測定試料の仕事関数値よりも高いエネルギーを持つ紫外光を照射することで、試料表面から電子が放出されます。（紫外光：He I線21.22eV） 放出された電子の運動エネルギー分布（右図）から試料の価電子状態を得、更にスペクトル幅より仕事関数は以下の表式を用いて求めます。

物質にX線を照射することで得られる吸収スペクトルには物質中に含まれる元素特有の急峻な立ち上がり（=吸収端）が見られます。 この吸収端近傍±50 eV程度に現れる微細構造をXANES（=X-ray Absorption Near Edge Structure）と呼び、吸収端から高エネルギー側1000 eV程度に現れる振動構造をEXAFS（=Extended X-ray Absorption Fine Structure）と呼びます。 またXANESとEXAFSを合わせた領域をXAFS（=X-ray Absorption Fine Structure）と呼びます。 XANESとEXAFSは発生起源がそれぞれ異なります。 XANESは内殻電子の非占有準位及び準連続準位への励起に起因し、EXAFSはX線照射によって放出される光電子波と隣接原子による散乱光電子波の干渉に起因します。そのためXAFS解析を行うことで、物質中の着目元素の電子状態や周辺元素との結合状態などの化学構造に関する情報を得ることが可能です。

XPSは、X線照射により放出される光電子の運動エネルギー分布を測定します。光電子の発生原理は以下の通りです。照射X線のエネルギーと光電子の運動エネルギーから束縛エネルギーを算出することができます（（1）式）。ここでhνは既知なので、Ekを測定することによりEbを求めることができます。Ebは元素およびその電子状態等に固有な値であるため、この値から試料中の元素の同定およびその化学結合状態に関する知見を得ることができます。

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測定法：分析一覧表(構造・組成・電気) 製品分野：二次電池 分析目的：構造評価・組成評価・電気評価・研究開発