エッチング装置の製品一覧
- 分類：エッチング装置
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
１００万回繰り返しても壊れない！確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。
- センサ
ソニア社製超音波スプレーノズルの3DCADデータの配布開始
ソニア社製超音波スプレーノズルの3D CADデータ配布を開始しました。 設計者や装置メーカーの皆様は、製品形状や取付寸法を事前に確認できるため、装置設計やレイアウト検討を効率的に進めることができます。 今回、超音波スプレーノズル「WS40K」と「WS130K」の3D CADデータも公開し、導入前の干渉確認や設計シミュレーションに活用いただけます。 ソニアの超音波スプレーノズルは、精密コーティング、表面処理、加湿、洗浄など幅広い用途に対応。 3D CADデータの提供により、設計工数の削減と開発期間の短縮を支援し、製品選定から装置開発までをスムーズにサポートします。
蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
□■□【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 蒸着・スパッタ・EB蒸着・有機蒸着等ご要望によりフレキシブルに構成可能。
80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材料）、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃、Max1000℃） ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
ISO17463に基づく電気化学測定装置を用いた金属上の有機被膜の評価 - 塗料およびワニス
- エッチング装置
- ウエハー
- その他表面処理装置
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
□■【Mini-BENCH furnace】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水：3L/min, 0.2Mpa 18〜20℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系（真空ポンプ、真空計、バルブ類） ・特注るつぼ ・架台 他
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
□■【Mini-BENCH furnace】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水：3L/min, 0.2Mpa 18〜20℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系（真空ポンプ、真空計、バルブ類） ・特注るつぼ ・架台 他
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ、4元マルチスパッタ（Φ2〜4inchカソード）
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
「厚銅の精密加工と『廃液削減』を両立。ドイツの知性が生んだ資源循環型プロセス。SiC/GaN向け放熱基板の微細加工に最適。
- エッチング装置
Ti-6Al-4Vも対応。フッ酸精密制御で酸化膜除去・表面粗化・コーティング前処理を安全に実現。TÜV SÜD認証取得済み。
- その他加工機械
- エッチング装置
JACLaS EXPO 2026 出展
◆◇◆診断機器／医療機器の開発・製造受託サービス、OEM用の精密ポンプやロボットアームを紹介いたします◆◇◆ カンは信頼性の高い液体ハンドリングとロボット技術を駆使し、臨床検査やライフサイエンス分野で多様なOEM機器およびコンポーネントを提供しています。 グローバル市場向けの最適な機器コンセプト開発や各国の規制対応、現地でのサービスに至るまで、テカンは豊富なリソースを活用してサポートいたします。 以下のような課題や目標をお持ちの方は、ぜひテカンブースにお立ち寄りください。 ・使用中のシステムの前処理装置や次世代装置の開発製造やその改善をしたい ・高品質な自社発の前処理、自動分析装置を新たに上市したい ・戦略的なインダストリアル＆UI/UXデザインで市場の期待を超える開発を実現したい
屋外や油まみれの過酷な現場で、銘板の文字消えや剥がれに悩んでいませんか？図面１枚から高耐久な銘板をオーダーメイド一貫生産します。
- エッチング装置
- 銘板
先端パッケージへの展開 300×300、510×515等、次世代パッケージ基板向けに各種プロセス装置をご提案いたします
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- アニール炉
JACLaS EXPO 2026 出展
◆◇◆診断機器／医療機器の開発・製造受託サービス、OEM用の精密ポンプやロボットアームを紹介いたします◆◇◆ カンは信頼性の高い液体ハンドリングとロボット技術を駆使し、臨床検査やライフサイエンス分野で多様なOEM機器およびコンポーネントを提供しています。 グローバル市場向けの最適な機器コンセプト開発や各国の規制対応、現地でのサービスに至るまで、テカンは豊富なリソースを活用してサポートいたします。 以下のような課題や目標をお持ちの方は、ぜひテカンブースにお立ち寄りください。 ・使用中のシステムの前処理装置や次世代装置の開発製造やその改善をしたい ・高品質な自社発の前処理、自動分析装置を新たに上市したい ・戦略的なインダストリアル＆UI/UXデザインで市場の期待を超える開発を実現したい
高耐久PTFEホースは、細波状PTFE構造により高い柔軟性と耐久性を両立。半導体製造装置の薬液供給ラインや可動配管部に対応します
- ホース
- その他半導体製造装置
- エッチング装置
高耐圧PTFEホースは、細波状PTFEコルゲーション構造を採用。高耐圧と低反力を両立し、高純度薬液ラインや可動配管部に対応します
- ホース
- その他半導体製造装置
- エッチング装置
UHP/UHV、超高純度、超高真空、極低温向け高度メタルシーリングソリューション
- シール・密封
- CVD装置
- エッチング装置
PVD/CVD/エッチング装置等で、ゴムOリングからメタルへ置換え、超高真空・極高真空を実現します！JIS V溝フランジ用標準化
- シール・密封
- CVD装置
- エッチング装置
【JIS V溝フランジ用標準化済み】半導体分野向け低設計締付力Y『超高真空用デルタシール』
デルタシール(HNV HELICOFLEX(R)DELTA) には、断面の接触側に2つのデルタ形突起があります。 デルタ形突起は、フランジ溝組込時に外被の圧縮時につぶれて消えるように設計されており、 デルタシールの設計締付力は、ヘリコフレックスシールに比べて低い為、エラストマー製Oリングとの交換が可能になります。 漏れ量：*円形の場合10⁻¹²Pa・m³/sec.(10⁻¹¹atm.cm³/sec.) *取付側の品質に依存します。 【特長】 ■断面の接触側に2つのデルタ形突起がある ■超高真空が実現する ■優れた弾性を有し、高温で使用可能 ■エラストマー製Oリングとの交換が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Particle-PLUS解析事例紹介「2周波CCPのプラズマ解析」シミュレーション事例
- エッチング装置
- ウエハー
- アッシング装置
クリーンルーム対応の精密機器据付から保守まで、半導体製造装置の導入をトータルサポート！ 補足情報
- CVD装置
- エッチング装置
- レジスト装置
中赤外波長可変レーザーOPPO MIRは 2.8～4.2umの波長範囲で調整が可能なピコ秒パルスレーザーです。最大出力1W以上。
- エッチング装置
液晶ガラス基板の薄肉加工ケミカル研磨の自動装置として、G6世代までの薄肉化処理に適しています。
- その他加工機械
- エッチング装置
- その他表面処理装置
各種成膜処理ができる半導体ウェハー・アドバンストパッケージング向け成膜プラットフォーム
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- CVD装置
薬品での表面腐食による、金属組織検査用の前処理を行います。
- その他の各種サービス
- 加工受託
- エッチング装置