【測定法】故障解析の製品一覧｜一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

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一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

設立昭和５９年８月１日（１９８４年）

住所東京都世田谷区喜多見1-18-6

電話03-3749-2525

最終更新日：2025/03/07

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【測定法】故障解析

◆［EMS］エミッション顕微鏡法　◆［OBIRCH］光ビーム加熱抵抗変動法　◆ロックイン発熱解析法

[EMS]エミッション顕微鏡法

故障箇所を迅速に特定

発光源としては、空間電荷領域でのキャリアの電界加速、電流集中、Ｆ-Ｎトンネル電流など電界加速キャリア散乱緩和発光によるもの、pn接合順方向バイアス、ラッチアップなどバンド間キャリア再結合発光によるもの、配線間ショート、配線の細りによる抵抗増大による熱放射などがあります。

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[OBIRCH]光ビーム加熱抵抗変動法

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です

１.レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。２.レーザの走査に同期して電流値（または電圧値）を読み取る。３.ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値（または電圧値）として検出される。

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ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

デバイスの内部で発生する熱を検出し、故障箇所を特定する半導体故障解析装置となります。高感度赤外検出器にて検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせて表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。

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［C-SAM］超音波顕微鏡法

C-SAMは、試料の内部にある剥離などの欠陥を非破壊で観察する手法です。

音波を用いることから試料の光学的な性質に左右されず、試料表面だけでなく、表面下の内部構造も非破壊で観察する事が可能です。空気との界面での反射が大きいことから、電子部品のパッケージ内部などに存在する空隙やクラックを高感度で観察できます。空隙箇所の判定は、各測定箇所における超音波の反射波形から判定します。

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