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話題の新素材CFRP向けめっきプロセス！ CFRPに耐摩耗性・高光沢・耐光性を付与！ 軽いながらも強靭なCFRPに最適！
CFRPの比重は、鉄の約1/4以下だといわれています。 軽量、高強度で剛性にすぐれたCFRPは、 設計自由度も高いことから、 航空機などの構造材料に使用されています。 奥野製薬工業は、新素材CFRPに最適なめっきプロセスを開発しました。 ～CFRPへのめっきプロセス：トップTFACプロセス～ ここがすごい！ ・耐摩耗性を向上 ・金属光沢の実現 ・耐光性を向上 ・導電性の付与 このプロセスは、現在最も広く使用されているエポキシ樹脂系に対応しています。ポリアミド（ナイロン）系のCFRPもめっき可能です。 専門の営業員が ご要望に応じたテーラーメードのプロセスと薬品をご提案します。 施工業者のご紹介もいたしますので、お気軽にお問い合わせください。
マルチマテリアル対応！ 樹脂と金属を接着剤を使わずに接合！ 異種材料接合の新技術！
「トップHGボンディングプロセス」は、アルミニウム用のエッチングプロセスです。アルミニウム表面をエッチングすることで、樹脂と金属を接着剤を用いずに接合できます。 ～マルチマテリアル向け：トップHGボンディングプロセス～ ここがすごい！ ・高密着性を実現 ・各種ゴム、各種樹脂に使用可能 （フッ素ゴムやPBT・PPS樹脂など） ・インサート成形（一体成形）品に最適 ・優れたアンカー効果 ・1.4倍の接合強度（リン酸アルマイトとの比較） ・分析管理が簡単 専門の営業員がお客様にぴったりな薬品とプロセスをご提案します。 なんでもご相談ください。
電子機器の小型化・薄型軽量化・高機能化に対応する新技術！ 半導体パッケージ基板のパターン微細化に適合する最新プロセス！
電子機器の軽量化、薄型化、小型化、高機能化が進むにつれて、 半導体部品を搭載する半導体パッケージ基板にはパターンの微細化が求められています。 半導体パッケージ基板は、電気的・機械的な接続、外部環境から半導体を守る、半導体素子が発する熱を放出するなどの役割を担っています。 奥野製薬工業は、微細回路形成と接続信頼性に優れるプロセスを新たに開発しました。 サンプル作製から量産まで、奥野製薬工業は表面処理をトータルコーディネートします。表面処理のことならなんでもご相談ください。
誘電体損失の少ないガラス基板に対して、高密着性を実現した無電解銅めっきプロセスを開発！
ガラスは高い平滑性と絶縁性を有していることから、信号の伝送特性に優れており、半導体パッケージの2.5D実装に必要なインターポーザ材料として注目を集めています。これまで、ガラス素材への密着性向上のために、スパッタ法やゾル・ゲル法などのさまざまな密着層の製膜が研究されてきました。 当社は、液相析出法（Liquid Phase Deposition：LPD法）により製膜した金属酸化物を密着層として用いることで、ガラス基板に対して高いめっき密着性が得られる無電解銅めっきプロセス「PLOPX」を開発しました。本プロセスにより、全工程を湿式法で処理できます。
パナソニック環境エンジニアリング株式会社と共同で、ガラス基板に高密着性が得られる無電解銅めっきプロセス「PLOPX」を新規開発！
ガラスは高い平滑性と絶縁性を有していることから、信号の伝送特性に優れており、半導体パッケージの2.5D実装に必要なインターポーザ材料として注目を集めています。これまで、ガラス素材への密着性向上のために、スパッタ法やゾル・ゲル法などのさまざまな密着層の製膜が研究されてきました。 当社は、液相析出法（Liquid Phase Deposition：LPD法）により製膜した金属酸化物を密着層として用いることで、ガラス基板に対して高いめっき密着性が得られる無電解銅めっきプロセス「PLOPX」を開発しました。本プロセスにより、全工程を湿式法で処理できます。
内層銅と上層めっき層の界面で結晶連続性を確保、最先端のパッケージで要求される高度な信頼接続性を実現
OPC FLETカッパーは、セミアディティブプロセスに適応する、ノーシアン・ロッシェル塩タイプの無電解銅めっき液です。素材表面およびビアホール内への低膜厚で均一な析出性に優れ、フラッシュエッチング時の回路幅細りを低減、さらに、銅上への析出性を抑制し、内層銅と上層めっき銅間で結晶の連続性を実現する、ICサブストレートのファインパターンおよびマイクロビアホール形成用に最適なめっき液です。 【特長】 ・上層めっき銅と内層銅間の接続信頼性に優れる ・素材表面/ビアホール壁面へ、低膜厚で均一、安定した析出性が得られる ・低粗度の素材に対して、ブリスター発生を抑制し、優れたピール強度が得られる ・皮膜は高純度で低い抵抗値を示し、低膜厚でも後工程のパターンめっきを阻害しない
液晶ポリマー（LCP）向けに、高密着性が確保できる表面改質とめっきを組み合わせたプロセスを開発、トップLECSプロセス
2020年以降、4Gに続いて、5Gの移動通信サービスが日本でも始まりました。5Gは超高速通信を可能にするだけでなく、遠隔地でもロボットなどをスムーズに操作できる超低遅延、スマートフォンやパソコンを多数同時接続できるといった特長を有しています。現在、高速伝送に適した素材として、LCPやフッ素系樹脂のような低誘電材料を用いた高周波対応基板が注目を集めており、特に液晶ポリマー（LCP）は高周波領域での電気特性に優れ、吸水率が低く、寸法安定性に優れているため、5Gやミリ波向けへの採用が進んでいます。当社は、銅めっきの密着が確保されにくいといわれるLCP向けに、高密着性が確保できる表面改質とめっきを組み合わせたプロセスを開発しました。
アルミニウム向け表面処理薬品のリーディングカンパニー、奥野製薬工業が長波長側でも低い低反射率が得られる表面処理技術を新開発！
近年、ADAS（Advanced Driver-Assistance Systems：先進運転支援システム）、オートノマスカー（自動走行車）、産業用ロボットのように自動化や省人化を目的とする分野で、リアルタイムで力、音、加速度、温度、光、色、圧力、磁気、速度などを計測・モニタリングするセンサの採用が増加しています。また、情報通信や家電など、クルマ以外の分野においてもセンサを搭載する装置の需要が増加しています。 奥野製薬工業は、高精度のセンサーデバイス、センシングカメラ、光学部品、光学機器向けにトップアルクロイプロセスを開発しました。
高接続信頼性を実現する無電解銅めっきプロセス “OPC SUBLETプロセス”
近年、プリント配線板が適用される環境が拡大し、特に電気自動車や自動運転に関連する分野で、層間接続の信頼性、耐熱性や耐久性の向上が強く求められています。また、RoHS指令などの環境規制に対応して、実装に使用されるはんだは、低融点のSn-Pbはんだ(融点 183℃)から、Sn-Ag系(融点 約220℃)などの高融点はんだへの切り替えが検討されています。そのため、当社は高温・高圧などの厳しい条件でも接続信頼性を維持できる無電解銅めっきプロセスを新たに開発しました。
奥野製薬工業は、回路表面へボイドフリーで、均一なめっき皮膜を形成する最終表面処理プロセスを確立しました。
奥野製薬工業は、回路表面へボイドフリーで、均一なめっき皮膜を形成する最終表面処理プロセスを確立しました。 「ICP-COAプロセス」は、還元型コバルト触媒を利用した低膜厚Ni-P/Auめっきプロセスです。 本プロセスは、還元型コバルト触媒液「ICPアクセラCOA」およびコバルト触媒用の無電解Ni-Pめっき「ICPニコロンCOA-GM」から成り立っています。 パラジウムを用いる従来のプロセスでは、触媒付与の工程で銅素材が腐食し、銅素材とめっき皮膜間にボイドが発生することが課題となっていました。 本プロセスでは、還元析出によって均一な触媒膜を形成できるため、無電解ニッケルめっきの低膜厚化を実現します（無電解ニッケルめっき膜厚 従来プロセス：3.0µm、ICP-COAプロセス：0.5µm）。 さらに、ボイドフリーで被覆性良好な皮膜が得られるため、はんだ接合信頼性を損なうことなく無電解Niめっきを低膜厚化できます。
めっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案 ウエハ上アルミニウム電極 UBM形成 めっきプロセス
UBM（Under Barrier Metal）には無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきなどが採用されていますが、従来のプロセスでは、アルミニウム電極の局部腐食、めっきの外観不良や密着不良などが生じるという課題がありました。 また、近年、パワー半導体では高耐圧化、高電流化が進むに伴い、無電解めっき皮膜にもさらなる高耐熱化が求められています。そこで、当社はアルミニウム電極の減膜や局部腐食を抑制し、無電解Niめっきの均一析出性、めっき平滑性、めっき密着性に優れたウエハ上アルミニウム電極用 UBM形成 めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」を新たに開発しました。UBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」とあわせて、半導体後工程用のめっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案します。
浴安定性に優れた焼結基板上の金属インク回路への無電解ニッケル-ホウ素めっきプロセス
光通信モジュール部品やパッケージ部品は、微細配線化が進み、無電解Niめっきに求められるパターン性もますます高くなってきています。当社は、従来よりもパターン性に優れた焼結基板の金属インクペースト上への無電解ニッケル-ホウ素めっきプロセスを新たに開発しました。
微細配線へのめっきに最適なファインパターン性に優れた無電解ニッケル/金めっきプロセス
電子機器の軽量化、薄型化、小型化、高機能化が進むにつれて、 半導体部品を搭載する半導体パッケージ基板にはパターンの微細化が求められています。 当社は、ボイドやピンホールの発生を低減し、高い接続信頼性があるファインパターン対応の無電解ニッケル/金めっきプロセスを新たに開発しました。
耐熱性に優れたパワーモジュール向け絶縁回路基板用無電解めっきプロセス
近年、高温動作が可能な次世代のパワー半導体としてSiCやGaNデバイスが注目されており、これらを搭載した次世代パワーモジュールは200℃以上の常時動作が想定されます。そのため、高温環境下でもはんだへのニッケル拡散が少ない皮膜が要望されています。また、従来のはんだ接合に代わる高耐熱性の接合法として、銀粒子ペーストによる焼結接合が注目されており、接合強度の向上を目的に銀めっきが要望されております。 そこで、当社はパワーモジュール向け絶縁回路基板用無電解めっきプロセスを新たに開発しました。
環境負荷物質を使用しないプラスチック向け装飾めっきプロセス
メタリックで、高級感のあるプラスチックめっきは、自動車、バイク、家電製品、キッチンや浴室などのインテリア用品のデザイン性の向上に広く採用されている表面処理技術です。当社は、REACH規制で制限されている6価クロムに加えて、高価なパラジウムも使用しない6価クロムフリー前処理プロセス“トップゼクロムPLUSプロセス”を新たに開発しました。 環境負荷物質を使用しないプラスチック向け装飾めっきプロセス、“トップゼクロムPLUSプロセス”は、高いエッチング力と密着性を実現します。エッチングと触媒付与を同時に行うことで、従来プロセスと比較して、大幅に工程を短縮できます。
