半導体製造装置の製品一覧
- 分類：半導体製造装置
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
ベルト研磨機『ベーダーマシン』耐久性が高く、サービスパーツが豊富
『ベーダーマシン』は、1機1機が優れた研磨性能を誇る当社のベルト研磨機です。 被研磨物の形状・サイズに応じた機種・タイプを選び、 作業内容に適した研磨ベルトを装着することで、 幅広い分野の多種多様なものにフレキシブルに対応できます。 高効率研磨・研削による作業時間の短縮・省力化、 作業の標準化などに幅広くご活用ください。 【ラインアップ】 ■ポータブル型 BP-K(エアモーター型) ■受注生産機 PC-1(ホイールセンターレス)、BC(防塵カバー標準装備) ■設置型 BM(基本型)、SBA-1、BH-2 ■車輪型 SBD-4S、SBD-7、BWd ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
高品質・高精度の製品を製作。アルミ部品は平行・平坦度2/100mmに対応。半導体装置向け部品などの依頼に短納期で対応可能
- その他半導体製造装置
3D金属粉末造形部品の複雑形状・R形状・螺旋形状の微細孔をも鏡面まで研磨可能！
- ウエハ加工/研磨装置
【最新】【アルゴヴィジョンテクノロジズ】★流体研磨★カタログをリニューアル致しました。
この度、当社カタログパンフレットのデザインを一新致しました。 より具体的な内容で当社の装置技術をご紹介しております。 ぜひ、ご覧ください
半導体・液晶関連の方、必見！【サイズ・板厚・材質・精度の4ポイントで部品加工に役立つ情報を紹介！】
- その他半導体製造装置
半導体製造装置の真空チャンバー切削加工事例！長さ1200×幅1100×高さ380、複雑な形状をした大型チャンバーも加工可能！
- その他半導体製造装置
大手装置メーカー様にゲートバルブ製品数千台の納入実績あり！ 半導体Φ300ｍｍ／液晶G10_3000mmサイズにも対応可能！
- その他半導体製造装置
SEMICON JAPAN2023出展報告
2023年12月13日から3日間開催されたSEMICON JAPAN 2023は、無事に閉幕となりました。 のべ来場者数は約85,000人！ 昨年の51,000名を優に超える参加者で、業界の注目度の高さを感じました。 弊社のブースには、既存のお客様や普段お付き合いのある業者さんなど、 多くの方にお立寄りいただき、直接会ってお話をすることができました。 今回の出展を機に新しいコネクションもできたので、大変実りの多い時間となりました。 この場を借りて御礼申し上げます。ご来場いただいた皆様、本当にありがとうございました。
φ450（18インチ）治具 Siウェハと同等の比重、ヤング率！ 低価格！
- ファインセラミックス
- その他半導体製造装置
SiC/Si複合材料をターゲット材としてご使用頂いております。
- スパッタリング装置
- その他金属材料
- ファインセラミックス
最大□800ｘ40tのSiCセラミックス製品を高精度で提供します。装置性能向上や熱問題解消等、採用効果を実績にて紹介します。
- ファインセラミックス
- その他機械要素
- その他半導体製造装置
軽量高剛性の金属セラミックス複合材料により装置性能が向上します
- マウンター
- その他半導体製造装置
- その他産業用ロボット
「光とレーザーの科学技術フェア2023」に出展いたします。
オプトシリウス株式会社は、「光とレーザーの科学技術フェア2023」に出展いたします。 【開催概要】 開催期間：2023年11月7日(火)～9日(木) 会 場：パシフィコ横浜（展示ホールC） 小間位置：S-10 主な展示品：レーザーパワー測定器、小型分光器、積分球、量子ドット、配光装置、高出力LED、レジスト 詳しくは以下のリンクをご参照ください。 https://www.optronics.co.jp/fair/
受託テスト成膜サービス（高品位反応膜などの試験成膜）のご案内
これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体ターゲットや、金属ターゲットとセラミックターゲットなどの異物質Co-スパッタ研究。 次世代のMEMS用途として注目されるAlScN成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。 ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体ターゲットや誘電体ターゲットも安定した製膜を実現します。 イオン源とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層薄膜も成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。