試験・分析・測定

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

設立昭和５９年８月１日（１９８４年）
住所東京都世田谷区喜多見1-18-6
電話03-3749-2525
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【測定法】質量分析法 【測定法】質量分析法
【測定法】光電子分光法 【測定法】光電子分光法
【測定法】電子顕微鏡観察・分析 【測定法】電子顕微鏡観察・分析
【測定法】振動分光 【測定法】振動分光
【測定法】X線回折関連 【測定法】X線回折関連
【測定法】SPM関連 【測定法】SPM関連
【測定法】故障解析 【測定法】故障解析
【測定法】そのほかの測定法 【測定法】そのほかの測定法
【加工法・処理法】 【加工法・処理法】
その他のサービス・サポート情報 その他のサービス・サポート情報
【分析事例】LSI・メモリ 【分析事例】LSI・メモリ
【分析事例】光デバイス 【分析事例】光デバイス
【分析事例】太陽電池 【分析事例】太陽電池
【分析事例】燃料電池 【分析事例】燃料電池
【分析事例】ディスプレイ 【分析事例】ディスプレイ
【分析事例】酸化物半導体 【分析事例】酸化物半導体
【分析事例】パワーデバイス 【分析事例】パワーデバイス
【分析事例】電子部品 【分析事例】電子部品
【分析事例】二次電池 【分析事例】二次電池
【分析事例】照明 【分析事例】照明
【分析事例】製造装置・部品 【分析事例】製造装置・部品
【分析事例】バイオテクノロジ 【分析事例】バイオテクノロジ
【分析事例】化粧品 【分析事例】化粧品
【分析事例】食品 【分析事例】食品
【分析事例】医薬品 【分析事例】医薬品
【分析事例】医療機器 【分析事例】医療機器
【分析事例】日用品 【分析事例】日用品
【分析事例】環境 【分析事例】環境
【分析事例】その他 【分析事例】その他
MSTが出展した展示会の資料 MSTが出展した展示会の資料
【分析事例】酸化物半導体

【分析事例】酸化物半導体

酸化物半導体の分析事例をご紹介します

【分析事例】SIMSによる酸化物ReRAM動作領域の元素分布評価

酸化物デバイスにおける局所元素分布を酸素同位体を用いて高感度に評価

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2次元検出器を用いたX線回折測定

XRD：X線回折法

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【分析事例】SIMSによる極浅注入プロファイルの評価

極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

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【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

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【分析事例】IGZO

酸化物半導体のXRD・XRR分析事例

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【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

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【分析事例】X線によるZn系バッファ層の複合評価

組成・結合状態・構造・密度の評価が可能

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【分析事例】IGZO薄膜のXAFSによる局所構造解析

酸化物半導体中、金属元素の価数・配位数・構造秩序性の評価

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【分析事例】IGZO膜中H濃度評価

IGZO膜中Hについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能

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【分析事例】IGZO膜へのTi拡散評価

SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

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【分析事例】IGZO膜の局所結晶構造解析

電子回折で結晶性・配向性を連続的に評価

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【分析事例】IGZO膜の化学状態評価

XPS・UPSを用いた結合状態・電子状態評価

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【分析事例】XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価

目的に合わせた測定条件で評価を行います

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【分析事例】エッチングによる有機付着物除去

表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

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ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価

XPS：X線光電子分光法

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電子回折の種類と特徴

TEM：透過電子顕微鏡法

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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価

極浅い領域でも高感度に分析

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【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

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【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

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【分析事例】TEMによる多元系金属微粒子の結晶構造観察

InGaZnO4粒子の超高分解能STEM観察

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【分析事例】高温XRDによる熱分解生成物の同定

昇温しながらXRD測定が可能

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【分析事例】高温XRDによる金属膜の評価

昇温過程での相転移・結晶性変化を追跡評価

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GC_MSによるウエハアナライザーを用いた有機汚染評価

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

詳しくは、お問い合わせください。

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代表的な材料・目的別のTDS解析例

TDS：昇温脱離ガス分析法

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【分析事例】メルブロミンの皮膚への浸透性評価

価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます

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【分析事例】X線吸収・発光分光によるバンド構造評価

材料の価電子帯・伝導帯・ギャップ内準位の詳細な情報が得られます

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界面および深さ方向分解能について

SIMS：二次イオン質量分析法

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クリーンルーム内有機化合物の評価方法

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

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【分析事例】セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価

ppmオーダーの微量金属も評価可能です

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AFMデータ集

AFM :原子間力顕微鏡法

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【分析事例】Sn酸化物に対する還元処理の検証

～XPSと計算シミュレーションの比較から～ 価電子帯スペクトルからの電子状態解析

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【分析事例】STEM・EDXと像シミュレーション結晶構造評価

STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

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【分析事例】ワイドギャップ半導体ドーパントサイト同定電子状態評価

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

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リートベルト解析（Rietveld analysis）とは

XRD等の測定データの解析から結晶内原子配置等の詳細な情報が得られます

詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

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固体分析　新サービス開始 （GDMS）

「多くの元素を感度よく測りたい!」というご要望にお応えします。 主成分から微量成分まで70元素以上の同時分析が可能です。

ワイドギャップ半導体材料として用いられるSiCやGaNは耐薬性が高いため完全溶解することができず、化学分析での不純物分析が困難でした。 一方、ワイドギャップ半導体市場が年々増加する中で、多くの元素を感度よく測りたいという分析ニーズも増えてきています。そこで、MSTは前処理を不要とするGDMSを導入し、新たな不純物分析サービスを開始いたします。 また、内製化によるサービスのリニューアルとなりますので、従来より短納期でデータのご報告が可能となります。

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【分析事例】GaNの部分状態密度測定

価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます

測定法：XAFS・SXES 製品分野：照明・酸化物半導体・LSI・メモリ 分析目的：電子状態評価

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【分析事例】薄膜・バルク・粉末材料の組成・不純物分析

CP-MSによるIGZOの主成分及び金属不純物元素の定量分析

測定法：ICP-MS 製品分野：酸化物半導体 分析目的：組成評価・同定・微量濃度評価

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【分析事例】STEM、EBSD像シミュレーション多結晶体構造解析

像シミュレーションを併用した結晶形の評価

測定法：TEM・EBSD・計算科学・データ解析 製品分野：太陽電池・二次電池・酸化物半導体・パワーデバイス・光デバイス・LSI・メモリ 分析目的：構造評価

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【分析事例】XPSによるSn表面の状態評価

価数別（2価、4価）の割合を算出することが可能です

測定法：XPS 製品分野：酸化物半導体、電子部品 分析目的：化学結合状態評価・電子状態評価

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