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触媒機能を持つパッドにより、純化学的に様々な材料を原子スケールで平坦化
触媒機能を持つパッド（PtやNi等の触媒を成膜）を加工対象物上で超純水を加工液として動かすことで被加工表面上の凸部のみ化学的に除去する触媒作用を利用した独自のエッチング技術。ガラスやSiCを始めとする様々な材料表面を原子スケールで平坦化します。 CAREは更にP-V0.7nmを実現し、将来的には原子1個分の平坦度をも可能となる究極の加工法です。
＜30W ローパワー・エッチング制御精度10mW ダメージレス・繊細なエッチング処理を実現
【nanoETCH（ナノエッチ）】Model. ETCH5A ＜30W（制御精度10mA）低出力RFエッチングによる、精細でダメージレスなエッチング処理を実現。 2010年グラフェン発見でノーベル賞受賞者率いる マンチェスター大学グラフェン研究グループとの共同開発製品。
低テンション搬送でフィルム伸び抑制！高効率スプレーを実現
『ロールtoロール（RtoR）フィルムエッチング装置』は、フィルムを連続的にエッチング処理する装置です。 RtoR搬送において課題となる「テンション過多による基材の伸び」を防ぐため、中間に張力制御用の駆動を設置し、一定値以上の負荷が掛からない低テンション搬送を実現。 さらに、搬送ロールの本数を最小限に抑え、スプレー噴出を邪魔しない設計とすることで、噴出範囲を最大化し高効率スプレーを可能にしました。 【特長】 ■ M-ITOフィルム、ITOフィルムの連続エッチングに対応 ■ 低テンション搬送で基材の伸びを防止 ■ 高いスプレー効率で均一処理 ※詳細は下記よりお問い合わせください https://toagrp.co.jp/contact
エッチングマシン製作のことならキムラ・エッチング
研究開発用途の実験装置から生産装置まで、各種ウエット処理(エッチング、現像、剥離、洗浄等)装置を設計・製作しております。装置本体材質はＰＶＣがメインですが、使用薬液・温度に応じてＰＰ、ＰＶＤＦ、ＳＵＳでも製作しております。弊社の装置は全て、お客様の御要望にあわせて製作するＣｕｓｔｏｍ商品です。装置改造・移設などの現場作業も承っております。
最適なノズル配置！あらゆる幅・厚みのワークに対応可能なエッチング装置！
『エッチング装置、洗浄装置』は、エッチングの工程を、巻き出しから エッチング、水洗い、乾燥、巻取りまでを一連で行う装置です。 開発装置から量産装置に対応したオーダー設計です。 【特長】 ■エッチングの工程を一連で行う装置 ■あらゆるワーク（材質、幅・厚み）に対応 ■最適なノズル配置 ■開発装置から量産装置に対応したオーダー設計 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
自動で薬液を調合してエッチング槽に必要量投入！シーケンサ制御方式を採用しています
当製品は、GaAsウェハを専用バスケットで自動搬送及びエッチングする 装置です。 ローダ部よりバスケットに入れたGaAsウェハを投入すると、搬送機により ローダ部からエッチング槽、リンス槽、アンローダ部へと自動搬送。 また、装置下側に薬液供給タンクがあり、自動で薬液を調合して エッチング槽に必要量投入します。 【主な仕様】 ■被加熱物：GaAs（ガリウムと砒素）ブロック ■カセット：PTFE専用カセット ■搬送機：自動ロボット搬送（サーボモーター駆動） ■制御方式：シーケンサ制御 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
液晶ガラス基板の薄肉加工ケミカル研磨の自動装置として、G6世代までの薄肉化処理に適しています。
×機械研磨ではタクトが合わない。 ×フッ酸によるガラス溶解では綺麗に仕上がらない。 などのお困りごとを解決します。当社のガラスエッチング装置は「浸漬ディップ式」と「枚葉搬送スプレー式」の2種類あります。どちらも量産装置として数多くの実績がある装置です。 【当社装置の特徴】 ■狙い板厚±30μm規格でCpk1.33以上可能 ■自動板厚制御により1パス仕上げ可能 ■液再生システムにより低コスト実現 ■最新技術により厚さ30μmの搬送が可能 ■耐薬品性重視の設計だから装置が長持ち ■安全インターロック完備 ◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆ 処理一例 【ガラス種】ノンアルカリガラス、ソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス 【製品サイズ】300×400～1500×1850mm 【加工精度】70％減肉後の面内板厚精度R10μm 【主薬品】フッ酸 ◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆ 【特記】 ・開発試作機からの提案、設計、製作が可能 ・実液を用いたサンプル試作処理が可能
剥離処理により、不要箇所を除去！当社で取り扱う不良解析エッチング装置をご紹介
『200FA/200R/200I』は、半導体チップ及びウエハの不良解析装置です。 剥離処理により、不要箇所を除去し、不良原因箇所の解析をする事が 出来ます。 【特長】 ■選べる剥離技術(RIE、HCD、ICPRIE) ■サンプル形状柔軟性(ダイ、パッケージダイ、ウェーハフラグメント、 フルウェーハ) ■搬送の柔軟性(ダイレクトロード、プリロードシャトル、 ロードロック付きプリロードシャトル) ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面の単原子層のエッチング！エッチング対象物へのダメージを抑える事が出来ます！
当社が取り扱うプラズマベースの原子層エッチング装置 『Takachi ALE』をご紹介します。 Takachiシステムは、ALEキットを搭載することにより、 ALEプロセスが可能です。 表面の単原子層毎にエッチングしていく為、エッチング対象物への ダメージを抑える事が出来ます。 【特長】 ■ALEキットを搭載、ALEプロセスが可能 ■表面の単原子層毎にエッチング ■エッチング対象物へのダメージを抑える事が可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICの絶縁層を除去！フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム
当社では、半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置を 取り扱っております。 電気的な特性を維持するために金属層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、金属エッチングを含む、高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIE FAソリューションは、最大200 mmまでの ダイ、パッケージダイおよびウェハーのサンプルでご使用可能。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ダイ、パッケージダイ、200mmウェーハのプロセス可能 ■蓄積されたプロセスノウハウは、オーバーエッチングを防止 ■フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フランスで設計・製造された業界最小、ウエハトレイのみ交換で2～12インチウエハ対応、Corial 300・500シリーズ
当社で取り扱っている、薄膜用PECVD・ドライエッチング装置 「SHUTTLELINE(R)」・バッチプロセス対応コンパクト300＆500シリーズ についてご紹介いたします。 成膜はPECVD。エッチングはRIE, ICP, ICP-RIE。 ユニークなウエハステージを使用することで、例えば2インチウエハであれば 1枚～最大27枚のバッチ処理可。 開発から量産までお使いいただけます。 【特長】 ■成膜装置PECVDは、チャンバーがコンパクト設計の上、自動クリーニングを 取り入れる事により、スループットを最大にする事が出来る ■エッチング装置は、運用コスト下げられるとの事で、多くのマイクロ LEDメーカーで採用 ■ウエハ片、フルウエハと多様なウエハサイズ・形状に対応 シャトルシステム(ウエハステージ)により、異なるサンプルサイズでも ハードウェアの変更が不要 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージングなど、幅広い市場向けのエッチング及び成膜が可能！
『Shuttleline200シリーズ』は、エッチング及びPECVDアプリケーション用の 柔軟でマルチパーパスなプラットフォームであり、独自のシャトルコンセプトの 採用により、小片からフルウェーハまで様々なサイズのサンプルに対応した ハンドリングが可能なマルチパーパスエッチング・成膜ソリューションです。 また、RIE、ICP、PECVD、ICP-CVD方式のプラズマ処理技術を可能とし、 R＆D用途及び少量生産に好適なプロセッシングを提供。 具体的には、故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージング、 パワー半導体用プロセスなど、幅広い市場向けのエッチング及び 成膜が可能です。 【特長】 ■独自のシャトルコンセプトにより、幅広い基板の形状とサイズに 容易に適応可能 ■豊富なオプションと高いアップグレード性を備えた ユーザーフレンドリーな装置 ■RIE方式、ICP方式のエッチングなど高度で特定な要求に対応する マルチパーパス性 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
不活性ガスArエッチングと反応性ガスによるエンハンスドRIBEが可能！
『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 強誘電体PZTなどの難削材のエッチングプロセスにおいてプラズマエッチング では実現困難な垂直エッチング性が実現可能なエッチングプロセッシングです。 独自のIon Source、Marathon Grids、Dual PBN(オプション)の採用により、 従来品と比較しMTBMを3倍に(他社の既存装置にも搭載可能)。 また、REDEP Breaker, AUXILIARY Electrodeにより、RFシャント・ アノード消失を防止します。 【特長】 ■PZTエッチング応用では、EPDなしで貴金属電極層でエッチストップが可能 (サイドウォールにおける析出なしで、かつスムーズな表面) ■PZTエッチングにおけるフォトレジストに対する選択性は、不活性IBEの 0.6：1から、RIBE：1.1：1に向上 ■PZTエッチング速度は、不活性IBEの約20nm/minから、RIBEでは 約30nm/minに向上 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
セミナーでは、HDRF-高密度ラジカルで、ポリマー、HDIレジストを低温除去できる新技術などをご紹介予定
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京ビッグサイトにて開催される「セミコンジャパン2024」に出展いたします。 弊社は、プラズマ技術を中心にエッチング、成膜、洗浄装置、ALDライク成膜装置、 イオンビーム装置、PVD装置、RTP装置を取り扱っております。 また、バッチ式スパッタ装置や、電子ビーム蒸着装置もラインアップとして揃えており、様々な用途にご提案が可能です。 ブースにて開催するセミナーでは、HDRF-高密度ラジカルで、 ポリマー、HDIレジストを低温除去できる新技術とKBOUS FAST-CVDの成膜レートで、 ALDライク成膜が可能な新技術をご紹介予定です。ぜひ、ご来場ください。 【開催概要】 ■会期：2024年12月11日(水)～13日(金) 10：00～17：00 ■会場：東京ビッグサイト 東4ホール 4032 ■住所：〒135-0063 東京都江東区有明3丁目11−1 ■最寄り駅 ・りんかい線 国際展示場駅(下車 徒歩約7分) ・ゆりかもめ 東京ビッグサイト駅(下車 徒歩約3分) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
MEMS加工の精度と効率を向上！高精度エッチング・成膜技術をご紹介いたします。 ※4月16日 ～ 4月17日開催
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京・両国 国際ファッションセンタービル（KFC Hall)にて開催される 「MEMS Engineer Forum 2025」の技術展示コーナーに出展致します。 ＜展示内容＞ 1.高密度ラジカルによる低温・低ダメージエッチング・クリーニング装置 特許取得済みのHDRF技術（High density radical flux）により、MEMSの歩留低下原因を除去。 ２.これからの高周波デバイスや高速光変調導波路加工に不可欠な加工技術（イオン・ビーム・エッチング） 多層構造物の加工に適したイオン・ビーム・エッチング。ウエハステージのチルト機構により、側壁角度の調整が可能。 ３.化合物半導体のバッチ処理に適したプラズマ・エッチング、成膜装置 「シャトル」（ウエハキャリア）に複数枚のウエハを搭載し、バッチ処理が出来ます。少量産に適した装置。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。 ※装置のカタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。
