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半導体製造等において広く用いられる「水素アニール評価」の一環として、 TDS(Thermal Desorption Spectroscopy)にて測定した事例をご紹介します。 真空中で昇温しながら質量分析を行うことで、Ta板からの脱離ガス成分や 水素の脱離温度などを確認することができました。 また、脱離ガスを質量分析することで、ガス種の同定や目的成分ごとの 脱離挙動を知ることができます。 【事例概要】 ■試料からの昇温脱離ガスプロファィル ■質量分析(m/z＝1～199)による脱離ガス種の同定、脱離ガス量の比較 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「薄膜X線回折(XRD)」についてご紹介します。 数nmレベルの薄膜の結晶構造同定に加え、X線反射率測定による 多層膜の膜密度・膜厚・粗さの解析も可能。 平行性の良いX線を試料に極浅い角度で入射させることで、X線の 侵入深さを極めて浅くすることができ、In-Plane XRDによる薄膜の 結晶性評価や、XRRによる薄膜の物性測定ができます。 【特長】 ■In-Plane XRD(面内回転測定) 数nmレベルの結晶性薄膜の評価 ■XRR(X線反射率測定) 膜密度・膜厚・(表面・界面)粗さの評価 ■一般的な薄膜法(θ固定2θ走査)も対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「XRDによるハイドロキシアパタイト顆粒の化合物同定」について ご紹介します。 構成元素は同じで性状の異なる化合物は数多く存在します。例えばリン酸 カルシウムと呼称される化合物は多く存在し、薬用成分としても用いられる ハイドロキシアパタイト(HAp)もその一種ですが、元素分析では原則として 化合物種までは識別できません。 X線回折(XRD)では結晶構造同定により、構成元素が同じ化合物の識別が可能です。 【特長】 ■原子の周期性を検出 ■XRDパターンのデータベースとの照合などにより、 元素分析だけでは 困難な化合物の同定が可能 ■リートベルト法が適用できる場合など、結晶相の定量が可能な場合もある ■絶縁物・有機物の測定が可能(非破壊分析) ■測定領域は、サブmm～数cm ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「電子部品の温度サイクル試験」についてご紹介します。 電子部品は、熱膨張係数が異なる様々な材料によって構成されています。 このため、熱膨張係数の違いによる応力が発生し、不具合が生じる場合が あります。 当試験は、指定された低温と高温に順次変化する環境に試験品を置き、 指定されたサイクル数のストレスを加える環境試験の一つです。 【対応規格】 ■JIS C60068-2-14(IEC 60068-2-14) ■JEITA EIAJ ED-4701/100A ■JEDEC JESD22-A104 ■MIL-STD-883 METHOD 1010 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
「表面実装部品のはんだ耐熱性試験」では、表面実装部品の防湿梱包から リフローまでをシミュレートし、熱ストレス耐性を評価します。 試験で発生した不良事例では、部品内部へ溜まった水分が熱ストレスにより 気化し、体積膨張する事により応力が発生。発生した応力により界面で剥離、 クラックなどの異常が発生します。 これらの異常は外観から確認する事が困難なため、超音波顕微鏡を用いて 内部の密着状態を検査します。 【試験フロー】 ■初期状態を確認 ■恒温槽で水分を排湿 ■恒温恒湿槽で水分を吸湿 ■リフロー装置で熱ストレスをかける ■試験後状態確認 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
「X線光電子分光(XPS)」は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える 表面分析手法です。 材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も 評価可能であり、中和銃を用いることで絶縁物表面も測定可能であるため、 種々の材料表面の解析に広く利用されています。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【特長】 ■数nmの最表面の組成分析(Li～)が可能 ■感度は、0.1atomic％程度 ■電子状態分析(化学結合・価数・ギャップなど)が可能 ■絶縁物・有機物の測定が可能(非破壊分析) ■測定領域は、数十～数百µmφ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「自動車用バンパー塗装膜の断面観察」についてご紹介します。 自動車用バンパーの塗装膜は数種類の塗料を用いた多層構造になっています。 一般的な機械式研磨加工による断面観察では、添加されている微粒子の 脱粒などが発生し、その正しい構造が確認できません。 イオンミリング法(Ar＋イオンビーム)を用いて加工することで、脱粒などの 微細構造を壊さずに断面構造や元素の分布を確認することができます。 【特長】 ■SEM観察により、塗装膜の多層構造および添加微粒子を明瞭に確認可能 ■元素分析を併用することで、各添加粒子の分布を明瞭に確認可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「アルマイトの微細構造観察」についてご紹介します。 市販のフレームにおけるアルミ材は、耐食性や耐摩耗性などを目的として、 表面に陽極酸化皮膜(アルマイト)を形成しています。 一般的な機械式研磨加工では、アルマイトの細孔形状が崩れてしまい、 その構造が確認できません。イオンミリング法(Ar＋イオンビーム)を用い 加工することで、微細構造を壊さずに断面構造や元素の分布を確認できます。 【EPMA分析による元素分布】 ■SEM観察により、アルマイトの微細構造が明瞭に観察可能 ■封孔処理により細孔がきれいに埋っていることが確認できる ■元素分析を併用することで、アルマイトの下層側には電解着色により 析出したと考えられるSn(スズ)の分布や硫酸浴(H2SO4)中のS残渣の 分布も確認できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「放射光トポグラフィーによる欠陥評価」について ご紹介します。 SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、 素子特性に大きな影響を与えます。 当評価により、高い分解能で4インチ～6インチの大口径ウェーハ全面の 欠陥評価を非破壊で行うことが可能です。 【特長】 ■各種の結晶欠陥を数μmの解像度で可視化することが可能 ■ラボ装置では検出できない、貫通刃状転位(TED)の検出が可能 ■欠陥の種類、分布を評価することが可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では「X線照射試験」を行っております。 X線は、非破壊かつ短時間で物質内部の状態を確認するのに適した性質を もつことから様々な場面で使用されています。 一方、X線と物質との相互作用により製品性能に影響が出たり、変色などの 異常が発生することがあります。こうしたX線による物質への影響や耐性を 評価するための手法として、X線照射試験をご紹介します。 【X線照射装置スペック】 ■管電圧：40～160(kV) ■管電流：1.0～12.5(mA) ■管電力：Max 800W ■固有フィルター：Be 0.8mm ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「放射光HAXPESによる埋もれた界面の評価」について ご紹介します。 X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、 表面分析では不可欠な手法。 ラボ型XPS(Al Kα：1.5keV)では、3nm程度の極表面の評価に限られますが、 外部施設を利用した硬X線光電子分光(HAXPES)：8keVにより、多層構造や 実デバイスに近いスタック構造の埋もれた界面など、より深い領域の評価が 可能となります。 【特長】 ■通常のXPSに比べて検出深さが大きい ■深いエネルギー準位からの光電子を測定 ■同時に発生するオージェ電子などの重なりがなくなるため、状態分析が容易 ■第三世代の放射光施設(SPring-8)を高輝度X線源として利用可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「金属表面のコーティング膜解析」についてご紹介します。 金属表面に腐食防止などを目的に形成されたコーティング膜(樹脂や セラミックス)を評価する際には、イオンミリングによる断面加工を施す ことで、金属との接合状態や樹脂材料成分の分散状態を明確に観察可能。 イオンミリングは、SEMなどの断面観察用の試料作製に用います。Arイオンを 試料の加工該当部に照射し、そのスパッタ効果を用いて加工します。 【イオンミリング加工のメリット】 ■介在物を脱粒させずに、そのままの状態で確認できる ■空隙が確認された場合は、脱粒によるものではないことが特定できる ■元素分布確認(EDS分析)にて、白色樹脂内の粒子、金属との界面、 金属表面のメッキ層の積層が明確に確認可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「レジストパターンの断面形状観察」についてご紹介します。 複雑な3次元形状に形成されたレジストパターンのできばえ評価において、 熱に弱いレジストパターン試料を試料冷却機構と3軸イオン源を有する イオンミリング技術により、ダメージのない断面加工をすることで、 広範囲(約3mm幅)の複数パターンの断面形状を高精細で観察可能。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【特長】 ■3軸のイオン源を用いることで1軸のタイプよりも加工幅が広く、 複数のパターンの断面形状を確認できる ■冷却しながら加工することで、レジストにダメージを与えない ■形状の異なる方向から加工することにより、各々の断面形状を確認可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「セラミック焼結体の断面観察」についてご紹介いたします。 多孔質な材料の断面観察において、研磨などの手法では加工による応力の 影響や研磨材の混入などのため、断面観察が鮮明ではありませんでした。 断面イオンミリングの適用により、低ダメージの断面加工が可能になり、 鮮明な断面観察および分析ができます。 【特長】 ■焼結孔の形状や内部の状態が、正確に観察できる ■元素分布が明瞭に観察できる ■低ダメージの断面加工が可能 ■鮮明な断面観察および分析ができる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
「高性能磁場型SIMS」は、すべての元素を高感度で深さ方向分析できる 装置です。 低エネルギー分析でも高感度かつ高質量分解能分析が可能な高性能SIMSに よって、難易度の高い、極浅領域における高精度な測定が可能となりました。 これにより、微細化や材料の多種多様化が進む半導体デバイスへ適用できる ようになりました。 【特長】 ■高感度測定(高い透過率) ■高質量分解能 ■極低エネルギー分析から通常分析まで様々な測定が可能 ■高輝度イオン銃搭載 ■高い繰り返し精度での自動測定、測定可能試料数25個 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「多孔性軟質材料(紙)の断面観察」についてご紹介いたします。 多孔質でかつ軟質な物質で構成された紙などの材料を観察する場合、 一般的な断面作製方法の切断や研磨では、加工時の変形が大きく、 観察に適さない場合があります。 断面イオンミリングによる低ダメージ加工は、加工変形を最小限に できるため、断面観察による詳細な構造を把握することができます。 【特長】 ■セルロース繊維の積層構造や充填剤粒子の分散状態が明瞭に確認可能 ■空隙も鮮明に見える ■加工変形を最小限にできる ■断面観察による詳細な構造を把握できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「磁性金属多層膜の組成・状態分析」についてご紹介します。 GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、 HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。 このような磁気抵抗素子の特性は、構造や界面により大きく変化するため、 それら挙動を各種分析手法を組み合わせで解析することが重要です。 【界面の状態解析】 ■XPS ■HAXPES ■TEM-EELS ■3DAP(APT) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析」についてご紹介します。 ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには 1nm以下の深さ方向分解能が必要。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側) からの測定を行うことで、より信頼性の高い解析が可能になります。 XPSの検出深さは数nm以下と浅いので、Si基板部分を裏面から研磨やウェット エッチングにより除去してXPS測定を行います。 【得られる情報】 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の不純物の分布・結合状態 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の組成変化 ■バンドアライメントなど ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「半導体の表面・薄膜解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスのプロセス開発・工程管理・不良解析において、材料評価・ 故障モードの特定に有効な分析をご提案。 表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調べ、研究開発 および製造プロセス・不良解析に役立つ情報をご提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【最表面】 ■組成：XPS ■結合状態：XPS ■汚染：TOF-SIMS・ICP-MS ■ラフネス：AFM・SEM ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「昇温脱離ガス分析(TDS)」についてご紹介いたします。 材料や部品から発生するガスを把握することにより、表面付着物、 工程改善策の確認や不具合発生原因の推定を行うことが可能です。 昇温脱離ガス分析(TDS)では、真空中で試料を昇温加熱した際に、 表面および内部から発生するガス種の同定(定性分析)やガス量の 半定量分析ができます。 【特長】 ■試料サイズ：10mm×10mm、4mm(厚さ)まで ■試料加熱雰囲気：高真空(10^-7Pa) ■温度 ・室温～1,400℃(試料ステージ温度) ・室温～約1,150℃(Si基板校正温度※) ※埋め込み熱電対による高精度な温度補正を実施 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「Siウェーハのひずみ解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ薄研削加工の際に生じる 残留応力によって、製品の故障・不良・劣化につながる可能性があります。 今回、Siウェーハに対して機械研磨を行うことで表面の結晶性を低下した 状態にし、研磨前後の結晶性変化をX線ロッキングカーブ測定で評価。 X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを 検出することができます。 【技術概要】 ■ロッキングカーブ測定 ・回折が起こる角度位置に検出器を固定し、試料のみ回転させることで、 回折条件を満たす回転の角度分布が測定できる。 ・角度分布(ロッキングカーブ)のピーク幅・強度は、結晶ひずみなど 結晶面の傾きのばらつきを反映し、結晶性の評価指標となる ・単結晶では、高角度分解能測定により、微小なひずみを評価できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
SiC MOSFETでは近年、オン抵抗対策のため、n-基板とn-ドリフト層の間に 数百nmオーダのn-バッファ層が挿入されています。 n-バッファ層の評価では、深さ方向分解能を向上させるため、上層に位置する 数μmオーダのn-ドリフト層を薄膜化し、その表面を平坦化する必要があります。 今回当社にて、薄膜加工したSiC化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。それによりD-SIMSを用いてn-バッファ層厚・窒素(N)濃度を 捉えることに成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜の前工程由来成分(不純物)の拡散は、 絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。 今回当社にて、薄膜加工したGaN化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。 それによりD-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに 成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「X線反射率測定(XRR)による薄膜評価」についてご紹介いたします。 X線反射率測定(XRR)は、臨海全反射各近傍でのX線の減衰や干渉縞のある X線プロファイルと計算で得られたプロファイルをフィッティングさせることで、 表面(界面)粗さ・膜密度・膜厚の情報を得ることができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【解析可能な薄膜】 ■試料表面：鏡面(表面粗さ 5nm以下) ■試料サイズ：30mm×30mm以上 ※サイズが小さい場合はご相談 ■膜厚：2nm～500nm ■必要な情報：膜構造および膜組成情報 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ウェーハベベル部の成分評価は一般的にTEMやTOF-SIMSで行われていますが、 これらの手法はいずれも感度や定量に制限があり、微量の成分評価は困難と されてきました。 今回、新たに開発した専用治具を用いることで、感度・定量に特化したSIMS (D-SIMS)にて高精度に成分評価する手法を確立しました。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【技術概要】 ■傾けた不安定な状態の試料の位置ずれ、検出安定性の低下を 防止するために専用治具で固定 ■測定位置を高精度かつ自由度高く選択することができる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
酸化膜の形成プロセスにおいて、酸化膜厚の制御は非常に重要な項目の1つです。 そこで、光電子分光を用いて表面酸化膜の膜厚を非破壊で見積りました。 表面が薄い酸化膜で覆われているような試料の場合、多くの元素の光電子ピークは 酸化物成分と基板成分に対応して2つのピーク構造を示します。各成分のスペクトル 強度を測定することによって酸化膜の膜厚を見積ることができます。 非破壊にて膜厚を求める分析手法はいくつかありますが、他の手法に比べ、 特定箇所の膜厚の見積りが可能であるところが、この手法の特長です。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
硬X線光電子分光(HAXPES)は、これまで軟X線領域での測定が主流であった 光電子分光を硬X線領域で行うことでバルク敏感な測定が可能となり飛躍的な 進歩を遂げました。 一方で、表面状態の分析を目的としてX線の全反射条件下でのHAXPES測定も 行われています。 全反射条件ではX線が全反射臨海角で入射するため、物質中へ侵入できる深さが 制限されます。この特性をHAXPESに適用すると原子層レベルの界面酸化層や 偏析不純物の結合状態の分析が可能となります。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
変色した銅部材表面のXPS分析についてご紹介いたします。 銅の変色の原因は、腐食物の生成による場合のほか、表面酸化膜の厚さの違い (光の干渉現象による発色)が原因となる場合もあるので、X線光電子分光(XPS) による最表面の定性分析に加えて深さ方向分析も実施すると有効です。 添付のPDF資料にて、銅部材の表面定性分析と深さ方向分析を実施し、変色部分と 正常部分の比較を行った事例をご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【銅表面の変色状態評価】 ■X線光電子分光(XPS)による最表面の定性分析に加えて深さ方向分析も 実施すると有効 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「SAXSによるDDS製剤高分子ミセルの粒子評価」について ご紹介いたします。 DDS(ドラッグデリバリーシステム)とは、体内の必要箇所に対して選択的に 薬剤を作用させる薬物輸送システムのことで、副作用を抑えることから 大きな期待が寄せられています。 DDSでは高分子ミセルを用いることがあり、当社ではSAXS(X線小角散乱法) により高分子ミセルの粒子形状・サイズ分布の評価を行います。 【特長】 ■SAXS：X線の散乱を用いて物質の構造を解析する分析手法 ■対象試料：個体でも液体でも可能 ■非破壊で分析可能 ■ナノ粒子の形状(球や楕円など)およびサイズ分布の算出が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「Ti酸化物(TiOx)の酸化状態評価」についてご紹介いたします。 Ti酸化物のXPS分析では、内殻準位や価電子帯(Valence)スペクトルのピーク位置・ スペクトル形状・サテライトの位置から酸化状態を調べることが可能です。 添付のPDF資料にて、さまざまな酸化チタンの酸化状態の比較評価を行った 例をご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【特長】 ■内殻準位や価電子帯(Valence)スペクトルのピーク位置・スペクトル形状・ サテライトの位置から酸化状態を調べることが可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
XPS分析の錠剤への応用についてご紹介いたします。 X線光電子分光(XPS)は、X線を試料に照射した際に放出される電子を観測し、 試料内に存在した電子の情報を取り出す分析手法で、極表面の化学組成・ 結合状態・価数などの情報を得ることができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■数nmの最表面の組成分析(Li～)が可能 ■感度は、0.1atomic％程度 ■電子状態分析(化学結合・価数・ギャップなど)が可能 ■絶縁物・有機物の測定が可能(非破壊分析) ■測定領域は、数十～数百μmφ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、 表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果や ノックオンの影響を受けることがあります。 これらの影響を受けない評価方法として、基板側からSIMS分析を行う バックサイドSIMS(Backside SIMS)があります。 添付のPDF資料にて、Backside SIMSによりFが添加されたSiO2膜(FSG膜)から 下層SiO2膜へのFの拡散分布の評価についてご紹介しておりますので、 ぜひご覧ください。 【Backside SIMS原理】 ■裏面側のSi基板を研磨して薄くすることにより、裏面側からアプローチ できるようにする ■Si基板の残厚を制御して薄膜化することや、パターン付試料の任意領域を 薄膜化すること、SiO2層などのSiのエッチングを選択的に停止させる層が ある場合には、ウェットエッチングによりSi基板部分を全て除去することも可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量不純物元素を 同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。 スパッタリングしながら測定するため、膜中の不純物の深さ方向分布を 得ることができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■磁場型SIMS：高感度が要求される不純物の評価に用いる ■四重極型SIMS：深さ方向分解能が要求される評価や、絶縁膜を含む 多層膜の評価に用いる ■飛行時間型SIMS：極表面にある極微量物質の分子構造レベルの評価、 表面の有機物などの汚染状態や微小異物の評価に用いる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
アルミダイカスト部品について、3次元X線顕微鏡(X線CT)による非破壊観察で 内部欠陥の有無などの情報を取得することができます。 また、内部に欠陥が確認された場合、イオンミリングなどを用いた断面加工にて 欠陥を露出させて状態を確認し、介在物が存在する際には、その成分を確認する ことで発生原因を推定することができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【概要】 ■非破壊観察(X線CT)による内部情報の取得 ■断面構造解析(断面加工＋元素分析) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
金属表面の印刷層のできばえ評価として、断面加工により金属との接合状態や 発色成分の分散状態を観察できます。 また、表面からTOF-SIMSのGCIBを用いた深さ方向分析を行うことで表面コート 層から金属までの成分の分布状態や発色成分を確認できます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【GCIB 特長】 ■イオンビーム1原子当たりのエネルギーが小さいため、有機膜などの 深さ方向分析に好適 ■膜の分子構造情報を反映した高質量数のフラグメントを検出可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「リートベルト解析によるX線回折データの定量分析」 についてご紹介いたします。 X線回折データにリートベルト解析を適用することにより、標準試料を 必要とせずに、試料に含まれる結晶相の質量分率、結晶子サイズ、 均一ひずみの定量が可能です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■標準試料を必要とせずに、試料に含まれる結晶相の質量分率、 結晶子サイズ、均一ひずみの定量が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での 深さ方向分析が可能です。 さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高精度な自動測定が 可能になりました。 それによって、短期間で回答が求められる半導体デバイスなどのプロセス開発や 不良解析への迅速なフィードバックを行うことができます。 【特長】 ■高感度測定：Ag、In、Sbなどの重元素の高感度測定が可能 ■高質量分解能測定 ・M/△M＝～10,000 ・SiやSiO2中のP、Al、Fe、Niなどの汚染量評価が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「高温XRDによる極薄膜の結晶性評価」についてご紹介いたします。 高温でのX線回折(XRD)は、各種材料の温度条件による相変化・化学反応・ 格子定数の変化を知るために有効な手段です。 添付のPDF資料にて、nmオーダの極薄膜の結晶構造の変化をIn-PlaneXRD＋ 高温測定で評価した事例をご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【高温＋In-Plane XRD 特長】 ■極低角でX線を入射して面内方向に検出器を走査させる方法 ■入射X線は表面から深くまで入らず、かつ表面に対して 垂直な回折面のみを検出することができる ■数nmの極薄膜についても結晶の情報を得ることができる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で行う「薄膜分析・評価」についてご紹介いたします。 薄膜は電子デバイスの機能性を向上させるための重要な因子の一つです。 薄膜の複合的な分析をご提案いたします。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【詳細】 ■組成評価 ■不純物・汚染評価 ■結合状態 ■密度評価 ■発生ガス ■形状観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当資料では、東芝ナノアナリシス株式会社で行っている「受託分析サービス 信頼性評価」について詳しく解説しております。 温度変化による熱ストレスを与えて耐性を確認する電子部品の温度サイクル試験や X線による物質への影響や耐性を評価するX線照射試験など、豊富にご紹介。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【掲載内容】 ■信頼性試験 ■電子部品の温度サイクル試験 ■温度サイクル試験による経時劣化の観察 ■熱衝撃試験による経時劣化の観察 ■X線照射試験 ■表面実装部品のはんだ耐熱性試験 ■半導体パッケージの接合強度試験 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料では、東芝ナノアナリシス株式会社で行っている「受託分析サービス 非破壊観察」について詳しく解説しております。 磁場顕微鏡で行うプリント基板配線パターン内の電流経路観察や、 超音波顕微鏡でのウェーハ貼り合わせの密着性観察(反射法)などの 事例を多数掲載。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【掲載内容】 ■磁場顕微鏡 ■超音波顕微鏡(SAM) ■3次元X線顕微鏡(X線CT) ■受託分析サービスの流れ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
口腔内崩壊錠は、少量の水で崩壊することが望まれます。 そのような性質を持つ錠剤の設計や作製のためには、 吸水崩壊のメカニズム解明が重要です。 放射光施設の高輝度X線を用いることで、錠剤の吸水と 崩壊過程をリアルタイムでX線透過観察することができます。 【リアルタイムX線透過観察 概要】 ■4s：水滴が広がり徐々に吸水 ■182s：錠剤内部の一部崩壊 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
苛酷試験前後のOD錠の内部構造の変化を捉えることで、顧客工程改善の 一助となった事例をご紹介します。 X線CTは非破壊で試料内部のX線吸収率の空間的な分布を可視化する手法。 試料内部が変化すると、試料内部のX線吸収率分布に変化が起こる場合があり、 定量化することで、試料内部でどのような変化が起きたかの推測が可能。 一定の大きさの領域内でのX線吸収率のヒストグラムの形状を表す値 「歪度」は、試料内部の状態を表す有用な量の一つです。 【データの取得と解析の流れ】 ■試料 ■X線CT観察 ■3次元X線吸収率データ ■データ解析 ■複数の領域内の吸収率分布の歪度の3次元分布 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
カプセル内に含まれる粒子の大きさは薬の効果と密接な関係があるといわれ、 粒度分布を得ることが求められます。 3次元X線顕微鏡(X線CT)では、対象物内部のX線吸収率の違いを3次元で 可視化することにより、非破壊で内部物質の粒度分布を調べることが可能。 塩(塩化ナトリウム)を封入したカプセルの内部監察では、塩粒子を含む カプセルのX線CT像から個々の塩粒子を識別し、粒子の大きさ・表面積 などを統計的に解析することができます。 【事例】 ■塩(塩化ナトリウム)を封入したカプセルの内部観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
打錠条件により、錠剤内部に空隙が残る場合や密度分布が変化する 場合があります。 3次元X線顕微鏡(X線CT)は、非破壊かつ3次元での観察により、 空隙分布や密度変化の数値化が可能で、打錠条件の改善に 役立てることができます。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【錠剤の密度分布とX線CT像の輝度の関係】 ■空気のX線吸収率はほぼゼロで輝度は小さくなる ■固体の占める割合により輝度のヒストグラムの歪み方が異なる ■空隙率が大きい方が歪度が小さくなる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【イプロス初主催】AIを活用したリアル展示会！出展社募集中
