更新日： 集計期間:2025年04月02日～2025年04月29日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年04月02日～2025年04月29日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年04月02日～2025年04月29日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
31～45 件を表示 ／ 全 91 件
CoS (Chip on Submount )は高精度ダイ/フリップチップボンダーです。
CoS アライメント精度：±3µm@3σ アプリケーション：レーザーアプリケーションが主 同社製品では、レーザー加熱を採用しており、パルスヒータと比べ 高速に加熱実装が可能となります。 サイクルタイム：5～15 sec/chip 接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応 〇その他ダイボンダー/フリップチップボンダー装置 アライメント精度 NANO ±0.3µm @ 3σ AFCplus ±1μm@3σ Nova + ±2.5μm@3σ 〇その他ASMPT製取扱い装置 ・マルチレーザーダイシング装置 ・ワイヤーボンダー装置 ・２次元、３次元パッケージ外観検査装置 ・その他ダイボンダー装置（アライメント精度0.2µm～25µm） 〇ASMPT装置導入実績（国内、国外トータル）： 年間2000台 ダイボンダー、年間4000台ワイヤーボンダー
アライメント精度±0.2μmを実現。光通信関係、シリコンフォトニクス関連を中心に導入実績豊富
『NANO Pro』は、ASMPT社の特許取得済みのアライメント技術を用いて、 個片化されたチップを±0.2μmの超高精度で ウエハ、サブストレート、チップに接合できるボンディング装置です。 レーザー接合を採用し、ボンディング時に局所加熱と高速温度プロファイルを実現。 ボンディング時の振動や装置外からの振動を抑制する機構も搭載しています。 【装置主要仕様】 ■アライメント精度：±0.2μm@3σ ■サイクルタイム：18秒（材料により変動） ■ダイサイズ：0.1mm to 25mm ■サブストレートサイズ：MAX 300×300mm ■ボンディングフォース（荷重）：3g up to 2000g ■接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 【採用実績】 ■光通信関係 ■シリコンフォトニクス関連 ■R&D向けや量産工場 ■MEMSセンサー、LiDAR、VCSELなど ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
AD838L-G2は、LED関係で非常に実績が多いエポキシダイボンダーです
AD838L-G2は、個片化されたチップをサブストレートに高速でボンディング可能な装置です。 マルチダイにも対応しており、充実したInspection機能を搭載しております。 【装置特徴】 ・アライメント精度：±10µm @ 3σ ・約0.25秒/chipと高速ボンディングが可能 ・様々な薄いチップを容易にピックアップ可能な機能搭載 ・デュアルディスペンス機能搭載（様々なダイサイズに応じてのドットやライティングに対応） ・ボンディング前後の充実したInspection機能搭載 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±10µm @ 3σ ・UPH：14 000（約0.25秒/chip） ※接合材料やダイ/サブストレート仕様により変動 ・ダイ対応サイズ：0.15 × 0.15 mm – 2.03 × 2.03mm ・サブストレートサイズ：長さ60 – 300 mm 幅60 – 100 mm アライメント精度/サイクルタイム/ダイサイズなどに応じて最適な装置をご提案致します。 ダイボンダーをお探しの際は、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速かつ正確に、チップをサブストレートやリードフレームへボンディング。
『INFINITE』は、個片化されたチップを超高速かつ高精度に サブストレートやリードフレームへボンディングできる装置です。 エポキシ樹脂のディスペンス量や幅のほか、ボンディング時のはみだし量も制御可能。 ディスペンス前後やボンディング前後の検査機能も搭載しており、 QFN、BGA、MEMS、SiPなどの様々なアプリケーションに活用可能です。 【特長】 ■薄チップや大判ダイも高速ボンディング可能 ■無加圧シンタリング材や強粘度材などの様々なエポキシ材料に対応 ■アライメント精度は±20μm＠3σ ■最高0.19秒/チップの高速処理が可能 ■ダイ対応サイズ：0.2×0.2～9×9mm サブストレート対応サイズ：長さ100～300mm、幅15～100mm ※＜PDFダウンロード＞より製品資料ご覧いただけます。
多様なサイズ 高精度 フレキシブルな対応が可能に！
■様々な顧客要望に対応するマルチモジュールボンダーを導入致しました。 【対応例】 ・イメージセンサ：1型、フォーサーズ、APS-C、フルサイズ ・パッケージ：大型イメージセンサ、大型カメラモジュール、ラインセンサーなど ※上記以外のサイズ、パッケージも対応できますので、ご相談ください。 ■表面実装（SMT）、基板切断、ワイヤボンドなど他工程との組み合わせ対応も承ります。 ■各種解析も社内で対応可能です。
少量生産・開発用に最適なフリップチップボンダ 光デバイスなどに要求される高精度実装に最適です
本機は、実験や開発、少量生産に適した半自動タイプの高精度フリップチップボンダです。 デジタル設定可能なパルスヒートステージと各種オプションにより、幅広い実装プロセスに、これ１台で対応できます。
光デバイス量産に最適化された高精度ダイボンダっです。更に高精度のFDB210Pもライナップしています。
本機は、量産対応の光通信モジュール/光デバイス生産用高精度ボンダです。 フリップチップと搭載にも対応しています。 チップ・基板をトレイで供給するFDB210型とグリップリング供給のFDB211型があります。
ボンディング中のプロセス監視、パラメータ自動最適化機能を持つハイエンド向けK&Sの最新モデル ワイヤボンダ「RAPID」シリーズ
K&Sの『RAPIDシリーズ』は独自機能「リアルタイムプロセスモニタリング」で ボンディング中の様々なプロセス情報をリアルタイムで監視、 潜在的な不良を早期に発見、市場流出を防ぎます。 パラメータ最適化機能（RAPIDPro RAPIDMEM）で条件出しの工数を短縮。 【特長】 ■ 全ワイヤ リアルタイムでのプロセスモニタリング機能標準搭載 ■ エラー発生時の画像を自動で保存 ■ 装置間機差を最小限にするOBPFキャリブレーション ■ 高度なデータ解析とトレーサビリティ ■ 銅ワイヤ、金ワイヤ、銀ワイヤ対応 ■ 装置ヘルスチェックと予測保全機能 ■ 強化された検査機能（ボール径、位置、ワイヤ高さ、ワイヤ曲がり etc..） ■ パラメータ自動最適化機能「レスポンスベースプロセス」（RAPID Pro、RAPID MEM） ■ Industry 4.0対応 ■ RoHS準拠 ※詳しくはお気軽にPDFダウンロードまたはお問い合わせ下さい。
12インチウェハも対応！ダイシングテープ上でのバンプボンディングを可能にする低温ボンディング性能
K&Sの『ATPremier PLUS』は12インチウェハ対応のバンプボンダです。 優れた低温ボンディング性能。ダイシングテープに張り付けられたウェハそのままで 加熱することなくバンプボンディングが可能です。 独自設計の市場最小クラスのフットプリントで12インチをサポート。 更なるオプションで銅ワイヤ、銀ワイヤにも対応。アプリケーションの可能性を拡げます。 【特長】 ■ 最大12インチ径のウェハ、セラミックス、基板などへのボンディングが可能 ■ ボンド位置精度 ・±3.5μm@3σ(200mmワーク) ・±5.0μm@3σ(300mmワーク) ■ 最高クラスの低温 金バンプ性能 ■ 市場最小クラスのフットプリント ■ アップグレードオプション ・銅、または銀アロイワイヤ対応 ・ワイヤボンディング ■ プログラマブルバックアップバッテリーシステム ※詳細な仕様についてはお気軽にお問い合わせまたはカタログダウンロードください。
太線75umも対応 ディスクリートデバイス用高速フルオートワイヤボンダ「POWERNEXX」
ディスクリートデバイスに特化した装置で、コストオブオーナーシップの低減を実現します。 【特長】 ■ 位置精度2.5μm@3σ ■ 最大75umワイヤ対応 ■ 高速X-Y-Zモーションコントロールとビジョンシステム ■ 新プロセスQuick-Suiteで条件出しをサポート ■ ピエゾワイヤクランプとオートキャリブレーション ■ 業界最小クラスのフットプリント ■インタラクティブなプログラマブル先行認識でセットアップを容易にし、最大限のスループットを実現 ■ SHTLとNSOLのオートリカバリー機能によるMTBA性の向上 ■ BITSのセルフティーチングと自動最適化 ■ Au／Cu／Agワイヤ標準対応 ※詳しくはお気軽にPDFダウンロードまたはお問い合わせ下さい。
デュアルヘッドで3um位置精度で最大UPH15 000を実現！高速／高生産性フリップチップボンダ
K&Sのフリップチップボンダ『KATALYST』は最高クラスの 精度と速度を提供する装置です。 高度な自動化とソフトウェア機能の採用により、マルチノズルでも まるでシングルノズルマシンのような卓越した使いやすさを実現。 ツールレスによる素早いアプリケーション切り替えが可能です。 そのハードウェアとテクノロジーにより ベストなコストオブオーナーシップをもたらします。 【特長】 ■ デュアルヘッド + マルチノズルで高い生産性 ■ マルチダイ・ピックアップとマルチダイディップフラックス ■ 15 000UPH ■ 50μm薄ダイピックアップ性能 ■ ＜3μmの精度 ■ シングルノズルセットアップとティーチング ■ マシンヘルスチェック診断 ■ 材料とプロセスのトラッキング ■ 精度自動安定機能 ■ エレクトロニック振動キャンセル機能 ■ フラックスディップ品質検査 ■ ダイエジェクター、ピックツール、およびプレースツールの オートチェンジャー ■ インダストリー4.0準拠 ※詳しくはお気軽にPDFダウンロードまたはお問い合わせ下さい。
LEDデバイスに特化した高速フルオートワイヤボンダ。
K&Sのワイヤボンダ『ULTRALUX』はLEDデバイスに要求される仕様に 特化した最新の高速ワイヤボンダです。 LED向けの様々なループ形状に対応。 コンパクト設計のオプティクス、改良されたモーションコントロール システム、Quick-LED Suiteプロセスによりパラメータの自動最適化を アシスト、条件出しの工数削減を実現。 ベストなコストオブオーナーシップで投資コストを最大10%削減。 金ワイヤからの置き換えも進んている銅ワイヤ、銀ワイヤにも対応（オプション）プロセスの最適化も容易で、 既に多くのお客様での量産でご使用頂いております。 【特長】 ■ 自動条件出し機能で製品立ち上げ時間を短縮化 ■ 高生産性、高歩留まり ■ 低質量、高剛性のXYZ軸デザインとアドバンスド・クローズド・ループ・サーボコントロール ■ SHTL、NSOP、NSOLへの自動エラーリカバリー機能の強化 ■ 優れたルーピング制御で高信頼性を実現 ※詳しくはお気軽にPDFダウンロードまたはお問い合わせ下さい。
±1um以下の超高精度アライメント。試作開発に最適
試作／開発に特化したダイフリップチップボンダー。 高精度ダイボンダー＆フリップチップボンディング機能を兼備え モニター画面により手動調整にて超高精度ボンディングを行います。 （型式：MOA1250の場合 無負荷アライメント±１micron） PC又はシーケンサーコントロールにより簡易に高精度ボンディングを実現。 ●シリコンウェハー／チップ／セラミック基板／FR4等対象物を選びません。 ●アクチュエーター単位に移動量のフィールドバックを行い、超高精度を実施。（MOA-1250タイプ） ●エアーカーテン方式ヒートアップステージにより、低酸素濃度中でのボンディング可。 ●多様なオプション 角錐コレット、パルスヒーター、スクライブ機能他。 ●装置は全て受注生産方式、レイアウト、予算、機能等カスタマイズ可。
レーザーダイオード、微細チップの実装開発試作に最適
カメラ上下2台設置 チップアライメントマーク、バンプ、パッド、外形などによりアライメント 高精度にボンディングを実施。 デバイス品種、材質やボンディング工法に制約のない 汎用型の簡易フリップチップボンダー
