CVD装置の製品一覧
- 分類：CVD装置
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
クリーンルーム対応の精密機器据付から保守まで、半導体製造装置の導入をトータルサポート！ 補足情報
- CVD装置
- エッチング装置
- レジスト装置
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
毒性ガス漏洩の緊急時に無害化します。（高圧ガス保安法一般則第55条第1項 対応可）
- CVD装置
- プラズマ表面処理装置
- ガス回収/処理装置
大気放出できない装置から排出される有害排気ガスを安全に除害処理します。現地での排気ガス成分分析による処理剤設計もします。
- CVD装置
- プラズマ表面処理装置
- ガス回収/処理装置
2021年12月15日(水)～17日(金)】SEMICON Japan 2021 Hybridへ出展します
株式会社巴商会は、2021年12月15日(水)～12月17日(金)に東京ビックサイトで 開催されます『SEMICON Japan 2021 Hybrid』に出展いたします。 安全・安心・安定を提供し、お客様や社会の発展に貢献することを今年の テーマとし、ガスの供給から除害まで、国内から海外まで、省エネ製品を 含め、幅広いサービスおよび設備をご紹介予定です。 【主な出展品目（予定）】 ■有機金属化合物 - Dockweiler Chemicals社製品 ■有機金属化合物 - Nouryon社製品 ■容器元弁遮断装置「VS / AVS」 ■ガス供給システム「Smartシリーズ、TMシリーズ」 ■排ガス処理装置「MAKシリーズ」、新製品（参考出展） ■横浜研究所 ■感染症対策製品 皆様のご来場を心よりお待ちいたしております。
製膜スピードＵＰ＆高い密着性！導入コストや維持費も低いＤＬＣコーティング装置
- プラズマ発生装置
- CVD装置
- プラズマ表面処理装置
PVD/CVD/エッチング装置等で、ゴムOリングからメタルへ置換え、超高真空・極高真空を実現します！JIS V溝フランジ用標準化
- シール・密封
- CVD装置
- エッチング装置
【JIS V溝フランジ用標準化済み】半導体分野向け低設計締付圧力Y『超高真空用デルタシール』
デルタシール(HNV HELICOFLEX(R)DELTA) には、断面の接触側に2つのデルタ形突起があります。 デルタ形突起は、フランジ溝組込時に外被の圧縮時につぶれて消えるように設計されており、 デルタシールの設計締付圧力は、ヘリコフレックスシールに比べて低い為、エラストマー製Oリングとの交換が可能になります。 漏れ量：*円形の場合10⁻¹²Pa・m³/sec.(10⁻¹¹atm.cm³/sec.) *取付側の品質に依存します。 【特長】 ■断面の接触側に2つのデルタ形突起がある ■超高真空が実現する ■優れた弾性を有し、高温で使用可能 ■エラストマー製Oリングとの交換が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
既設のボルトのサイズ・数は変更不要？半導体製造装置で『真空のゴムOリング ガス透過やガス放出を無くしたい』などお困りの方必見！
- シール・密封
- CVD装置
- 電子ビーム描画装置
『真空のゴムOリング ガス透過やガス放出を無くしたい』なら、ばね入りCリングへ置換！『デルタベータHNRV』
デルタベータHNRVは元々設計締付圧力(Y)が低いヘリコフレックスデルタシールと内部ばねの特殊加工の組合せで、ゴムO-RINGからの置換と性能向上を実現します。 「真空のゴムO-RINGガス透過やガス放出を無くしたい」「既設フランジのボルト数やサイズ変更が出来ない」等、そんな悩みをお持ちの方に奨めるメタルシールです。 【特長】 ■主に超高真空用 ■従来より更に低い設計締付圧力 ■エラストマー製Oリングとの交換が可能 ■断面の接触側に2つのデルタ形突起がある 既設のフランジに対して使用出来ることを保証するものではありません。 既設フランジ仕様のご提供が必要です。 ※詳しくはPDFダウンロードまたはお気軽にお問い合わせください。
UHP/UHV、超高純度、超高真空、極低温向け高度メタルシーリングソリューション
- シール・密封
- CVD装置
- エッチング装置
最長5,800mmのアルミフレームを販売中！ 外装ブースなどの「組立品」としての製作も対応！他社製品との互換性あり
- その他組立機械
- CVD装置
- アルミニウム
エラストマーシールから置換！当社のメタルシールをご紹介
- シール・密封
- CVD装置
- 半導体検査/試験装置
『真空のゴムOリング ガス透過やガス放出を無くしたい』低締付メタルガスケット デルタベータHNRVなら可能です。
- シール・密封
- CVD装置
『真空のゴムOリング ガス透過やガス放出を無くしたい』なら、ばね入りCリングへ置換！『デルタベータHNRV』
デルタベータHNRVは元々設計締付圧力(Y)が低いヘリコフレックスデルタシールと内部ばねの特殊加工の組合せで、ゴムO-RINGからの置換と性能向上を実現します。 「真空のゴムO-RINGガス透過やガス放出を無くしたい」「既設フランジのボルト数やサイズ変更が出来ない」等、そんな悩みをお持ちの方に奨めるメタルシールです。 【特長】 ■主に超高真空用 ■従来より更に低い設計締付圧力 ■エラストマー製Oリングとの交換が可能 ■断面の接触側に2つのデルタ形突起がある 既設のフランジに対して使用出来ることを保証するものではありません。 既設フランジ仕様のご提供が必要です。 ※詳しくはPDFダウンロードまたはお気軽にお問い合わせください。
機能性アルミフレームと豊富なアクセサリーのコストダウン【単品はもちろん、面組・立体の「組立品」としても承ります！】
- その他組立機械
- CVD装置
顧客満足と技術力を限りなく追求し、社会に貢献する。OEMや試作機の受託製造等に多くの実績を持ちます
- CVD装置
- ウエハ加工/研磨装置
- その他半導体製造装置
少量・多品種向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 枚葉式常圧CVD(APCVD)装置(8インチSiCウェハ対応)
- CVD装置
結晶Si太陽電池セル量産用 NSG(SiO2)/PSG/BSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置
- CVD装置
試作・開発・小ロット生産向け NSG(SiO2)/BSG/PSG/BPSG膜成膜用 バッチ式(複数枚同時処理)APCVD装置
- CVD装置
各種成膜処理ができる半導体ウェハー・アドバンストパッケージング向け成膜プラットフォーム
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- CVD装置
半導体・医療機器分野に求められる高清浄度に対応。精密洗浄から包装・組立までを一貫してクリーン環境で行います。
- CVD装置
- スパッタリング装置
- レジスト装置
対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等！基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃）
- プラズマ発生装置
- CVD装置
量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置(12インチウェハ対応)
- CVD装置
量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置 (8インチウェハまで対応)
- CVD装置
超耐熱・低吸水率・優れた摺動特性を誇るエンジニアリングプラスチックです。
- CVD装置
- バルブ
- プラスチック
特殊ガス用途に開発された静電容量方式の圧力センサ
- CVD装置
- エッチング装置
- 圧力制御
【12月17日～19日】セミコンジャパン 出展のお知らせ
エア・ウォーター・メカトロニクスは、2025年12月17日（水）～19日（金）に東京ビッグサイトで開催される 「SEMICON JAPAN 2025」に、エア・ウォーターグループの一員として出展いたします。 今年度は、昨年より小間数を拡大し、グループ14社が一体となって、半導体産業における「トータルソリューション」の提案力と総合力を展示いたします。 ぜひ皆様お誘い合わせの上、エア・ウォーターグループのブースにお越しくださいますようお願い申し上げます。 ご来場を心よりお待ちしております。
特殊ガスのモニターと制御用に開発されたウルトラクリーンセンサ
- CVD装置
- エッチング装置
- 圧力制御
◉ 短時間 1バッチわずか30分で容易にグラフェン合成実験が可能 ◉ 高精度温度・圧力制御 ◉ 洗練されたソフトウエア
- CVD装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター
- その他半導体製造装置
- アニール炉
- CVD装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。
- CVD装置
★☆★☆【MiniLab-026】R&D開発用 小型薄膜実験装置★☆★☆
モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3元）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大2、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3元） ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4極 コントローラで自動切替） ◉ 有機蒸着セル：1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 同時成膜、HiPIMS、自動成膜コントローラ、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
- CVD装置
- アニール炉
- 加熱装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔に超高速、高品質な真空成膜を実現！
- CVD装置
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現！
- CVD装置
省スペース設計で、バキュームポンプ・モジュールはプロセス・モジュールから最大18ｍ離して設置することができます。
- CVD装置
弊社にてデモ可能！ 市場初投入の新技術。大気圧プラズマでＣＶＤ。 少量多品種に対応できます。
- CVD装置
- その他塗装機械
- その他加工機械
耐熱性があり、かつ耐熱衝撃性にも優れている『窒化珪素』は、機械的強度も強くバランスの良い素材です。
- ファインセラミックス
- CVD装置
- 加熱装置
パッシベーション用MBE装置は、レーザーファセットパッシベーション等のために特別設計された各種チャンバーで構成されております。
- 蒸着装置
- CVD装置
真空配管設備の不安を解消！プラズマや熱によるセンターリングの劣化対策の事例を進呈中
- その他半導体製造装置
- バルブ
- CVD装置
半導体材料メーカー様 必見！固体材料供給における高温化の課題への提案の事例を進呈中
- その他半導体製造装置
- バルブ
- CVD装置
耐熱300℃以上！各種スーパーエンプラのご提案が可能です 半導体業界から「高耐熱樹脂の材料枯渇」への代替提案として問合せ増！
- CVD装置
- バルブ
- プラスチック
