スパッタ装置のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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スパッタ装置 - 企業34社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年03月26日~2025年04月22日
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企業ランキング

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  1. サンユー電子株式会社 東京都/試験・分析・測定
  2. 神港精機株式会社 東京都/産業用機械 東京支店
  3. ケニックス株式会社 兵庫県/電子部品・半導体
  4. 4 ティー・ケイ・エス株式会社 東京都/電子部品・半導体
  5. 4 ビューラー株式会社 神奈川県/食品機械

製品ランキング

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  1. デスクトップRFスパッタ装置『SVC-700RFIII』 サンユー電子株式会社
  2. 研究・開発実験用 RFスパッタ装置 サンユー電子株式会社
  3. リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置  ティー・ケイ・エス株式会社
  4. 4 光学薄膜用スパッター装置 HELIOS ビューラー株式会社
  5. 5 小型スパッタリング装置 株式会社マツボー

製品一覧

61~75 件を表示 / 全 84 件

表示件数

後酸化式スパッタリング装置

多層の光学薄膜に最適な後酸化式スパッタリング装置です。

特長 ■後酸化方式の採用で高生産性を実現 ■優れた膜厚均一性±1%以下を実現 ■水平基板搬送による全面スパッタが可能

  • スパッタリング装置

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マグネトロンスパッタ装置『scia Magna 200』

最大200mm径基板!ダブルリングマグネトロン(Fraunhofer FEP)

『scia Magna 200』は、回転式単体マグネトロンの マグネトロンスパッタ装置です。 アプリケーションは、TC-SAW向け温度補償膜(SiO2)、AlN等圧電膜、 光学用高・低屈折膜、絶縁膜(Si3N4 SiO2 Al2O3)です。 また、プロセスはマグネトロンスパッタとなっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mm径基板 ■回転式単体マグネトロン(最大径300mm) ■共焦式4マグネトロン ■ダブルリングマグネトロン(Fraunhofer FEP) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • スパッタリング装置

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イオンビームスパッタ装置『scia Coat 200/500』

最大5(220mm径)又は4(300mm径)ターゲット搭載!イオンビームスパッタ装置をご紹介

『scia Coat 200/500』は、最大200mmウエハ基板又は 300mm×500mm基板対応の製品です。 プロセスは、イオンビームスパッタリング(IBS)、 イオンビームエッチング(IBE)、デュアルイオンビーム スパッタリング(DIBS)となっております。 ご用命の際は、お気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mmウエハ基板又は300mm×500mm基板対応 ■最大5(220mm径)又は4(300mm径)ターゲット搭載 ■RFソース(120mm~350mm) ■リニアマイクロウエーブECRソース(2×380mm長) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • スパッタリング装置

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成膜装置 スパッタ装置

幅広い実績を誇ります。

本装置は、最大4元のスパッタガンを設置可能な成膜装置です。

  • スパッタリング装置

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4インチ3源RFスパッタ装置

基板寸法は最大3インチで3枚収納可能!加熱機構・逆スパッタ機構を備えています!

当製品は、金属・絶縁材料を対象とした3源RFマグネトロンスパッタ装置です。 基板は、加熱機構・逆スパッタ機構を備えています。 スパッタカソードはφ4インチマグネトロンカソード(3基)で、 基板挿入は上蓋手動開閉仕様となっております。 【特長】 ■基板寸法:最大3インチ(3枚収納可) ■基板ホルダー:基板加熱500℃、基板回転、逆スパッタ機構付き ■スパッタカソード:φ4インチマグネトロンカソード(3基) ■ガス系:Ar O2 MFC2系統 ■基板挿入:上蓋手動開閉 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • スパッタリング装置

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グローブボックス連結型有機蒸着・スパッタ装置

トランスファーロッドにより、各室間を搬送!大気解放することなく連続成膜可能!

当製品は、50×50基板対応で、有機トランジスタ、EL素子用 抵抗加熱蒸着装置、酸化物用RFスパッタ装置をグローブボックスに 連結した装置です。 トランスファーロッドにより、各室間を搬送。 大気解放することなく連続成膜することができます。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■50×50基板対応 ■大気解放することなく連続成膜可能 ■有機トランジスタ、EL素子用抵抗加熱蒸着装置、  酸化物用RFスパッタ装置をグローブボックスに連結 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置

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光学フィルター用多層膜成膜イオンビームスパッタ装置

DWDM成膜用イオンビームスパッタ装置です。

光学分野用イオンビームスパッタ装置です。 スパッタ:16cm RF Ion Source アシスト:16cm RF Ion Source ターゲット:2面 揺動機能 ステージ:自転 膜厚制御:透過型波長可変レーザー膜厚制御 主排気:クライオポンプ 又は TMP+SUPCOLD 詳しくはお問い合わせ願います。

  • レーザ部品
  • その他光学部品

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イオンビームスパッタリング装置

RFイオンソースを使用し、シングルステージまたはプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング(IBS)装置です。

お客様用途に合わせて、研究開発用、量産用に装置設計いたします。 【装置特長】 ・プロセス動作圧10-2Pa台(10-4Torr台)  高真空成膜可能 ・コンタミネーションが少ない ・無加熱成膜可能 ・高密度膜 ・反応性成膜可能 ・イオンビームアシスト追加可能 ・膜厚等の制御性良好

  • スパッタリング装置
  • その他半導体
  • 磁石

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新対向ターゲットスパッタリング(NFTS)装置

超伝導薄膜応用分野やMEMS応用分野などに!低ダメージ・低温成膜で有機膜上の成膜可能

新対向ターゲット式スパッタ(New Facing Targets Sputtering:NFTS)技術は 高密度プラズマを箱型空間に拘束することにより、堆積基板へのエネルギー種 (反跳粒子、イオン、電子)の衝撃によるダメージを抑制できる原理・構造を 特長とする成膜技術です。 NFTS技術により、これまでのスパッタ技術では困難とされていた低温・低ダメージで 高品質な薄膜を形成することができ、かつ高い生産を有する成膜技術となっています。 【特長】 ■対向ターゲット構造 ・対向ターゲット間におけるプラズマ拘束  →基板への高エネルギー粒子の抑制→低ダメージ成膜  →基板への大量の電子抑制(ジュール熱の抑制)→低温成膜 ■プラズマ源の箱型化 ・真空槽とプラズマ源の分離  →真空槽の小型化による装置全体の小型化を実現  →装置の操作性・メンテナンス性の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 環境試験装置
  • その他理化学機器
  • その他機械要素

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小型スパッタ装置『SS-DC・RF301』

小型設計ながら性能はキープ!高温での基板加熱が可能なスパッタ装置

『SS-DC・RF301』は、2 マグネトロンカソードと基板加熱機構をそれぞれ 1基搭載した小型スパッタ装置です。 シンプルな設計により、事務机の約半分のスペースに設置可能。 基板上下機構を採用し、ターゲットと基板間の距離を任意に設定できます。 基板加熱を高温で行えるほか、電気とガスのみでの運転や、スパッタアップ とスパッタダウンの組み替えなども可能です。 【特長】 ■シンプル設計で省スペース ■ターゲットと基板間の距離を任意に設定可能 ■高温での基板加熱が可能 ■チラーを標準装備 ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

  • スパッタリング装置

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【nanoPVD-S10A】マグネトロンスパッタリング装置

高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置

高機能 ハイパフォーマンス RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ● 到達圧力5 x 10-5Pa(*1x10-4Paまで最速30分!) ● スパッタカソード x 3:自動連続多層膜 2源同時成膜 ● 膜均一性±3% ● 多彩なオプション:基板回転・昇降、基板加熱(Max500℃)、磁性材用カソード、他 ◉ nanoPVDは、最大スパッタ3源+3系統(MFC制御)、RF/DC PSUの増設(最大2電源まで)連続多層膜・2源同時成膜(RF/DC、又はDC/DCのみ)、など多目的にお使い頂くことができます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:〜Φ4inch ◉ 2 カソード x 最大3源 ◉ 7 タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力コントロール ◉ MFC搭載高精度プロセス制御 ◉ Arガス1系統(標準) + N2 O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、最大1000layer 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意

  • スパッタリング装置

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多元マルチスパッタ装置【MiniLab-S125A】

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ(Φ4inch用) 4元マルチスパッタ(Φ6 8inch用)

連続多層膜、同時成膜(2〜6元同時成膜:RF DCをHMIより自在に配置切替) 高出力RF DC電源 パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ(二重ジャケット水冷式)オプション -1) Max600℃(ランプ加熱) -2) Max1000℃(C/Cコンポジット) -3) Max1000℃(SICコーティング) ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(<30W) システム主制御:'IntelliDep'制御システム Windows PC(又はTP HMI)インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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スパッタリング装置『MiniLab-060』

蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchスパッタリングカソード x 4(又は3inch x 3 4inch x 2) ・プラズマエッチング:メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ(MiniLab-060):1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または7”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • アニール炉

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スパッタリング装置『MiniLab-026』

小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

必要最小限のモジュール・コントローラをPlug&Play感覚で19 コンパクトラックに組込む事により無駄が無く、小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ(最大3源)もしくは抵抗加熱蒸着(金属源 最大4、有機材料x4)に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、プラズマエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます(*要仕様協議)。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ 最大基板サイズ:Φ6inch ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式(最大4源) ◉ 有機蒸着ソース:1cc or 5cc ◉ Φ2inchマグネトロンカソード(最大3源) ◉ ドライエッチング ◉ グローブボックス搭載可能(オプション 要仕様協議) ◉ その他オプション: 2源同時成膜、HiPIMS、自動薄膜コントローラ、特注基板ホルダ、基板回転/昇降、基板加熱などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • エッチング装置

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マグネトロンスパッタ装置MSP-20MT

ターゲットは大きい試料もそのままコーティング可能な4インチサイズ。

マグネトロンスパッタ装置MSP-20MTは電子顕微鏡試料に導電処理を施す為のコーティング装置です。マグネトロンターゲット採用で、試料ダメージを最小限にします。4インチサイズのターゲット仕様。大きな試料・多数の試料を処理可能です。詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

  • その他FA機器

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