一般財団法人材料科学技術振興財団　MSTの製品・サービス一覧

EMSは、半導体デバイスの異常動作に伴い発生する微弱な発光を検出することで、故障箇所を迅速に特定できる手法です。EMMS、PEM、EMIとも呼ばれます。 ・測定波長領域（可視域から近赤外域）に対して透明な材料のみ評価可能 ・クラック・結晶欠陥・ESDによる酸化膜破壊・Alスパイクによるショートなどの内部の欠陥を低損傷で捉えることが可能

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。 ・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。 ・コンタクトの抵抗異常を特定可能。 ・配線ショート箇所を特定可能。 ・DC電流経路を可視化。 ・ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。

・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。 ・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。 ・ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice ＆ Viewなど断面解析を行うことができます。

C-SAMは、SAT：Scanning Acoustic Tomographyとも呼ばれます。 ・X線CTによる観察では確認が困難な「電極の接合状態」や「貼り合わせウエハの密着性」などの確認に有効。 ・反射波のほか、透過波の取得も可能。

・試料中の特定元素（特にB,C,N,O等の軽元素）に着目した化学結合状態の評価が可能 ・スペクトル形状は価電子帯における着目元素の部分状態密度を反映 ・X線吸収スペクトル（XAS）との同時測定によってバンド構造の評価も可能 ・バルクの情報が得られるため、表面近傍数nmの影響を受けにくい ・絶縁物に対しても帯電の影響を受けずに評価が可能 ・検出下限が低く（＜1atomic%）、微量成分であっても評価が可能

試料にX線を照射することで、試料内部構造の二次元透過像を取得します。また、試料を回転させた連続撮影データから、X線CT（Computed Tomography）像を構築します。 ・非破壊で、試料の内部構造や欠陥形状などの確認が可能。 ・3D像や任意箇所での断面像を構築可能。 ・X線エネルギーは30 kV～160 kVの間で設定できるため、有機材料から電子部品まで幅広く対応可能。 ・専用ステージにより、引張/圧縮や冷却/加温した状態で試料のX線CT測定が可能。 この資料では、適用例や原理、データ例などを紹介しています。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

車載電池、デバイスをはじめとするEVに不可欠な部材に対して、好適な分析メニューをご提供します。

試料への電圧印加、槽内温度プロファイル、指定サイクルにおける抜取り評価なども実施可能です。

・規格に則った試験だけでなく、規格外であってもご要望に応じた試験に対応します。 ・つかみ、固定用の各種治具を多種保有しています。また、治具の作成から承ることも可能です。

電子部品、電子機器、その他製品が使用中または輸送中に受ける振動の影響や耐久性を評価します。

電子部品、電子機器、その他製品が使用中または落下時等に受ける衝撃の影響や耐久性を評価します。

1. 温湿度サイクル試験 高温と低温の温度差を繰り返し与えることで、温度変化や湿度に対する耐性を短時間で評価します。 2. 結露試験 高温さらし時に湿度を制御し、高温・高湿環境の繰り返しで生じる結露の影響を評価します。

中空構造部品などの封止状態の密閉性を評価・判定します。

有鉛、鉛フリーはんだの両方に対応可能です。

ベーク、吸湿の前処理を行い保管状態を再現、リフロー実施後、剥離やクラックの発生有無を確認します。

・試料温度基準で最大15℃/minの温度勾配制御が可能 ・JESD22-A104E、IEC60749-25の規格試験に対応 ・試料温度ランプレート15℃/分以下（-40～125℃）の規格試験を、正確に行うことが可能

試料に衝撃や振動をかけ、中空構造内の微小な異物が壁面に衝突する際に発生する 音を検出することで、ショート等のトラブルを未然に防ぐことが可能です。

・MM（Machine Model）試験：金属等に蓄積された静電気の放電による損傷を模した試験 ・HBM（Human Body Model）試験：人体に蓄積された静電気の放電による損傷を模した試験 ・CDM（Charged Device Model）試験：帯電によって電位の異なる導体と端子の接触時に発生する静電気の放電による損傷を模した試験 ・ラッチアップ試験※：寄生サイリスタ構造を持つデバイスにおいて、過大な電流が流れ続ける現象 （ラッチアップ現象）に対する耐性を評価 ※パルス電流注入法、電源過電圧法に対応