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製品設計段階での事前検証でコストダウン！フッ素樹脂｜PFA等やエンプラ製品の射出成形をシミュレーションします。
流動解析では、実際に見ることができない金型内部の樹脂の流れや充填の様子を、３Dで確認することができます。 樹脂流動解析により、流動パターン・樹脂圧力分布・樹脂温度分布・ウェルドライン発生位置を予測することが可能です。 ３Dシミュレーションを行うことで、金型を製作する前に不具合を予測することができ、有効な対策を短期間・低コストで講じることができます。 【特長】 ★金型作成前に不具合を防止することができる。 ★試作回数を削減し、コストを抑えることができる。 ★品質の向上に役立てることができる。 【解析の種類】 ・充填解析 ・保圧冷却解析 ・繊維配向解析 ・反り変形解析 ・インサート解析 等 ※インサート解析をするには、上記、充填解析、保圧冷却解析、（繊維配向解析）、反り変形解析 の解析結果が必要となります。
不具合が発生している電子回路基板において、電源周りの不具合原因を調査し、対策をご提案するサービスです。
電源設計の不具合により、量産・試作評価中に装置が動作しない不具合が増えています。しかし、不具合の根本原因を特定するには電源や基板に関する技術ノウハウが必要です。 弊社は長年アナログ製品をサポートしており、多くの不具合原因の究明と対策を行ってきました。 本サービスはそのノウハウを生かすべく、ベテラン技術者がお客様の基板を解析して不具合の原因と対策を提供いたします。
3次元動的非線形解析
お客様の要望にこたえ、新しくなった！ フォーラムエイトより、3次元動的非線形解析のご紹介です。 ■□■特徴■□■ ■幾何剛性を考慮した固有値解析 ■ファイバー要素断面のメッシュ分割方法に、縦横分割オプションを追加 ■解析機能に関する重要な機能追加により、 今まで見送っていたUC-win/FRAME(3D)の適用を見送っていた 構造物の解析が可能に その他機能や詳細については、カタログダウンロード もしくはお問い合わせ下さい。
アントンパール社製インデンターによる動的粘弾性測定(Sinusモード)
動的粘弾性測定(DMA)では、正弦波荷重または最大力で一時停止して いる正弦波を使用して、コーティングされた機能性材料または粘弾性 材料のより完全な分析を取得します。この測定法は、硬さ、弾性率、貯蔵弾性率、及び損失弾性率のデータをインデンテーション深さの関数として連続的に収集できて、その結果は、一定の深さで粘弾性特性が得られるコーティング材料やポリマーの特性評価に有効活用できます。
設計・解析のシームレス化を実現！多彩な結果評価機能を搭載したアドイン熱流体解析ソフトウェア
『SOLIDWORKS Flow Simulation』は、SOLIDWORKSで設計を行う すべての設計者のために開発された熱流体解析ソフトです。 SOLIDWORKS完全統合によって、設計・解析のシームレス化を実現。 多彩な結果評価機能により、流体の流れる経路をラインや矢印で 可視化し、結果はアニメーションとして保存することも可能です。 【特長】 ■SOLIDWORKS完全統合 ■多彩な結果評価機能 ・流跡線：流体の流れる経路をラインや矢印で可視化 ・コンター、プローブ：計算結果を任意断面やサーフェス上に表示 ・XYプロット：任意スケッチ上の計算結果を出力することが可能 ・音響評価：任意時間・任意座標に対する周波数と音圧レベルのグラフが出力可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
機械研磨法に化学エッチング、イオンミリング、FIB加工を施すことにより、鉛フリー半田を始め、各種金属接合部の解析を行います。
電子部品の接合部は基板全体の信頼性に大きな影響を及ぼします。 特にはんだ接合部においては、形状のみならず、 金属組織の観察が重要になります。
結晶方位や結晶粒径の変化が解析可能！EBSD(電子線後方散乱回折)法をご紹介いたします
EBSD法とは、試料の持つ結晶構造の情報を基に連続的に取り込んだパターン の結晶方位を算出することにより、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を 解析する手法です。 金属やセラミック等の結晶質のものは、立方体等の結晶格子が多数集まって 構成されていると考えられおり、当解析法では、それがどのような方向を 向いているのか(結晶方位)を解析。 IQマップ(イメージクオリティーマップ)をはじめ、IPFマップ、GRODマップ、 極点図など、様々なマップを使用します。 【特長】 ■EBSD法は、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を解析する手法 ■(株)TSLソリューションズOIM7.0結晶方位解析装置を使用 ■結晶格子がどのような方向を向いているのか(結晶方位)を解析 ■加工条件(圧延、押出等)の違いによる結晶方位や結晶粒径の 変化が解析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
良品と静電気（ESD）破壊品の輝度・特性の比較、EMS顕微鏡による発光解析事例をご紹介します！
当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、 ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで 破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
LCD部品、製品の品質状態を確認！液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法と知見で解析致します！
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD,AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT）,OLED 車載,モニター,モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
点灯確認、パネル解体、光学顕微鏡観察により、不良発生箇所を絞り込みます！
不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで 液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。 初期解析では、現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、 不良症状に合わせて実施。 詳細解析では、初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析 など好適な手法をご提案いたします。 原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能です。 【解析内容】 ■初期解析 ・現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、不良症状に合わせて実施 ・セルパネルや周辺回路などの大まかな箇所から、細かいところまで絞り込み ■詳細解析(別途解析費用が発生) ・初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析など好適な手法 をご提案 ・原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ポリマー材料やサンプルの状態などに応じて適切な分析方法をご提案！
株式会社アイテスでは、材料劣化解析を行っております。 ポリマー材料やサンプルの状態などに応じて適切な分析方法をご提案。 材料がどのような劣化過程を辿ったかを解析し、ポリマー材料や使用環境を 適切にすることで製品の寿命を延ばす事が可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
