試験・分析・測定

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

設立昭和５９年８月１日（１９８４年）
住所東京都世田谷区喜多見1-18-6
電話03-3749-2525
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【測定法】質量分析法 【測定法】質量分析法
【測定法】光電子分光法 【測定法】光電子分光法
【測定法】電子顕微鏡観察・分析 【測定法】電子顕微鏡観察・分析
【測定法】振動分光 【測定法】振動分光
【測定法】X線回折関連 【測定法】X線回折関連
【測定法】SPM関連 【測定法】SPM関連
【測定法】故障解析 【測定法】故障解析
【測定法】そのほかの測定法 【測定法】そのほかの測定法
【加工法・処理法】 【加工法・処理法】
その他のサービス・サポート情報 その他のサービス・サポート情報
【分析事例】LSI・メモリ 【分析事例】LSI・メモリ
【分析事例】光デバイス 【分析事例】光デバイス
【分析事例】太陽電池 【分析事例】太陽電池
【分析事例】燃料電池 【分析事例】燃料電池
【分析事例】ディスプレイ 【分析事例】ディスプレイ
【分析事例】酸化物半導体 【分析事例】酸化物半導体
【分析事例】パワーデバイス 【分析事例】パワーデバイス
【分析事例】電子部品 【分析事例】電子部品
【分析事例】二次電池 【分析事例】二次電池
【分析事例】照明 【分析事例】照明
【分析事例】製造装置・部品 【分析事例】製造装置・部品
【分析事例】バイオテクノロジ 【分析事例】バイオテクノロジ
【分析事例】化粧品 【分析事例】化粧品
【分析事例】食品 【分析事例】食品
【分析事例】医薬品 【分析事例】医薬品
【分析事例】医療機器 【分析事例】医療機器
【分析事例】日用品 【分析事例】日用品
【分析事例】環境 【分析事例】環境
【分析事例】その他 【分析事例】その他
MSTが出展した展示会の資料 MSTが出展した展示会の資料
【分析事例】LSI・メモリ

【分析事例】LSI・メモリ

LSI・メモリの分析事例をご紹介します

【分析事例】トランジスタ（MOSFET）の拡散層分布評価

SCMによる特定箇所の拡散層評価

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【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察

FIB法による特定箇所の平面TEM観察

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【分析事例】SIMSによる極浅ドーパント分布の高精度分析

高い再現精度で評価可能

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【分析事例】シリコンウェハ上の汚染原因調査

手袋由来の汚染の評価

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【分析事例】最表面シラノール基の評価

TOF-SIMSでシラノール基の定量的な評価が可能です

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【分析事例】Si表面のH終端の解析

処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較

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【分析事例】SIMSによる極浅注入プロファイルの評価

極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

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【分析事例】素子分離領域の歪解析

NBD：Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解析

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【分析事例】TEM・SEM有機EL・ゲート酸化膜の断面観察

低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます

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【分析事例】酸化チタンアナターゼ型とルチル型の判別

TEM-EELSにより、微小領域の元素同定・化学状態分析が可能です

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【分析事例】SSDP-SIMSゲートから基板へのB突き抜け量評価

SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定

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【分析事例】IGZO

酸化物半導体のXRD・XRR分析事例

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【分析事例】めっき・塗装等の剥離原因調査

TOFーSIMSによる剥離面の汚染源の特定

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【分析事例】熱履歴を考慮した異物の成分同定

熱履歴を揃えた標準試料の活用提案

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【分析事例】ポリイミド成分の深さ方向分析

TOF-SIMSによる高分子・樹脂・フィルムの表面改質層の深さ方向の評価が可能

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【分析事例】成膜成分のウェハ裏面への回り込み評価

ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能

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【分析事例】微小部XRD分析による結晶構造評価

微小領域のXRD測定が可能

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【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

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【分析事例】アルミニウム(Al)表面のOHの分布、状態評価

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捕らえることが可能

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【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

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【分析事例】特殊形状試料のSIMS測定

固定方法の工夫により特殊な形状でも分析可能

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【分析事例】300mmウェハ最表面の異物の評価

異物検査装置との座標リンケージ機能で特定異物の評価が可能

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【分析事例】有機成分洗浄効果の評価

300mmウェハをそのまま測定できます

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【分析事例】はんだ合金中の添加物面内分布評価

ppmレベルの添加物の分布を高感度に評価可能

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【分析事例】SiN膜中水素の結合状態別の定量

赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H、N-Hを定量

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半導体のイオン化ポテンシャル評価

UPS：紫外光電子分光法

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透過EBSD法による30nm以下の結晶粒解析

EBSD：電子後方散乱回折法

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定量計算における妨害ピーク除去処理

XPS：Ｘ線光電子分光法

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SRAの深さ換算について

SRA：広がり抵抗測定法

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SRAの濃度換算について

SRA：広がり抵抗測定法

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RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS

SIMS：二次イオン質量分析法

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【分析事例】IC法によるSi含有溶液中のTMAH分析事例

IC（イオンクロマトグラフ）法でアミン類の測定が可能です

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【分析事例】IC法による溶液中の有機酸の分析

溶液中の有機酸の定性・定量分析が可能です

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【分析事例】銅(Cu)の酸化膜厚評価　保管環境による違い

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

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【分析事例】銅(Cu)表面自然酸化膜の層構造・膜厚評価

TOF-SIMSによる深さ方向の状態評価

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低温フォトルミネッセンス測定の注意事項

PL：フォトルミネッセンス法

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【分析事例】エッチングによる有機付着物除去

表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

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ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価

XPS：X線光電子分光法

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【分析事例】チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラム観察

Csコレクタ付STEMによる高分解能STEM観察

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極点測定

XRD：X線回折法

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電子回折の種類と特徴

TEM：透過電子顕微鏡法

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揮発性有機化合物（VOC）P&Tによる微量成分の検出

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

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【分析事例】溶液中の窒素成分の評価

無機窒素を形態別に分析可能です

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【分析事例】TOF-SIMS Siウエハ保管による表面汚染評価

フッ酸処理で酸化膜を除去したSiウエハの汚染・酸化の評価

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【分析事例】TOF-SIMSによるニッケルめっき剥離面の評価

めっきの剥がれ、密着不良をTOF-SIMS分析で原因調査

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