影響するため、近年非常に注目されている指標の一つです。ELSZneoは、粒子径・粒子濃度・ゼータ電位を測定することで、エクソソームの性質を詳細に解析することが可能です。 エクソソーム測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。

光干渉法と自社製高精度分光光度計により、非接触・非破壊かつ高速高精度での膜厚測定を可能にしました。 光干渉法は、分光光度計を利用した光学系によって得られた反射率を用いて光学的膜厚を求める方法です。 図１のように金属基板上にコーティングされた膜を例にとると対象サンプル上方から入射した光は膜の表面で反射します（R1）。さらに膜を透過した光が基板（金属）や膜境界面で反射します（R2）。この時の光路差による位相のずれによっておこる光干渉現象を測定し、得られた反射スペクトルと屈折率から膜厚を演算する方法が光干渉法です。

細菌から生産される細胞外膜小胞は、細菌間のコミュニケーション、遺伝子の水平伝播、病原性細菌の毒性発現、など多様な機能を担うことから注目を集めています。その膜小胞は特にワクチンとしての利用やドラッグデリバリーシステム(DDS)におけるキャリアとしての利用に期待されており、その特性評価も重要になっています。 ELSZneoでは、粒子径・粒子濃度・ゼータ電位を測定することができます。今回、親株のMV (parent)と表層タンパク質欠損株のMVの粒子径分布、粒子濃度、ゼータ電位を測定しました。その結果から、本タンパク質の存在が凝集体形成抑制に寄与していることが推察できる。 エクソソーム測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。

半導体製造におけるCMPでは、半導体ウェハや金属面を研磨する場合に金属酸化物（シリカ粒子、アルミナ粒子）がよく利用されています。シリカ粒子,アルミナ粒子などの金属酸化物は種々の要因（pH、添加剤など）によって粒子の分散状態が異なり、粒径やゼータ電位を指標として分散状態をコントロールすることが非常に重要になっています。 今回、CMPスラリーに非イオン性界面活性剤を添加し、添加前後のゼータ電位および粒子径変化の測定をおこないました。 ＣＭＰスラリーの非イオン性界面活性剤添加によるゼータ電位・粒子径の制御評価の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。

半導体における洗浄プロセスでは、CMPスラリーより表面に吸着するパーティクルや金属不純物、有機物の物理的もしくは、化学的洗浄が行われます。物理洗浄によってパーティクルを剥離した後に洗浄後の再付着を防止することが必要となります。これらの研磨および洗浄条件の検討では、CMPスラリーおよびウェーハのゼータ電位を測定し、スラリーとウェーハの静電相互作用を評価することが有効です。 今回は、スラリーとウェーハそれぞれのpHタイトレーションを行い、ゼータ電位測定をおこないました。 CMPスラリーとウェーハの静電相互作用の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。

半導体ウェーハの研磨工程におけるCMPスラリーは、粒子径を均一に制御することで、安定した加工性能が得ることができます。また、凝集物などの粗大粒子が含まれると、研磨レートの変化やスクラッチなどの表面欠陥の要因となるため、粒子径の管理が重要です。そこで、CMPスラリーでは、高い分散性が求められており、ゼータ電位測定から最適な添加剤などの分散条件を検討することができます。 今回は、SiO2スラリーに10～300mMのNaClを添加し、そのゼータ電位および粒子径測定を行いました。 CMPスラリーの塩濃度によるゼータ電位の制御の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。

CMPスラリーは、研磨対象の材料や研磨条件によって、研磨に用いる砥粒を選択する必要があります。CMPの加工特性では、CMPスラリーの粒子径やpH、砥粒の純度などが影響します。そこで、CMPスラリーの分散性やスラリーと研磨材料との相互作用を評価する上で、ゼータ電位の測定が重要です。 今回は、砥粒の異なるスラリーをpHタイトレータを用いてpHタイトレーションを行い、各砥粒の等電点測定を行いました。 砥粒の異なるCMPスラリーの等電点測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。

半導体ウェーハの研磨工程におけるCMPスラリーは、ウェーハ、スラリー、研磨パッドの組み合わせとして使用されパッド表面の粗さによってスラリーを保持し、ウェーハ表面の被膜が研磨されます。パッド表面の目詰まりは、スクラッチなどの欠陥に寄与し、パッド表面の特性は、研磨性能に寄与すると考えられています。そこで研磨パッドおよびスラリーのゼータ電位を測定し、静電相互作用や吸着特性を検討することは有効であると考えられます。 　今回、発泡ポリウレタンの研磨パッドを測定サンプルとし、各pHにおける表面ゼータ電位を行いました。 研磨パッドの表面ゼータ電位測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。

リポソームは膜を構成する層数と大きさにより、小さい一枚膜リポソーム（ SUV; 100nm以下）、大きな一枚膜リポソーム（ LUV; 100-500nm）、そして多重層リポソーム（MLV; 200-1000nm）に大別されます。 　これら3種（それぞれ超音波処理法、逆相蒸発法、ボルテックス処理法によって調製）のリポソームを動的光散乱法を用いて、粒子径測定を行いました。 種類の異なるリポソームの粒子径評価の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。

リポソームは、脂質2分子膜で構成される閉鎖小胞であり、化学療法などの薬剤のキャリアとして注目されています。脂質組成、粒子径、表面荷電などを容易に調整でき、抗腫瘍ペプチドや抗体などを表面に修飾することが可能であり、標的化が比較的簡単におこなえるなど、薬物キャリアとして有用な性質を有しています。このように、リポソームの体内動態を理解する上で、物性評価（粒子径、表面電位測定など）は非常に重要です。 　 今回はリポソームの粒子径とゼータ電位を測定しました。 DDSナノ材料リポソームの粒子径とゼータ電位評価の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。

あるpHでゼータ電位がゼロ（粒子の表面電位がゼロ）になる点を等電点といい、コロイド粒子は等電点近傍のpHに近づけると、静電的な反発力がなくなり凝集することになります。分散状態を安定化させるには、等電点からできるだけ離れるようにし、ゼータ電位の絶対値を高める必要があります。 今回は生理食塩水にリポソーム分散させリポソームの粒子径とゼータ電位のpH依存測定をおこないました。 DDSナノ材料リポソームのと等電点評価の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。

反射率スペクトルは、同種材質の膜であっても、膜厚値の違いにより図のような異なる波形になります。 膜厚が薄い場合、図左側のようなスペクトルを示し、より厚くなると図中央から右側のようなスペクトルへと変化します。 これは光干渉現象によるものです。 大塚電子の膜厚計では高精度で高い波長分解能を持つ分光計測が可能で、正確に絶対反射率スペクトルを求めることができます。 これにより材質の持っている光学定数（n：屈折率、k：消衰係数）の解析も可能になります。 詳細については、カタログダウンロードよりカタログをダウンロードをしてください。

反射率スペクトルは、同種材質の膜であっても、膜厚値の違いにより図のような異なる波形になります。 膜厚が薄い場合、図左側のようなスペクトルを示し、より厚くなると図中央から右側のようなスペクトルへと変化します。 これは光干渉現象によるものです。 大塚電子の膜厚計では高精度で高い波長分解能を持つ分光計測が可能で、正確に絶対反射率スペクトルを求めることができます。 これにより材質の持っている光学定数（n：屈折率、k：消衰係数）の解析も可能になります。

半導体トランジスタは電流の通電状態を制御することで信号を伝達していますが、電流が漏れたり別のトランジスタの電流が勝手な通路を通り回り込むことを防止するために、トランジスタ間を絶縁するための絶縁膜が埋め込まれています。 絶縁膜にはSiO2（二酸化シリコン）やSiN（窒化シリコン）が用いられます。 SiO2は絶縁膜として、SiNはSiO2より誘電率の高い絶縁膜として、または不必要なSiO2をCMPで除去する際のストッパーとして使用され、その後にSiNも除去されます。 このように絶縁膜としての性能、正確なプロセス管理のため、これらの膜厚を測定する必要があります。

各種有機顔料はプリンタ用インクなどに使用されています。インクが凝集し固まってしまうと色ムラにつながるため、製品寿命や品質向上のためにインクの分散性条件の検討に粒径分布が測定されています。今までは溶媒で希釈して測定されていましたが、このような処理では濃度が薄まり、本来の特性から異なる評価がされてしまうことが考えられます。 図のデータは実際使用している顔料の原液あるいは原液に近い高濃度状態で粒径分布を測定した例です。

一般に、市販されているプリンター用インクは、分散安定性を向上させるために、少量の分散剤が添加されています。これらインクの分散性を評価するために、ゼータ電位や粒子径測定が行なわれています。しかし、今までは溶媒のみで希釈して測定されていました。このような処理では添加剤濃度が薄まり、本来の特性から異なる評価がされてしまうことが考えられます。この問題を解決するために、超遠心分離機で分離させた上澄み液を希釈溶媒として使用し添加剤濃度が変わらない状態でゼータ電位および粒子径測定を試みました。

半導体トランジスタは電流の通電状態を制御することで信号を伝達していますが、電流が漏れたり別のトランジスタの電流が勝手な通路を通り回り込むことを防止するために、トランジスタ間を絶縁するための絶縁膜が埋め込まれています。 絶縁膜にはSiO2（二酸化シリコン）やSiN（窒化シリコン）が用いられます。 SiO2は絶縁膜として、SiNはSiO2より誘電率の高い絶縁膜として、または不必要なSiO2をCMPで除去する際のストッパーとして使用され、その後にSiNも除去されます。 このように絶縁膜としての性能、正確なプロセス管理のため、これらの膜厚を測定する必要があります。

積分球と分光器との組み合わせで、照明器具や各種ランプの分光全放射束、全光束から演色性評価などの光源色評価まで幅広く対応可能です。ダウンライトなどの2π配光光源の測定に有効な積分半球（HalfMoon）を使ことで加熱冷却をコントロールして温調しながらの測定が容易に実施できます。また、直流・交流電源をコントロールするようにシステムアップすることで、L-I-V測定、パルス幅変調（PWM）調光などを含むパルス点灯測定、温度特性測定などが一括制御下で面倒な操作が不要になります。測定部である積分球と積分半球の大きさは、測定する照明器具やランプの大きさや形状に応じてφ250mmからφ2000mmまでラインアップしています。検出器部である分光器には広いダイナミックレンジを有するMCPD-9800シリーズを採用しており、数ルーメンの低強度ランプからワットクラスのハイパワーレーザー光源まで対応可能です。なお、本システムは、北米照明学会（IES）のLM-79とLM-80とに準拠しています。