更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
2インチ～12インチ、多品種のシリコンウエーハを豊富な在庫で取り揃えており、小ロット、短納期、安定供給が可能です！
半導体向けシリコン素材の専門商社、トリニティーでは 多品種の『ダミーウェハ―』を取り扱っております。 お客様のご要望に合わせた加工もご対応させて頂いております。 詳細スペック、数量、その他品目についてもお気軽にご相談下さい。 【特長】 ■2インチ～12インチ ■P/N型 ■ベア品／膜品 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小ロット、短納期、安定供給が可能です！ 半導体向けのシリコンウェハーを各種、多数取り揃えております。
株式会社トリニティーではお客様のニーズに合わせ、各種半導体向けの シリコンウェーハをご提案させて頂きます。 前工程向け「モニターウェーハ」や、後工程向け「ダミーウェーハ」等をラインアップ。 それ以外にも各種膜付きウェーハ、高抵抗値ウェーハ、低抵抗値ウェーハ等各種仕様のウェーハをご提供可能でございます。 ウェーハの詳細スペック、数量、その他仕様についてもお気軽にお問合せ・ご相談下さい。 【特長】 ・2 、3 、4 、5 、6 、8 、12 各サイズにてお取扱いしております。 ・膜付、高/低抵抗値、P/N型等豊富な仕様の在庫を取り揃えております。 ※詳細につきましては、カタログをダウンロードして頂くかお問い合わせフォームよりご連絡下さいませ。
様々なニーズに合わせ、適したセンサーをご提案します！
当社では、『熱電対・測温抵抗体・ウエハーT/C』を取り扱っております。 適正な熱処理により熱電対の状態を損うことなく曲げることができる 「シース熱電対」をはじめ、RESICERAMR素子とMIケーブルを接続し、 一体構造とした「シース測温抵抗体」をラインアップ。 その他にも、特注品の対応も可能な「ウエハーT/C」もご用意しております。 【シース熱電対 特長】 ■反応速度が速い ■優れた曲げ特性と耐衝撃性 ■耐食、耐圧性に優れる ■広い測温範囲 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
少数ロットでのご案内も可能ですので、ぜひご相談ください！
当社では、多種多様なニーズにマッチする『シリコンウエハー』を 供給いたします。 低抵抗品、高平坦度品等の「ベアウエハー」をはじめ、「石英製品」や 「SiCウエハー」などをラインアップ。 「ウエハー加工」も少数枚からニーズに合わせて承ります。 また、デバイスメーカー/装置メーカー様向けのご提案も行っております。 【ウエハー加工】 ■再生受託加工 ■成膜受託加工 ■ザグリ受託加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能
当社は、テストウエハの半導体技術でお客様の技術開発を支援しております。 テストウエハのサービスは、ベアSiウエハ、膜付ウエハ、パターンウエハ等を提供し、 チャージアップダメージを評価するウエハのサービスは 12インチウエハでも提供可能であり、長期にわたり世界的に評価されています。 ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能、 ウエハサイズは300mm、200mm、チップ測定に対応しており、 お客様の設備でプラズマ処理を行ったウエハを測定し、 I/Vカーブ、Vbdマップのデータをご提供しております。 また、TDDB（Qbd）測定サービスも可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
深堀エッチング技術で高アスペクトトレンチパターンウェハを実現
当社は先端の半導体技術によるテストウエハで、お客様の技術・製品開発を強力に支援しております。 （ベアSiウエハ/ 膜付ウエハ/パターンウエハ) トレンチパターンパターンウェハ『PT063』は、ボッシュプロセスによる深堀エッチング技術により高アスペクト構造を実現しております。 当社の標準レイアウトで、マスク寸法0.2µm~10µmのトレンチパターンを配置しており、最大アスペクト比は40~65程度となります。 開発効率化を求める皆様のニーズに答える製品としておすすめいたします。是非ご活用ください。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップによるダメージ評価が可能
当社は先進の半導体技術を背景に、テストウェハのソリューションを提供し、お客様の装置・材料・プロセスの評価・開発を総合的にサポートしております。 チャージアップダメージを評価するウエハのサービスは 12インチウエハでも提供可能であり、長期にわたり世界的に評価されています。 ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能となります。 ウエハサイズは300mm、200mm、チップ測定に対応しており、 お客様の設備でプラズマ処理を行ったウエハを測定し、 I/Vカーブ、Vbdマップのデータをご提供しております。 また、TDDB（Qbd）測定サービスも可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
結晶成長からウェハーまでHEXATECH社自社で製造！結晶欠陥の少ない高品質なウェハーを安定供給
HEXATECH社は、米国ノースカロライナ州にある窒化アルミニウム （AlN）ウェハーの開発・製造会社です。 高品質なブール（インゴット）を成長させる製造技術・レシピ技術に 強みを持っております。 大口径化・α値（紫外線吸収係数）の低減ロードマップに沿って、 市場ニーズに合ったウェハーを開発・製造しております。 【特長】 ■世界最高級品質の単結晶AlNブール(インゴット)を 生み出す独自の結晶成長プロセス ■非常に少ない欠陥 ■III族窒化物半導体において画期的な性能を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
成長した結晶の内部応力を低減することでウェーハの形状を強化し、独自の洗浄技術で開発された最新のウエハを提供いたします。
歩留まり向上、LEDの輝度向上、波長分布の狭小化に貢献します。高性能LEDの大量製造にはサファイア基盤が必須となっており、98%以上のLEDがサファイアを基に製造されております。サファイア材は物理的、化学的に優れた特性によって様々なハイテク分野に欠かせません。
SiCウェハーを1枚から低コストで提供！納期は最短2週間から。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで提供できます。
『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 弊社ではSiCウェハーを1枚から低コストで提供が可能。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで利用できます。 また、納期も最短2週間から対応できますので、ぜひ、ご用命ください。 【特長】 ■高い電界をかけても壊れにくい ■熱に強い機器の製造に役立つ ■機器の動作上限温度を向上させる ■熱伝導率が高いため放熱性に優れている 【提供ウェハ】 ８インチ N型 Production ４H-SiC ８インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ N型 Production ４H-SiC ６インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ高純度半絶縁性ウエハー ４H-SiC ６インチ N型 P-MOS ４H-SiC ６インチ N型 P-SBD ４H-SiC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
研究・開発用、装置テスト・評価用ウェーハ、シリコン（結晶）の加工、販売。
研究用窓材、X線干渉計、光学系などに使用する結晶加工、厚み３５μm～5ｍｍ、ウェハー、長方形板など、 国内外研究機関、大学研究室に取引実績がございます。 ダイシング、溝加工、石英板、ウェハーなどお気軽にご相談ください。
高品質結晶のシリコン層！MEMS技術で従来のジャンクション隔離法と比較し著しくダイの縮小化を促進
アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを 分離するなどといった誘電体分離技術を提供します。 隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチ および酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。 この技術には100-150mmのウエハーサイズ、デバイスレイヤーは 1.5-100umの厚みに適用可能です。 【特長】 ■埋め込み層をなくす ■高品質結晶のシリコン層 ■エピ層をなくす ■寄生キャパシターを最小化 ■P＋隔離をなくす ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CMOSなどの基盤に好適！ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤
アイスモス・テクノロジーは革新的で、パワフルにウエハー内部 導通技術を開発いたしました。 それらはICやMEMSといったデザインによるパッケージ問題等を 解決する手段です。 この内部導通ソリューションにより、デザインをしやすくし、 ソルダーバンプコンタクトなどウエハーレベルでのパッケージを 容易にする解決法となります。 【特長】 ■CMOSなどの基盤に好適 ■内部導通箇所はウエハーをエッチし、ドープされたポリシリコンが 埋め込まれている ■ウエハーは表面のメタル汚染基準や、平面性が保たれており、 パーティクルも業界のスタンダードに見合うグレード ■ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体製作にご提案：ICやMEMS応用、従来の厚エピや反転エピなどからの材料代替に、費用対効果が高い材料として提供いたします。
【SOIウエハー】：（Silicon-On-Insulator） 100-200mmの厚膜、または<1um以下の薄膜のデバイス層を持つSOIウエハーを供給いたします。 特長： ■シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で光工学表面弾性波 フィルターなどの分野などをカバー可能 ■6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を 進めながら、アイスモスは世界クラスの製品品質を提供 ■十分に競争できるコストと柔軟な対応 【SiliconーSilicon貼合わせ】：リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度！費用対効果が高い材料としてご提供します。 直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを 含むシリコン基板を作ることができます。 抵抗レンジ：1mΩ-cmから10kΩ-cm 特長： ■N、P型素材、オリエンテーション方向のアレンジ可能 ■リーク小、高品質、ワープ小、低い欠陥密度 ■層の厚みのばらつき＜+/-0.5um ■高濃度から低濃度の遷移レベルを鋭くまたはソフトなど調整が可能
