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酸素・フラックス・ストレスFree！カバー無しで酸素濃度100ppm以下を実現
当社が取り扱う『酸素フリーボンダー』についてご紹介します。 カバー無しで酸素濃度100ppm以下を実現。 酸素濃度計を設置し常時酸素濃度をモニタできます。 顕微鏡は実体顕微鏡3眼タイプで、外部へのモニタ出力が可能です。 【特長】 ■メインステージ上(デバイスの作業位置)酸素濃度が100ppm以下 ■酸素濃度計を設置し常時酸素濃度をモニタ可能 ■供給する窒素流量を流量計を用いて調整可 ■最大流量30L/分、目盛り1Lピッチ使用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速・高精度・高生産性のリードフレーム用デュアルヘッドウェッジボンダー
高速全自動デュアルヘッドウェッジボンダーBondjet BJ931は、車載製品、パワー半導体の最新の技術と様々な要求に対応します。アルミ線、銅線、金線、リボンに対応し、ボンドヘッドの交換も数分で可能です。ロバストでクリーンなデザイン、業界最大のボンドエリア、長いメンテナンススパン、ユーザーフレンドリーなソフトウェア、サポート機能が備わったBondjet BJ931には、もちろんHesse Mechatronicsが業界をリードするプロセスモニタリングシステムPiQCも搭載可能です。
コト前管理を徹底し、行動指針に乗っ取り行動を”興す”。
株式会社テクサスは、日本電産トーソク株式会社のダイボンダ技術を継承し、その技術を基軸に半導体製造装置の自動化を実践させて頂いております。 安全第一主義経営を実践し、コト前管理を徹底し、行動指針に乗っ取り行動を興します。 【製品案内】 ○DBD4200R / EBD4200R ○DBD4600S / EBD4600 ○DBD3580SW ○EBD4350S 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
フープフレーム用ダイボンダ 共晶、エポキシ両方に対応可（兼用仕様可）小チップ(0.15mm～)対応 安定稼働を供給！
フープフレーム用ダイボンダ『DBD4200R』 0.15mm～からの小チップも対応可能です。 【仕様】 ■接合プロセス共晶/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ□0.15~1.0mm(共晶) ~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) +/-35μm ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅最大78mmまで ■ウェハサイズ6インチ又は8インチ ■ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム0.25秒/チップ(共晶), 各種条件による ■搬送方式ローラ搬送 ■外形寸法1,740x1,150x1,185mm ■質量1,000kg ■主要オプション ロータリーボンドヘッド、アンコイラ、カッター、ウェハマップ、ポストボンド認識等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短冊フレーム用ダイボンダ エポキシ、DAF両方に対応可、速乾性ペースト対応
短冊フレーム用ダイボンダ『EBD4350S』は、 速乾性ペーストに対応したエポキシダイボンダです。 【仕様】 ■接合プロセス エポキシ/DAF/兼用機仕様 ■チップサイズ □0.15~3.0mm ■ボンド精度(XY) +/-35μm +/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重 30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅 最大70mmまで ■ウェハサイズ 6インチ又は8インチ ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム 0.35秒/チップ, 各種条件による ■搬送方式 グリッパ搬送 ■外形寸法 1,680x1,135x1,645mm ■質量 1,300kg ■主要オプション ロータリーボンドヘッド、裏面認識、アップダウン機構 ウェハマップ、ストリップマップ等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
0.5µmのボンディング位置精度！
最新の光デバイスのアプリケーションでは、データ転送速度が高い、複合トランスミッタ、レシーバ、混合素子が重要な部品群です。これらの部品の実装工程では適切なボンディング技術による、高精度な位置制御が求められています。
全自動 高精度ダイボンディング装置
「FINEPLACERシリーズ」のモデル名femto2（フェムト2）は、 搭載精度0.3μm@3sigmaの全自動高精度ダイボンダーです。 装置エンクロージャにより、完全に制御された環境下で、要求の厳しいアプリケーションに対応致します。 システムは完全に外部の影響を遮断し、最高クラスの歩留まりで、安定したアセンブリプロセスを実現します。 ※詳しくはPDFをダウンロード、もしくはお問合せください。
FINEPLACER sigma は高精度・高機能を網羅したセミオート・フリップチップボンダ／ダイボンダの最上位モデルです
「FINEPLACERシリーズ」のモデル名sigma（シグマ）は、300mmのワーキング領域に於いてサブミクロンレベルの実装精度と1000Nまでのボンディング荷重を実現しました。 多様なダイボンディング方法と、高精度フリップチップ技術に適応し、MEMS/MOEMS実装、イメージセンサーのボンディングとチップパッケージングなどを、ウェーハレベルで対応致します。 FINEPLACER sigmaは将来を見据えたアセンブリ技術に対応した開発用途向けの機種であり、多様な技術とアプリケーションに対応致します。
接着剤・はんだ・熱圧着・超音波などの様々な実装プロセスに対応！迅速かつ柔軟な製品開発やプロトタイプ作成に適しています
『pico 2』は、3μm以内の搭載精度を持つ多目的ダイボンダーです。 素早いセットアップと簡単な操作で、企業の研究室や大学での 迅速かつ柔軟な製品開発やプロトタイプ作成に適しています。 また、モジュール方式を採用した設計思想により、新しい機能が 必要になった場合は、装置耐用年数を通して、装置導入後でも 後付けが可能であり簡単に使い始めることができます。 【特長】 ■試作・研究開発分野に於いて好適な小型卓上型ダイボンダー ■独自のビジョンアライメントシステムにより簡易操作でアライメントを実施 ■熱圧着、ソルダリング、超音波、接着剤など様々な実装プロセスに対応 ■IPMコマンドによる統合型プロセス制御（熱、温度、荷重、他） ■幅広いコンポーネントサイズに対応 (0.05mm～100mm) ■モジュールシステムによる費用対効果の高い装置構成を構築 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高品質・高生産性を実現！更に進化した300mmウェハ対応高精度SiPボンダ
ファスフォードテクノロジ「SiPボンダ(DB830plus＋)」は、SiP組立に特化した300mmウェハ対応のDB800を更に進化させた高速・高性能ダイボンダです。 中間ステージ採用による高品質・高生産性を実現し、多段積層対応の位置補正を備えたビジョンシステムを搭載しています。 積層時のパーティクル軽減のクリーン化対応により、薄ダイ・多段積層に最適なダイボンダです。 【特長】 ○高品質・高生産性 ○多段積層対応 ○薄ダイボンディング技術 ○クリン化技術 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
±0.3μm＠3σと超高精度にダイをウエハ/ダイ/サブストレートにボンディングが可能なフリップチップボンダーです。
”NANO”は、同社の特許であるアライメント技術を用いて、 超高精度に個片化されたチップをウエハ/サブストレート/チップへ、 ボンディングを可能にした装置です。 また、ボンディング時のレーザー照射方法に特徴を持ち、 ボンディング時の振動を抑制した機構を搭載しております。 【特徴】 ・アライメント精度：±0.3µ@3σ ・アライメント技術（特許） ・ボンディング時の接合方法 ・振動抑制機構の搭載 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±0.2µ@3σ ・サイクルタイム：20 to 30 sec（材料により変動） ・ダイサイズ：0.1mm to 20mm ・サブストレートサイズ：MAX 300 x 300 mm ・ボンディングフォース（荷重）：10g to 2kg ・接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応
AFC Plusは､高精度にダイをウエハ/サブストレート/ダイにボンディングが可能なフリップチップボンダーです。
”AFC Plus”は、同社の特許であるアライメント技術を用いて、 高精度に個片化されたダイをウエハ/サブストレート/ダイへ、 ボンディングを可能にした装置です。 【特徴】 ・アライメント精度：±1µm @ 3s ・アライメント技術（特許） ・ボンディング時の接合方法 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±0.2µ@3σ ・サイクルタイム：20 to 30 sec（材料により変動） ・ダイサイズ：0.1mm to 20mm ・サブストレートサイズ：MAX 300 x 300 mm ・ボンディングフォース（荷重）：10g to 2kg ・接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応
Nova plusは､高速にダイをウエハ/サブストレート/ダイへのボンディングが可能なフリップチップボンダーです
”Nova plus ”は、同社の特許であるアライメント技術を用いて、 高速に個片化されたダイをウエハ/サブストレート/ダイへ、 ボンディングを可能にした装置です。 また、デュアルボンドヘッドを搭載しております。 【特徴】 ・アライメント精度：±2.5μm＠3σ ・アライメント技術（特許） ・ボンディング時の接合方法 ・デュアルボンドヘッド搭載 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±2.5μm＠3σ ・サイクルタイム：1.5 to 6 sec（材料により変動） ・ダイサイズ：0.1mm to 20mm ・サブストレートサイズ：MAX 600 x 600 mm ・ボンディングフォース（荷重）：10g to 5kg ・接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応 ・オプション：アップグレードキット仕様の場合、精度 ±1.5 µm @ 3σ
世界で9000台以上の納入実績！マウスをクリックするだけでボンディングが可能。小型で、研究開発や少量生産に活躍
『マニュアルワイヤボンダ iBond5000シリーズ』は、 国内で400台以上の納入実績を誇る「4500シリーズ」の後継機となる製品です。 （5000シリーズは世界で9000台以上の納入実績があります） マウスをクリックするだけで簡単にボンディングが可能。 コンパクトなサイズで研究開発や少量生産に適しています。 「ボールボンディング用」「ウェッジボンディング用」 「ボール・ウェッジボンディング兼用」の3機種から選択可能です。 【特長】 ■ユーザーフレンドリーなタッチパネルを搭載 ■パラメータでY方向のテーブル動作設定が可能で、 ピッチワイヤ・並列ワイヤのボンディングが容易 ■人間工学に基づいたデザイン ■ESDコーティングを標準装備 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
AD830Plusは、サイクルタイム0.16秒/chipの超高速エポキシダイボンダーです
AD830Plusは、個片化されたチップをサブストレートやリードフレームに超高速でボンディング可能な装置です。 LED関係やセンサー関係など様々なアプリケーション向けに導入実績があります。 【装置特徴】 ・アライメント精度：±25.4µm ・超高速ボンディング ・様々な薄いチップを容易にピックアップ可能な機能搭載 ・様々な材料のハンドリングが可能（長尺のサブストレートやリール供給など） ・デュアルディスペンス/デュアルスタンピング機能搭載 ・充実したInspection機能搭載（ボンディング前後など） 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±25.4µm ・UPH：0.16秒（163ミリ秒） ・ダイ対応サイズ：0.15mm ×0.15mm – 5.08mm × 5.08mm ・サブストレート対応サイズ：長さ110mm – 300mm 幅12mm – 102mm アライメント精度/サイクルタイム/ダイサイズなどに応じて最適な装置をご提案致します。 ダイボンダーをお探しの際は、お気軽にお問い合わせ下さい
