リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置
ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加で高品位かつフレキシブルな成膜をする装置です
ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜プロセスの構築など、幅広い研究に対応できる装置です。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体ターゲットや、金属ターゲットとセラミックターゲットなどの異物質Co-スパッタ研究など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートする装置です。 直進性の高い成膜 →イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 →幅広い多層膜成膜 複数ターゲットへの同時プラズマ供給とスパッタ制御 →精密に制御したCo-スパッタ成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 →ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜
- 企業：ティー・ケイ・エス株式会社
- 価格：応相談
