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不具合が出れば詳細解析も！海外製LCD導入ご検討のお客様向け簡易版解析
株式会社アイテスの液晶ディスプレイの良品解析についてご紹介します。 まず、外観観察としてセルパネル状態で、FPC、FOG、COG、 シール材に着目して光学顕微鏡観察を行い、次にセルパネルを解体して、 シール材やPI膜、TFT形状を確認。 良品解析で不具合が見つかった場合は、配線の断面観察、異物分析など 原因究明のための追加解析を御提案させていただきます。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【外観観察の観察内容】 ■FPCの配線に腐食や異物は無いか ■FOGの接合は問題ないか ■COGの接合は問題ないか ■シール材に破断等はないか ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
試料表面で生じる電子線後方散乱回析により金属など結晶性材料の結晶方位・粒径・歪み分布などに関する情報を取得することが出来ます。
EBSD分析とは、SEM（走査電子顕微鏡）と組み合わせて、金属結晶粒子の方位、微粒子化を解析する事で、問題点を顕在化させ、 設計・プロセス・材料の改善や、品質トラブルの未然防止に役立てることが出来ます。 また、 信頼性試験と組み合わせることにより、評価初期段階での歪み発生箇所の解明、破壊メカニズムの解明などに役立ちます。 【マッピングの例】 ■IQマップ パターンの良否により結晶性の良し悪しを表します。 IQ値は試料断面加工の精度良否の指標として用いられます。 ■IPF（結晶方位）マップ 試料座標系を設定し、結晶面がその方向に向いているかを表したものです。 ■Grainマップ 基準方位差を指定し、隣り合う測定点同士の方位差が基準より大きく、粒子として閉じていれば、 異なる結晶粒とみなし、異なる色を付けます。 ■KAMマップ 微視的方位変化、局所方位差を表します。 ■GRODマップ Grainマップで定義された粒子1つ1つに対し、微小な方位変化を求め、 印加されている残留応力を粒子毎に求める場合に用いります。 ※詳細は下記までお問い合わせください。
より良い観察の提案が可能！高い透過力と解像度を併せ持つX線CTを導入
自動車の電装化が進むにつれ、部品の採用車種や一台当たりの搭載部品点数が 飛躍的に増大し、開発段階においては、試作品の評価工数の短縮が、ますます 要求されています。 試作品の製造品質確認や信頼性評価は、破壊解析によるものが主流でしたが、 工数もかかるうえに、問題が無かったとしても、一度破壊してしまった試作品や 市場不良・工程不良品を元に戻す事は出来ません。 そこで、非破壊のままでも多くの有益なデータを得たい、直接目視できない モジュール内部の出来栄えを確認したい、信頼性試験による劣化調査を行いたい、 といった要望が高まっています。 ”クオルテック 名古屋品質技術センター”では、高い透過力と解像度を併せ持つ X線CT「FF35」を導入。より良い観察の提案が可能です。 【特長】 ■内部構図を立体的に把握でき、任意箇所の断面画像を得られる ■二つのX線管を併せ持つCTシステム ■150nmまでの微細構造を認識できる高解像度観察が可能 ■積層物のCTに適したヘリカルスキャン機能も搭載 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー製品の伝送線路特性を考慮した設計開発支援
弊社では、LSIからパワーエレクトロニクスまで半導体応用製品に関する幅広い経験をベースとした、設計支援を行なっております。 近年注目されているインバータに代表されるパワーエレクトロニクス分野ではスイッチング時の課題解決がポイントとなっております。 弊社では、電磁界解析シミュレータを用いた伝送線路解析から製品評価、更には回路シミュレーションを用いた解析と整合確認まで、包括した設計支援を行なうことができます。
EBSD：電子後方散乱回折法
薄片化した試料でEBSD分析を行うことにより、従来のバルク試料よりも高い空間分解能を得ることができます。
LC/MS/MS：液体クロマトグラフィー質量分析法
タンパク質の組成解析では、電気泳動後に目的のタンパク質のみを調べる方法もありますが、本資料ではタンパク質を網羅的に調べる「ショットガン解析」についてご紹介します。 ショットガン解析ではLC/MS/MS測定を用いてタンパク質の分離及び、質量情報の取得を行った後、データベース検索を行うことで溶液中に含まれるタンパク質を網羅的に調べることができます。
お手元のXPSスペクトルデータの解析、レポート作成をお引き受けします
近年の測定装置の高度化・高機能化によって、高品質かつ大量のXPSスペクトルデータを短期間で取得することが可能となっています。しかしながら、取得したスペクトルデータの解析にあたってはデータベースの調査や解析技術の習得に手間や時間を要するだけでなく、過去の経験に裏付けられた判断を求められることが多く、保有している装置やデータの有効活用に対し障壁の一つとなっています。MSTではそうした課題を抱えているユーザー向けに、お手元のXPSスペクトルデータについて、解析からレポート作成までワンストップでお引き受けするサービスを展開しています。
点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます
ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解が重要です。本資料では第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損（VN）が形成する欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。本解析は欠損だけでなく、元素の置換など結晶材料中の様々な点欠陥に対して適用可能です。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
SI解析など、基板上で動作不良になりうる 原因を調査・対策を実施。
伝送線路シミュレーションとＥＭＩ抑制支援ツールを駆使したプリント基板設計技術。
基板の『熱』に対するお困りごとに簡易熱解析対応可能です。
基板の放熱対策に置いては、事前のPreシミュレーションが重要になっております。弊社では、見積時に基板の各種放熱の条件を確認し『簡易熱解析』の対応致します。
納期短縮・製作費削減に大きく貢献！金型方案、鋳造条件を最適にする解析サービス
流動・凝固解析サービス「鋳造シミュレーション」は、初期設計で最良の金型方案と、鋳造条件の設定を行う為に、溶解材料の金型内での流動解析及び凝固解析をするサービスです。 最新のソフトウェアーでシミュレーションし、初回トライ後の修正を最小限にすることを可能にしました。 より高い品質を可能にし納期の短縮がはかれ、製作費用を大幅に下げることを実現します。 高精度、高気密・高強度を可能にします。 【特徴】 ○流動解析・凝固解析 ○修正を最小限に ○高品質を可能に ○納期の短縮 ○コスト削減 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
【無料プレゼント】新鋭の顕微赤外分光イメージングシステムを用いた技術資料
自動車の塗装は、耐候性や外観上の品位を向上させるために複数の塗料層で 構成され、層構造や塗料の種類は車種ごとに異なります。 したがって塗料片を構成する各層の成分分析は、その車種を特定するうえで 貴重な情報を与えます。 当資料では、新鋭の顕微赤外分光イメージングシステムを用いて行った 自動車塗料片に関する解析事例についてご紹介しています。 【掲載内容】 ■はじめに ■試料、分析システム ■データ解析 ■結果 ■まとめ ■参考文献 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
反応メカニズム解明への非常に有益な情報を提供！機能性材料の開発において必要不可欠
当社で行っている「ラピッドスキャンFT-IRによる光硬化反応の リアルタイム解析」についてご紹介いたします。 重合反応における分子構造の変化を、赤外スペクトルを用いて解析することで、 具体的な化学変化や反応速度を詳細に理解することができ、反応メカニズム 解明への非常に有益な情報を提供。 さらに、材料の特性や製造プロセスの最適化など、実用化への道筋を 示すことができます。 【特長】 ■反応メカニズム解明への非常に有益な情報を提供 ■材料の特性や製造プロセスの最適化など、実用化への道筋を示すことが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
低コストで交流抵抗計算が可能！リッツ線の交流解析ができるソリューション
リッツ線に交流電流を印加した場合、周波数が高くなると表皮効果や 接近効果によって抵抗が高くなることが知られており、この交流抵抗は 電磁界解析によって求められます。 当資料では、2段階に撚ったリッツ線の交流抵抗をEMSolutionで 計算する事例などをご紹介。 EMSolutionで利用可能な周期対称条件を利用し、リッツ線の3次元モデルによる 交流抵抗計算が、少ない計算コストで可能であることを示しています。 【電磁解析により交流抵抗を計算するメリット】 ■試作前に交流抵抗の周波数依存特性が得られる ■素数本数や撚りピッチが交流抵抗にどの程度影響するかを定量的に把握可能 ■素数内の電流分布を視覚化できる ■現象の理解を深められる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
