分類カテゴリから製品を探す
業種から企業を探す
ブックマークに追加いたしました
ブックマークを削除いたしました
これ以上ブックマークできません
会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます
この企業へのお問い合わせ
1～37 件を表示 ／ 全 37 件
カテゴリで絞り込む
【主な測定・評価項目】 ■比抵抗プロファイル ■Epi層厚み測定 ■PN接合深さ測定 ■キャリア濃度分布 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【その他の特長】 ■非破壊、非接触 ■サンプルの前処理不要 ■高速フィードバック ■自動マッピング測定 ■ASTM F76スタンダードに準拠 ■従来の測定方式に比べて、大幅な時間短縮が可能 ■電極形成が不要 ■実際に量産されているウエハを誰にでも簡単に再現性の良い測定が可能 ■磁界制御とソフトウェア処理により、キャップ層がついたままの状態での測定も可能 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【その他の特長】 ■酸素濃度、炭素濃度測定 ■ロードポート：シングルまたはデュアルカセットロードポート ■高速マッピングステージ ■IR反射率測定ヘッドを使用可能（エピ膜厚用） ■追加の測定ヘッドを使用可能（分光エリプソメーター、4PPなど） ■エッジグリップ（オプション） ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
特徴とシステム仕様： 移動度 高感度測定 (移動度測定感度 ＜ 0.1 cm2/Vs) 少数キャリアの分離 磁場ダイナミックレンジ (約 2.5 T peak-peak) 均一性 (< 2% サンプルサイズ 10×10 mmまで) 使いやすいインターフェース 独自の信号処理 パラメータ自動抽出機能 コンパクト テーブルサイズデザイン ユーザーフレンドリーオペレーション ゲートバイアス電圧オプション 冷却システム不要
【その他の掲載内容】 ■光学干渉について ■解析アプローチ ■解析プロセス ■測定結果イメージ ■お問い合わせ先 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【その他の特長】 ■AFMと標準のAuriga機能との切り替えは、ユーザーが交換できるSEMドアを用いて 簡単に実行可能 ■標準のAFMカンチレバーをすべて使用できるため、機能は無制限 ■すべての一般的なAFMの動作モードをサポート ■カンチレバー交換時のレーザー/検出器の自動アライメント ■既存のAuriga SEMを簡単なドア交換でBRR機能に更新可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【主な測定項目】 ■硬度 ■弾性率 ■降伏強度 ■粘弾性（貯蔵損失弾性率） ■破壊靭性 ■耐摩耗性 ■耐傷性 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【機能詳細】 ■最大300点まで計測可能 ■自動ドリフト補正 ■ソフトウェアで抵抗の測定範囲を選択可能 ■カセットToカセット式ソーティング ■外部膜厚入力 ■ウェーハマッピング(2次元等高線、3次元グラフィック） ■SPC(Statistical Process Control)統計管理ソフト ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※測定原理や測定例、解析プロセスを紹介した技術資料を進呈中。 「PDFダウンロード」よりご覧いただけます。 ※デモの実施も可能です。 【分光エリプソメトリーについて】 分光エリプソメトリーでは、全波長領域における測定データ(Δ,ψ)に対して 適当な光学モデルを適用し解析を行います。 解析の結果として、各層の膜厚、屈折率、消衰係数が得られます。 膜厚はサブ・ナノメートルから測定が可能で、再現性にも優れています。 多層薄膜や材料の光学特性の検査に幅広く使用されています。 ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。
【その他の特長】 ■簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの分布状態、元素及び欠陥の特定ができる ■不良及び結晶欠陥の解析に有効 ■測定結果をライブラリーにある汚染物質のDLTS信号の羅列と比較することで、 容易に汚染物質の特定が可能 ■高感度アナログ／デジタルロックイン平均法を採用したユニークなシステム ■オペレーターフレンドリーなソフトを装備 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【特徴】 ■非接触CV/IVインライン測定 ■超高感度汚染管理（E8レベル鉄濃度測定） ■パタンモニター測定可能（SLモデル） ■PDM 【主な測定・評価項目】 ■汚染管理 -DSPVによる拡散長測定 -鉄濃度測定（E8レベル） ■膜評価 - 電気的膜厚（CET/EOT) - フラットバンド電圧（VFB) - 界面準位等（Dit)の測定 - リークIV測定 - Epi抵抗率測定 - High-k評価 - Low-k評価
【測定項目】 - シート抵抗 (Rs) - 接合（空乏層）の容量 (Cd) - 漏れ電流 (ジャンクション・リーク)
■特徴 ■非破壊・非接触測定 モニター ・モニターウェハー不要 ■ウェハー表面処理装置内臓 ・ＵＶ＋コロナチャージ 及び ＲＯＳＴによる測定前の表面処理が可能 ■高スループット ・測定スピード／ １ポイント ０．１秒
ウェハー表面電荷量及び界面準位密度の測定 ■酸化膜工程 ・ウェハー汚染やプラズマ損傷による酸化膜中 電荷量の変化 ・熱ストレス等による界面準位密度の変化 ・窒化酸化膜中の固定電荷モニター ■洗浄工程管理 ・ウェハー洗浄後の表面状態の電荷量チェック ■ＣＶＤ工程管理 ・膜中トラップ電荷状態のチェック
パルスレーザーを薄膜表面に 照射し、薄膜上で熱に変換されたエネルギーが 薄膜を熱膨張させる。 局所的に膨張した薄膜表面では音響振動が発生する。この音響振動の周波数 を物理モデルに導入し薄膜の膜厚やヤング率、ポアソン比を算出する。
ＵＳＬ（極浅層<40nm）のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜（<20Å）の電気的膜厚測定 SiON 膜，High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。 主な測定・評価項目 ・電気的膜厚（CET/EOT) ・フラットバンド電圧（VFB) ・界面準位等（Dit)の測定 ・リークIV測定 ・USJ（40nm以下）の低ドーズイオン注入量モニタリング ・Epi抵抗率測定
・簡単なキーボード操作によるオペレーションのみで測定が可能となり、熟練作業が不要。 全自動による複数サンプルの連続測定が可能なため、オペレータのシステムへの拘束時間が大幅に短縮。 ・CCDカメラ・ビジョンシステムにより２探針とサンプルとの位置合わせを自動化。 ・探針のコンディショニングと較正曲線の入力を自動化。 ・一度に６つの試料台がマウントでき、多数サンプルの連続測定が可能。 ・ＢＡＭ レーザーセンサーの採用により、角度補正が自動化しました
広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から（多重）反射した光は光学干渉を起こす。干渉波形（インターフェログラム）は検出器にて観察され、これをフーリエ変換し反射率スペクトルを得る。この反射率スペクトルは既存のFTIR解析技術に加え、各種測定アプリケーション（膜材とその構造）に対応可能なデータベース化された解析モデルを使用して、測定対象（主に絶縁膜）の膜厚、トレンチ深さ、空孔率、ドープ濃度、TSV形状、リセス測定などを数秒で同時測定することができる。
【主な測定・評価項目】 ■化膜中の電荷の評価（VFB） ■界面準位測定（Dit） ■エピ層の抵抗率測定（ρ） ■低ドースイオン注入の部分的ドース量の評価（PID） ■ライフタイム測定（τｇ） ■高／低誘電材料の誘電率測定（ε） ■絶縁膜の信頼性試験（TZDB、TDDB） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
主な測定・評価項目 主な測定・評価項目 ・測定Max感度 : C=2x10-5pF for S/N=1 （温度・周波数スキャンに可変時） ・トラップ濃度：Nt＜10-5INd-Na) ・I-V/C-Vプロット ・捕獲断面積測定 ・電界依存性測定 ・トラップ深さ測定 ・Mos測定
測定機能 - QSS-u-pCD (Injection level毎のライフタイム測定） - Ultimate-SPV (ウェハー厚4倍までの拡散長測定９ - ALID（高速光劣化測定） - 非接触CV測定 - 非接触Suns-VOC測定 - JＯマッピング測定（Emitter Saturation Current9 - シート抵抗測定 - LBIC(反射率、IQE) - 比抵抗測定
■非接触、非破壊測定 ●インプラのドーズ量モニタリング ●ＰAI深さ測定 ●ジャンクション深さ測定 ■高感度 ■高再現性、信頼性のあるオペレーション ■全自動・簡単操作 ■１＆２ロードポート及びFOUPオープナー対応 ■Cognex社製パターン認識システム標準装備
IRB-30は、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を 検査する装置です。
比抵抗測定器 RT-1000は、ベストセラー機 RT-1000の後継機種となり、渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵抗を瞬時に測定いたします。(測定範囲: 0.001〜100 Ωcm)
結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。 様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。
PN判定器 PN-100は、半導体材料を非接触/非破壊にて P/Nタイプ判定いたします。 シリコン端材、スクラップを含むシリコンインゴット原料のPN判別用途に最適です。
結晶系太陽電池向け品質管理、製造歩留向上のためのインライン全自動ウェハー測定モジュールです。 搬送用ベルト上でノンストップにてライフタイム、比抵抗/厚さ、シート抵抗を測定します。
ロールツーロールにてノンストップで膜厚を多点測定可能です。
分光エリプソメーターにFTIRがついたモデルです。
【アプリケーション】 ・Low-k膜の細孔率測定 ・色素増感太陽電池のTiO2細孔率測定 ・細孔サイズ（0.5~65nm)、厚さ（50nm～５um)のサンプル 【特徴】 ・膜厚、屈折率、表面積、浸透率、ヤング率、CTE計測も測定可能 ・従来の方式に比べ、短時間での測定が可能（２０分/point) 【仕様】 ・測定可能細孔サイズ（直径）；0.5~65nm ・スポットサイズ；1.2*0.8mm ・測定サンプル構成：単層／多層ともに測定可 ・サンプルサイズ：2~300ｍｍ(フィルム厚さ：50nm~5μm) ・測定時間；20分／point ・溶媒：IPA（イソプロパノール）、メタノール、トルエン、水
ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。
ライフタイム測定装置 WT-2000は、u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります。 シリコン・ブロック/ウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。 ※ シリコンウェハー/ブロックのインライン全自動測定装置もございます。
【豊富な製品バリエーション】 ○研究開発用途 ○大型パネル自動測定 ○ロールツーロール測定 ○FTIRオプション ○光学式細孔率 ○細孔分布測定 などあらゆる製品をご提案可能 【薄膜太陽電池向け分光エリプソメーター】 ○アモルファスシリコン ○微結晶シリコン ○GIGS ○CdTe ○DSSC ○有機物等の、光学特性の測定が可能 ○ITO膜 【測定可能な物理特性】 ○膜厚と光学屈折率(n,k) ○屈折率の勾配と材料組成 【アプリケーション】 ○半導体 ○シリコン、有機、化合物半導体 ○太陽電池 ○有機EL ○LED ○ポリマー ○フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ） ○医療、バイオ ○ＰＥＴフィルム ○燃料電池 ○グラフェン 【仕様】 ○波長範囲：190nm-2400nm ○測定スピード：全波長範囲 1秒～ 【オプション】 ○FTIR ○ポロシメーター ○マイクロスポット ○コンペンセーター ○自動マッピング・ステージ ○シート抵抗 ○反射率計 ○ラマン分光 ○透過率計 仕様や価格については、お気軽にお問い合わせください。
LSTは、CCDカメラを使用し、切断されたウェハーサンプル断面の結晶欠陥を測定します。
太陽電池で必要な様々な光学系、電気系測定が1台で可能です。 - 分光エリプソ(膜厚、光学特性) - ライフタイム測定 - シート抵抗測定 - 比抵抗測定 - ラマン分光 第10世代パネル対応まで対応可能です。
検査、搬送、位置決め工程などの自動化に。提案例の紹介資料進呈
業界の枠を超えたリニューアルでビジネスを加速！総合カタログ進呈
