スパッタ装置のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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スパッタ装置 - 企業34社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年03月26日~2025年04月22日
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企業ランキング

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  1. サンユー電子株式会社 東京都/試験・分析・測定
  2. 神港精機株式会社 東京都/産業用機械 東京支店
  3. ケニックス株式会社 兵庫県/電子部品・半導体
  4. 4 ティー・ケイ・エス株式会社 東京都/電子部品・半導体
  5. 4 ビューラー株式会社 神奈川県/食品機械

製品ランキング

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  1. デスクトップRFスパッタ装置『SVC-700RFIII』 サンユー電子株式会社
  2. 研究・開発実験用 RFスパッタ装置 サンユー電子株式会社
  3. リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置  ティー・ケイ・エス株式会社
  4. 4 光学薄膜用スパッター装置 HELIOS ビューラー株式会社
  5. 5 小型スパッタリング装置 株式会社マツボー

製品一覧

16~30 件を表示 / 全 84 件

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RFスパッタ装置『SP-3400』

逆スパッタも可能!500Wの高周波電源を1台搭載し、金属・酸化物・絶縁物等の成膜が可能です

『SP-3400』は、3インチ用カソードを3源搭載したRFスパッタ装置です。 電源は500Wの高周波電源を1台搭載しており、金属・酸化物・絶縁物等の 成膜が可能となっています。 整合器は自動整合器を2台搭載することにより切替にて逆スパッタもでき、 成膜時の膜厚分布を良くする為に基板回転の機構も標準で搭載。 オペレートタッチ画面を採用しており、初心者でも簡単に排気系の自動操作を 行うことが可能で、誤作動防止のための安全回路を搭載しています。 【特長】 ■3インチ用カソードを3源搭載 ■電源は500Wの高周波電源を1台搭載 ■金属・酸化物・絶縁物等の成膜が可能 ■整合器は自動整合器を2台搭載することにより切替にて逆スパッタも可能 ■成膜時の膜厚分布を良くする為に基板回転の機構も標準で搭載 ■オペレートタッチ画面を採用、初心者でも簡単に排気系の自動操作が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • スパッタリング装置

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小型スパッタリング装置

コンパクト設計で省スペースを実現!大学や民間の研究室に最適なスパッタリング装置(研究者用価格)

韓国 A-tech社は1964年の創業以来、顧客のニーズに合わせた薄膜製造装置を提供してきました。デスクトッププロは小型高性能でデスクトップに設置でき、経済的にもメリットのあるスパッタリング装置です。 物性研究や製品QCおよびQA、半導体の故障解析などに最適です。 ■詳細はカタログダウンロードより■ ●御問合せ:03-5472-1722 (TEL)

  • スパッタリング装置

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研究・開発実験用 RFスパッタ装置

実験目的にあわせたカスタマイズが可能。小型RFスパッタ装置

☆金属薄膜は勿論、絶縁薄膜/酸化薄膜作製に対応した小型RFスパッタ装置☆ お薦めPOINT <実験目的にあわせたカスタマイズ!!> 1.試料サイズに合わせ3種類のチャンバーをご用意 2.カソードサイズは2〜6インチに対応 3.2インチカソードタイプは3源式にも対応 = 薄膜の積層を実現 4.多彩なオプションをご用意   基板加熱ユニット/基板冷却ユニット/MFCユニット etc.

  • コーター

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研究・開発実験用 RFスパッタ装置

実験目的に合わせたカスタマイズが可能。小型RFスパッタ装置

金属薄膜はもちろん、絶縁薄膜/酸化薄膜作製に対応した小型RFスパッタ装置 【特徴】 ○試料サイズに合わせた3種類のチャンバーをご用意 〇カソードサイズは2、4、6インチに対応 〇2インチカソードタイプは3源式にも対応 ⇒ 積層薄膜作製を実現 〇多彩なオプションをご用意   基板加熱ユニット/基板冷却ユニット/MFCユニット etc.

  • SVC-700RF?.jpg
  • スパッタリング装置

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研究開発用スパッタリング装置

高水準な仕様と豊富なオプションで様々な成膜用途に適した研究開発用スパッタリング装置です。

特長 ■クリーンなサイドスパッタ方式を採用 ■ロードロック式タイプ、バッチ式タイプの2機種をご用意 ■タッチパネルで簡単な操作・成膜条件管理、メンテナンスも容易な装置コンセプト ■設置スペースを取らないコンパクトな装置 ■お客様のご要望・用途に応える豊富なオプション ■低温・高温スパッタにも対応 ■広範囲に分布が良いスパッタ源を標準搭載(±5%以内(SiO2でφ170mm以内)) ■少量生産、夜間自動運転に対応した自動搬送オプションも可能 ■用途 ・有機EL 太陽電池 光学部品 バイオ 半導体・電子部品  自動車・樹脂 特殊膜 MEMS ■代表的な成膜材料 ・誘電体膜ほか  SiN SiO2 ZrO TiO2 重合膜 ・透明導電膜  ITO ZnO ・金属膜ほか  Au Ag Cu Si Ti Sn Cr Al Ni DLC 電磁波シールド

  • スパッタリング装置

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スパッタリング装置

スパッタリング装置

固体表面にイオン化して加速した原子あるいは分子を衝突させることにより、固体表面から固体材料が飛び出してくる現象(スパッタリング)を利用した成膜装置です。高融点金属や合金材料、誘電体、絶縁材料にも適用できる為に、工業的利用価値が高い。

  • スパッタリング装置
  • 試験機器・装置
  • その他実験器具・容器

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圧力勾配式スパッタ装置『PGS model』

低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能な装置についてご紹介します

『PGSモデル』は、圧力勾配現象を採用した画期的なスパッタ装置です。 高真空域でのスパッタ成膜が可能。 また、低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能です。 九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果の製品と なっております。 【特長】 ■圧力勾配現象を採用 ■高真空域でのスパッタ成膜が可能 ■九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他理化学機器

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グローブボックス付 多源RFスパッタ装置

酸素や水分を排除したい研究製膜環境!多層膜、化合物製膜、反応製膜に対応します!

当製品は、電池、触媒材料や有機デバイス開発用のスパッタ装置です。 スパッタ室にロードロック室とグローブボックスを連結。 UHV対応スパッタカソードを4本装着することができます。 また、多層膜、化合物製膜、反応製膜に対応しております。 【特長】 ■電池、触媒材料や有機デバイス開発用 ■スパッタ室にロードロック室とグローブボックスを連結 ■UHV対応スパッタカソードを4本装着可能 ■酸素や水分を排除したい研究製膜環境 ■多層膜、化合物製膜、反応製膜に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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小型研究用 イオンビームスパッタリング装置

イオンソースを搭載した実験用装置 精密光学の超薄膜多層成膜に活用可能

OSIの「イオンビームスパッタリング装置」は、お客坂の使用ニーズに合わせてカスタマイズできるイオンソースを搭載した実験用装置です。Veeco社の SPECTOR 相等の能力を発揮します。 RFイオンソースをスパッタ用およびスパッタ用/アシスト用として使用し、OMSまたはOTMソフトを搭載した精密光学の超薄膜多層成膜に適しています。 【特長】 ■イオンソースを搭載した実験用装置 ■Veeco社の SPECTOR 相等の能力を備える ■OMSまたはOTMソフトを搭載した精密光学の超薄膜多層成膜に最適 ■使用ニーズに合わせてカスタマイズ可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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スパッタ装置

スパッタ装置

長州産業独自の技術を搭載する対向ターゲット方式「ミラートロンスパッタ装置」を提供しています。 低プラズマダメージ、低基板温度を実現しながら、ご希望の機能性膜が得られます。 有機EL分野では、トップエミッション構造における透明導電膜の形成、封止膜の形成に最適です。 有機太陽電池や有機半導体などの有機デバイス、電子部品、樹脂フィルム等の様々な分野において、 最適なプロセスを提供しています。 その他、平行平板方式、円筒方式のスパッタ装置も提供しています。

  • スパッタリング装置

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【MiniLab-SA125A】 多元マルチスパッタ装置

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ(Φ4inch用) 4元マルチスパッタ(Φ6 8inch用)

連続多層膜、同時成膜(2〜6元同時成膜:RF DCをHMIより自在に配置切替) 高出力RF DC電源 パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ(二重ジャケット水冷式)オプション -1) Max600℃(ランプ加熱) -2) Max1000℃(C/Cコンポジット) -3) Max1000℃(SICコーティング) ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(<30W) システム主制御:'IntelliDep'制御システム Windows PC(又はTP HMI)インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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スパッタリング装置『MiniLab(ミニラボ)シリーズ』

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

【フレキシブルシステム】 MiniLab薄膜実験装置シリーズは、豊富なオプションから必要な成膜方法・材料に応じて都度、ご要望に適したコンポーネント(成膜ソース、ステージなど)、制御モジュールを組み込み、カスタマイズ品でありながら無駄の無いコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play 感覚で装置を構成することにより応用範囲が広がり、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 MiniLabシリーズは、研究開発から小規模生産用途まで幅広く対応するハイコストパフォーマンスシステムです。 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ(MiniLab-026):590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ(MiniLab-060):1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ(MiniLab-125):1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または7”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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スパッタリング装置『nanoPVD-S10A』

高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置

高機能 ハイパフォーマンス RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ● 到達圧力5 x 10-5Pa(*1x10-4Paまで最速30分!) ● スパッタ源 x 3:連続多層膜膜制御 同時成膜 ● 膜均一性±3% ● 多彩なオプション:上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ◉ nanoPVDは、最大スパッタ源3源+3系統(MFC制御)、RF/DC PSUの増設(最大2電源まで)連続多層膜・2源同時成膜(RF/DC、又はDC/DCのみ)、など多目的にお使い頂くことができます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:2 (1〜3源)、もしくは4 (1源) ◉ 2 カソード x 最大3源 ◉ 7 タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ MFC搭載高精度プロセス制御 ◉ Arガス1系統(標準) + N2 O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、最大1000layer 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング。 ◉ 他、多彩なオプションを用意

  • その他半導体製造装置
  • スパッタリング装置

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多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S060】

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF500W or DC850W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar O2 N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF300W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃ 800℃ 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) 寸法:1 120(W) x 800(D) ●プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれへも設置可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • CVD装置

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スパッタリング装置 多機能スパッタ装置MiniLab-S060A

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF500W or DC850W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar O2 N2)反応性スパッタリング プラズマエッチングステージRF300W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃ 800℃ 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) 寸法:1 120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。

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