試験・分析・測定

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

設立昭和５９年８月１日（１９８４年）
住所東京都世田谷区喜多見1-18-6
電話03-3749-2525
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【測定法】質量分析法 【測定法】質量分析法
【測定法】光電子分光法 【測定法】光電子分光法
【測定法】電子顕微鏡観察・分析 【測定法】電子顕微鏡観察・分析
【測定法】振動分光 【測定法】振動分光
【測定法】X線回折関連 【測定法】X線回折関連
【測定法】SPM関連 【測定法】SPM関連
【測定法】故障解析 【測定法】故障解析
【測定法】そのほかの測定法 【測定法】そのほかの測定法
【加工法・処理法】 【加工法・処理法】
その他のサービス・サポート情報 その他のサービス・サポート情報
【分析事例】LSI・メモリ 【分析事例】LSI・メモリ
【分析事例】光デバイス 【分析事例】光デバイス
【分析事例】太陽電池 【分析事例】太陽電池
【分析事例】燃料電池 【分析事例】燃料電池
【分析事例】ディスプレイ 【分析事例】ディスプレイ
【分析事例】酸化物半導体 【分析事例】酸化物半導体
【分析事例】パワーデバイス 【分析事例】パワーデバイス
【分析事例】電子部品 【分析事例】電子部品
【分析事例】二次電池 【分析事例】二次電池
【分析事例】照明 【分析事例】照明
【分析事例】製造装置・部品 【分析事例】製造装置・部品
【分析事例】バイオテクノロジ 【分析事例】バイオテクノロジ
【分析事例】化粧品 【分析事例】化粧品
【分析事例】食品 【分析事例】食品
【分析事例】医薬品 【分析事例】医薬品
【分析事例】医療機器 【分析事例】医療機器
【分析事例】日用品 【分析事例】日用品
【分析事例】環境 【分析事例】環境
【分析事例】その他 【分析事例】その他
MSTが出展した展示会の資料 MSTが出展した展示会の資料
【分析事例】パワーデバイス

【分析事例】パワーデバイス

パワーデバイスの分析事例をご紹介します

【分析事例】SIMSによるSiC中不純物の超高感度測定

ppb～pptレベルのバルク濃度を評価します

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【分析事例】SIMSによる酸化ガリウムGa2O3膜不純物濃度評価

不純物元素の定量評価が可能です

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【分析事例】イオン注入アニール処理後Si低温PLスペクトル

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価

極浅い領域でも高感度に分析

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【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

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【分析事例】SCM・SMMによるSiCMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

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【分析事例】Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価

フィールドストップ層およびライフタイムキラーのSRA評価

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【分析事例】ウエハケース内ウエハの有機汚染評価

製造プロセスおける有機汚染の原因や総量を評価できます

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【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

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代表的な材料・目的別のTDS解析例

TDS：昇温脱離ガス分析法

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【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価

断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能

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【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

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【分析事例】XRFによるウエハ上Au薄膜の付着量評価

薄膜成分の付着量を試料間で比較

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【分析事例】XRFによるウエハ上Au薄膜の面内膜厚評価

多点マッピング測定により膜厚分布を可視化

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【分析事例】低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価

断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です

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【分析事例】低温PL・SIMS分析Si基板の格子間型炭素の評価

Si基板に含まれる微量な炭素の確認が可能です

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【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

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【分析事例】ウェハの粘着シート成分の分析

有機汚染の定性・定量・分布を複数手法の組み合わせで評価

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XPSにおける吸着酸素の影響

XPS： X線光電子分光法

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クリーンルーム内有機化合物の評価方法

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

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【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価

試料断面における応力分布を確認することが可能です

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【分析事例】SNDMのSiCMOS高感度評価

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

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【分析事例】SiCディスクリートパッケージの非破壊3D構造観察

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

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【分析事例】SiCTrenchMOSFETトレンチ側壁の粗さ評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

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【分析事例】STEM・EDXと像シミュレーション結晶構造評価

STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

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【分析事例】SMMおよびSNDMによるSiC

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

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【分析事例】ワイドギャップ半導体ドーパントサイト同定電子状態評価

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

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【分析事例】低分子シロキサンの定量分析

アウトガス中のシロキサンをngオーダーで定量します

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【分析事例】撥水箇所の成分分析

TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です

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【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析

様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です

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リートベルト解析（Rietveld analysis）とは

XRD等の測定データの解析から結晶内原子配置等の詳細な情報が得られます

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EV関連分析事例

分析でEV開発のEVolutionを！

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【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

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【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS、 GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

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【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験

劣化加速試験後の電極のはんだ濡れ性試験が可能です。

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【分析事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

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【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETIDSSリーク箇所解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

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【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

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【分析事例】SiCトランジスタのSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

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【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能

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信頼性試験の一覧

信頼性試験（Reliability Test）

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HAXPESによるオージェピークの重複を回避した評価

Ga線（HAXPES）およびAl線・Mg線（XPS）測定によるスペクトル比較

詳しくは、お問い合わせください。

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【分析事例】STEM、EBSD像シミュレーション多結晶体構造解析

像シミュレーションを併用した結晶形の評価

測定法：TEM・EBSD・計算科学・データ解析 製品分野：太陽電池・二次電池・酸化物半導体・パワーデバイス・光デバイス・LSI・メモリ 分析目的：構造評価

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