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オゾンで過酸化水素を置き換え！水・排気・化学品を大幅に削減【半導体業界向けウェットプロセス装置】半自動装置
当社の半自動装置は、高性能、効率的な化学物質の再循環、設置面積の最小化、スペース効率の最適化で際立っています。 【特長】 ■従来のRCA洗浄につき、過酸化水素の代わりにオゾンを使用することでケミカルコストを低減 ■高濃度オゾン水ではないため、特殊な仕様は不要 ■エッチングやレジスト剥離など他のウェットプロセスと統合し、ウエハを移動させずに複数の処理工程を実施できる ■オゾンは分解しやすいため、産廃コストも低減 ■設置面積2m2未満 ■25枚または50枚ウェーハのチャンバーを使用可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
めっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案 ウエハ上アルミニウム電極 UBM形成 めっきプロセス
UBM（Under Barrier Metal）には無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきなどが採用されていますが、従来のプロセスでは、アルミニウム電極の局部腐食、めっきの外観不良や密着不良などが生じるという課題がありました。 また、近年、パワー半導体では高耐圧化、高電流化が進むに伴い、無電解めっき皮膜にもさらなる高耐熱化が求められています。そこで、当社はアルミニウム電極の減膜や局部腐食を抑制し、無電解Niめっきの均一析出性、めっき平滑性、めっき密着性に優れたウエハ上アルミニウム電極用 UBM形成 めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」を新たに開発しました。UBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」とあわせて、半導体後工程用のめっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案します。
浴安定性に優れた焼結基板上の金属インク回路への無電解ニッケル-ホウ素めっきプロセス
光通信モジュール部品やパッケージ部品は、微細配線化が進み、無電解Niめっきに求められるパターン性もますます高くなってきています。当社は、従来よりもパターン性に優れた焼結基板の金属インクペースト上への無電解ニッケル-ホウ素めっきプロセスを新たに開発しました。
微細配線へのめっきに最適なファインパターン性に優れた無電解ニッケル/金めっきプロセス
電子機器の軽量化、薄型化、小型化、高機能化が進むにつれて、 半導体部品を搭載する半導体パッケージ基板にはパターンの微細化が求められています。 当社は、ボイドやピンホールの発生を低減し、高い接続信頼性があるファインパターン対応の無電解ニッケル/金めっきプロセスを新たに開発しました。
耐熱性に優れたパワーモジュール向け絶縁回路基板用無電解めっきプロセス
近年、高温動作が可能な次世代のパワー半導体としてSiCやGaNデバイスが注目されており、これらを搭載した次世代パワーモジュールは200℃以上の常時動作が想定されます。そのため、高温環境下でもはんだへのニッケル拡散が少ない皮膜が要望されています。また、従来のはんだ接合に代わる高耐熱性の接合法として、銀粒子ペーストによる焼結接合が注目されており、接合強度の向上を目的に銀めっきが要望されております。 そこで、当社はパワーモジュール向け絶縁回路基板用無電解めっきプロセスを新たに開発しました。
環境負荷物質を使用しないプラスチック向け装飾めっきプロセス
メタリックで、高級感のあるプラスチックめっきは、自動車、バイク、家電製品、キッチンや浴室などのインテリア用品のデザイン性の向上に広く採用されている表面処理技術です。当社は、REACH規制で制限されている6価クロムに加えて、高価なパラジウムも使用しない6価クロムフリー前処理プロセス“トップゼクロムPLUSプロセス”を新たに開発しました。 環境負荷物質を使用しないプラスチック向け装飾めっきプロセス、“トップゼクロムPLUSプロセス”は、高いエッチング力と密着性を実現します。エッチングと触媒付与を同時に行うことで、従来プロセスと比較して、大幅に工程を短縮できます。
めっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案 ウエハ上アルミニウム電極 UBM形成 めっきプロセス
UBM（Under Barrier Metal）には無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきなどが採用されていますが、従来のプロセスでは、アルミニウム電極の局部腐食、めっきの外観不良や密着不良などが生じるという課題がありました。 また、近年、パワー半導体では高耐圧化、高電流化が進むに伴い、無電解めっき皮膜にもさらなる高耐熱化が求められています。そこで、当社はアルミニウム電極の減膜や局部腐食を抑制し、無電解Niめっきの均一析出性、めっき平滑性、めっき密着性に優れたウエハ上アルミニウム電極用 UBM形成 めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」を新たに開発しました。UBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」とあわせて、半導体後工程用のめっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案します。
イメージセンサの黒色材料に最適なアルミニウム用低反射性プロセス
光を電気信号に変換し、データ転送を行うイメージセンサは、デジタルカメラやスマートフォンでの撮像目的だけでなく、ADAS（先進運転支援システム）における距離測定や、産業用ロボットが適切に動作するためのセンシングとしても活用されています。 イメージセンサの受光部には、光の乱反射防止や迷光除去の目的で、低反射な黒色材料が用いられます。従来、アルミニウム材料を黒色化する場合は、黒クロムめっき、黒色無電解ニッケルめっき、黒染めのアルマイトなどが行われてきましたが、環境負荷の問題や耐食性が得られにくいという課題がありました。そこで、当社は、従来の黒染めのアルマイトよりも低いL値を示す、直接施工が可能なアルミニウム用低反射性プロセス「トップアルクロイプロセス」を新たに開発しました。
2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロスライト社のTCAD。無料試用版あり！
＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア「APSYS」 ■Stanford大学開発のSUPREMをクロスライトが独自に機能拡張した「CSUPREM」 ■マスク編集ツール(GDSII可) ■デバイス断面構造の入力・編集ツール ■シミュレーション結果をグラフィカルに表示 ＜デバイスシミュレーションのための多様な物理モデルや機能＞ ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布 ■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布 ■様々なバイアス条件のもとでのバンド図 ■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果 ■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド ■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布 ■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布 ■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性 ■その他機能や詳細については、カタログをダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版は「試用版お申込フォーム」からお申込みください。
大型品の高速・大量生産まで！フレキシブルな対応をしております
「Vプロセス」とは、アルミ鋳造方法の1つで、鋳型の材料となる砂を、 減圧により造形する減圧鋳造のことです。 砂型鋳造の一種でありながら、砂を硬化剤で固めないため、鋳造後の 鋳物砂を特別な処理なく繰り返し再利用でき、以前の砂型鋳造方法に 比べ産業廃棄物が少なく、低公害・省資源・省エネルギーを実現できる 活気的な鋳造方法。 エクステリア製品から様々な大型製品にまで幅広く活用しています。 【特長】 ■鋳造後の鋳物砂を特別な処理なく繰り返し再利用できる ■産業廃棄物が少なく、低公害・省資源・省エネルギーを実現 ■エクステリア製品から様々な大型製品にまで幅広く活用 ■小物から大型製品まで適用範囲が広い ■複雑な形状や薄肉軽量化にも対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
測定、試験、把握、管理。包括的な試験系統が生み出す最高クラスの品質
ODUの試験プロセスについてご紹介します。 「機能性」「信頼性」「品質」そして「安全性」は、コネクタと そのシステムにおけるキーワードです。これらの実現には、 根本的な物理現象の深い理解が必要とされます。 また、開発・設計プロセスにおける様々な認証試験、製造プロセスにおける 徹底した品質管理を通して、つねに製品の機械的・電気的特性を 確認・検証することが何よりも重要になります。 ODUの社内技術試験センター(T2C)は、アプリケーションに応じた基準値の 検証、および様々な試験方法を開発・適用の機軸の双方を担っています。 この二重の機能を持つT2Cによって、コネクタとコネクタシステムの さらなる技術開発に不可欠な知識的土台が築かれています。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
凝集とフロックの形成メカニズム、凝集沈殿の具体的な処理方法などをご紹介！
排水処理において、「凝集沈殿」は重要な役割を果たしています。 凝集沈殿法では、重金属など排水中の微細な物質を凝集剤で結びつけ 「フロック」と呼ばれる大きな塊に変え、それを沈殿や浮上させて水と 分離する仕組みです。 凝集沈殿の原理やフロックが沈澱するプロセスに関する知識は、 排水処理の初心者も理解しておくべきポイントです。 この記事では、凝集沈殿の基礎知識から具体的な処理方法まで、 初心者にもわかりやすく詳しく解説します。 ※ブログの詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
有機溶剤を使わずにドライエッチング後の樹脂残渣を除去！
ドライエッチング後に側壁（サイドウォール）に残ったポリマー残渣は従来、有機溶剤系のケミカルで除去されてきましたが、環境・安全など、サステナビリティの観点から調達が困難になりつつあります。Siconnexでは、半導体ファブで一般的に使用される無機ケミカルを使用してドライエッチング後のポリマー残渣を除去する『perc（Post Etch Residue Clean)』プロセスを開発しました。 【特長】 ■無機ケミカルにてポリマー残渣を除去 ■ケミカルコスト・産廃コストの削減が可能 ■設置面積2m2未満 ■タンクシステムと組み合わせてエッチングやレジスト剝離も一台で可能 ■25枚または50枚ウェーハを1バッチで処理可能なチャンバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
きっかけとなるスクライブラインを形成！割断のプロセスについてご紹介
「割断」のプロセスについてご紹介いたします。 割断のきっかけとなるスクライブラインを形成した後、スクライブラインに 沿って亀裂進展させ個片にし、隣接する個片同士の接触防止のため テープを拡張します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【プロセス】 1.スクライブ工程 2.ブレーク工程 3.エキスパンド ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
