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装置の安全性についてS2及びS8をベースとした調査に最適です。
QSESの安全評価について「QSES安全調査の流れ」は、装置を半導体製造工場へ納入する際の安全調査報告書の提出をサポートします。 安全性についてはS2及びS8をベースとした調査を実施します。 ご発注後の調査工程は、設計前安全調査からマニュアル/警告ラベル作成まで（第０～第４フェーズ）に区切って作業を行います。 最後の第５フェーズでは報告書や対象装置に関するお問い合わせ等のフォローアップをいたします。 【特長】 ■装置の安全性についてS2及びS8をベースとした調査を実施 ■製造装置（製品）の安全評価サービス ■調査工程は４フェーズに区切って作業 ■取得すべき安全規格のご相談・審査・レポート作成・申請業務などのトータルサポート ■機械・電気・化学・電磁両立性等の様々なレベルでのコンサルティング ※詳しくはカタログをダウンロードしてください。
半導体製造装置設計に関する安全ガイドラインで対応範囲は多岐に渡ります。
QSESの安全評価について「SEMIスタンダード」は1978年にはじめて発売され、 半導体製造装置の設計に際しての安全ガイドラインとして、 幾度の改定を加えながら現在に至ります。 SEMIスタンダードの対応範囲は、材料、ハードウエア・ソフトウエア、設備、 ガス、プロセスケミカル、環境 健康＆安全 (EHS)等、多岐にわたり、 主にそれぞれの「仕様、ガイド、試験方法、用語、実施方法」を記載しています。 その中で半導体製造装置を出荷する際に求められるガイドラインがS2とS8で、液晶製造装置の場合は、S26とS8です。 【特長】 ■半導体、液晶製造装置の設計に際しての安全ガイドライン ■現在の最新版は、S2が2018年度版、S8も2018年度版 ■対応範囲は、材料、ハードウエア・ソフトウエア、設備、ガス、プロセスケミカル、環境 健康＆安全 (EHS)等 ■仕様、ガイド、試験方法、用語、実施方法を記載 ■半導体、液晶製造装置を出荷する際に求められる一般的なガイドライン ■警告ラベルおよびマニュアルの安全ガイドライン ※詳しくはカタログをダウンロードしてください。
どこよりも早く『電圧降下（F47/F42）試験』に対応し、対策からレポート作成までフルサポート。
QSESの安全評価について「Ｆ47/Ｆ42評価サービス」は、装置納入時の必須項目となりつつある『電圧降下（F47/F42）試験』に、どこよりも早く対応した試験評価サービスです。 半導体工場内において設備の故障や大きな負荷の変動により、AC供給電源が突然の電圧降下（半サイクルから数秒）を起こした状態をシュミレートし、その場合の被試験装置の耐性を評価する試験を行います。 エッチャー、CVD、CMP、洗浄機、排ガス処理装置、ステッパー、イオン注入装置、自動検査装置等のプロセス装置全てが対象で、電源容量の大きい装置にも対応しています。 さらに、対策からレポート作成までフルサポートいたします。 【特長】 ■AC供給電源が突然の電圧降下を起こした状態をシュミレートして装置の耐性を評価 ■エッチャー、CVD、CMP、洗浄機、排ガス処理装置、ステッパー、イオン注入装置、自動検査装置等のプロセス装置全てに対応 ■測定機器は単相／三相問わず、AC200V 100A/相までの装置に対応 ■試験評価は、工場など任意の場所に測定機器を持ち込んで行うことも可能 ■対策からレポート作成までフルサポート
電磁波からの職場の健康・安全を守る ～EMF指令をご存知ですか～
2016年7月1日、欧州（EU 加盟国）では職場における電磁波（EMF: electromagnetic fields）から労働者を守る 2013/35/EU 指令が有効になりました。この結果、工場や製造現場は曝露限度値を超える電磁波にそこで働く人たちを曝さないようにしなければなりません。 曝露限度値は ICNIRP**（国際非電離放射線防護委員会）の勧告に基づくものとなっています。国内では総務省が「電波防護指針」として曝露限度値（安全基準）を定めています。 第三者による EMF 試験および適合性評価は労働環境の安全を担保する企業の取り組みの一つと考えます。従業員の健康を守るだけでなく社会に企業コンプライアンスを示すことで市場での競争力強化にも役立ちます。
～Ag系低温・室温焼結化・Cu系抗酸化・表面酸化制御・分散安定化・導電性改善・各種印刷法に応じた最適調整法～
本書は【導電性ペーストの特に銅・銀】をキーワードとし、銅Cu、銀Agに特化したペースト材料における表面処理、製造、合成、プロセスや焼成薄膜としての評価、応用展開、将来市場まで含めた類例のない書籍であり、特にインク・ペースト技術を念頭に置いた課題をピックアップし、ポイントを絞って網羅している。また、プリンテッドエレクトロニクス・タッチパネル配線材料など、応用事例を考えたときに特に影響が大きいもの、銅ペーストでは抗酸化、銀ペーストでは低温焼結・低抵抗化を中心に掲載している。具体的な表面処理方法が網羅されている類書のない一冊となっている。 本分野において第一人者である研究者の方々によって執筆された最先端の技術書と言える。導電性ペースト・インクの開発を検討されている読者に、新製品を生み出す指南書となれば幸いである。
実績多数のアントンパールのレオメータMCR(e)シリーズとラマン分光計Cora5001Fiberの組合せで複合評価を実現
【レオメータMCR(e)シリーズ＋Cora5001 Fiber の特長】 ■リーズナブルな価格 ■モジュラー構造のため、セットアップが簡単 ■スタンドアローンでも使用可能 ■MCR xx2シリーズレオメータ（MCR 302を推奨） ■プローブ位置はリニアテーブル付属のホルダで微調整可 ■下部ガラスプレート付き温調デバイス ■マイナス20 ～200 °C (ペルチェ温調装置) ■最高 300 °C (電気温度制御) ■ディスポーザブルプレートも使用可 ■レオメータによる物理特性だけでなく、化学構造的変化をモニタリング ■532・785・1064nmを選択可能 ■石英プレートなのでシリカバックグランドの補正が不要 ■UV硬化、(蛍光)顕微鏡、小角光散乱(SALS)、偏光イメージングにも取替え が容易
鉛筆硬度試験に代わる傷つき易さの定量化
「ナノスクラッチテスタ(NST3)」 を用いて、スマートフォン用の液晶保護フィルムのスクラッチ試験を実施。 数種類の携帯電話用保護フィルムを用意して同じ条件にてスクラッチ試験。 スクラッチ後のパノラマ写真観察による剥離荷重から傷のつきやすさを定量化。 独自のプレスキャンポストスキャン機能によりフィルムの傷修復も数値化。 鉛筆硬度測定との比較、より詳しい定量化が可能。 ナノスクラッチテスタは、特に標準膜厚1000 nm以下の薄膜やコーティングの実際的な密着性評価に最適です。 有機系及び無機系のコーティングや、軟質及び硬質のコーティングの分析に使用できます。 光学用途から、マイクロエレクトロニクス用途、保護膜、装飾膜など様々な用途向けの、薄膜・多層膜のPVD・CVD・PECVD膜、フォトレジスト、塗装、ラッカーなどの膜の評価に利用できます。 金属合金、半導体、ガラス、反射材や有機材料を含む硬質あるいは軟質の基材も評価できます。 鉛筆硬度試験・サイカス・ウール試験・消しゴム試験では困難な定量化を実現します。
昔からの高圧ガス配管の健全性評価に困っていませんか？出光エンジは製油所での経験を元にトータルコストミニマムで健全性を確認します！
大地震のリスクが高まっている中、既存の高圧ガス配管の耐震性評価をどこから手を付ければ良いかお困りではありませんか？ 出光エンジは製油所の経験を元にトータルコストミニマムでお客様の設備の健全性を確認することが可能です。 【特徴】 ・出光構内の経験に基づき、ウォークダウンにより配管の弱点箇所を抽出します。 ・抽出箇所のみに詳細評価を行いますので、評価コストをミニマムにできます。 【効果】 過去の基準で作られた既設高圧ガス配管の耐震性を確認し、将来の大地震に対する信頼性を確保できます。 （２０１６年時点では既設配管の評価は義務付けられていませんが、将来的にはタンクと同様に評価が義務付けられる可能性があります）
ダイアタッチやTIM材などの評価に好適！試作から評価まで対応致します
株式会社アイテスでは、『モジュール試作と熱抵抗評価』を承っております。 パワーデバイス及びパワーデバイスで使用する材料の評価において、実際に デバイスを組み立てての熱抵抗測定は、実力の把握に有効な方法です。 試作から評価まで対応致します。 ご興味がございましたら、是非お気軽にご相談ください。 【特長】 ＜パワーモジュールの試作＞ ■チップの調達からモジュールの組立てまで、一貫して柔軟かつ安価でご提供 ■ダイアタッチやTIM材などの評価に好適 ＜過渡熱抵抗測定＞ ■パワーデバイス向けのT3Ster（パワーサイクル試験装置 内蔵）にて、 過渡熱抵抗の測定を実施、構造関数の取得と熱解析を行う ■そのデータも用いて、材料間の比較や熱抵抗の算出・不良部の推定などが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
はんだ内ボイドの面積率を測定！機械研磨を組み合わせることで総合的な評価が可能
BGA・CSPはんだの評価では、透過X線画像データから はんだ内ボイドの面積率を測定することができます。 さらに機械研磨を組み合わせることで総合的な評価が可能。 ご用命の際はお気軽にご相談ください。 【特長】 ■BGA（Ball Grid Array）はんだの非破壊評価 ・X線透過観察から得た画像より、非破壊ではんだ内ボイドの ⾯積率（％）が測定可能 ■CSP（Chip Size Package）、BGA（Ball Grid Array）断面観察 ・機械研磨による断⾯観察ではX線観察では⾒難い引け巣などの観察も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
複屈折位相差（歪）や流れ方向・応力方向（主軸方位）の視覚化が可能です！
射出成形法によるプラスチック成形品は樹脂の溶融、金型への充填、 冷却・保圧といった工程を経ていますが、これらの条件が適切でない場合、 内部に応力が残り（残留応力）、成形不良の原因となります。 二次元複屈折測定システムは、その応力の指標である複屈折位相差（歪）や 流れ方向・応力方向（主軸方位）の視覚化が可能です。 例として、ポリスチレン（PS）成形品を加熱条件で比較した複屈折評価を ご紹介します。 【装置原理】 ■複屈折を持つ透明体に光を当てると、その偏光状態が変化する性質がある ■複屈折測定装置を使用することで、偏光情報を専用の偏光イメージセンサで 視覚化することが可能 ■523nm・543nm・575nmの波長を使用して、透明体を通過する前後の 偏光状態を比較することで、複屈折を評価できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コントラスト比や色温度などを測定可能！光学特性の変化を定量的に評価
当社では液晶ディスプレイやOLEDなどの光学特性を分光放射計を用いて 測定できます。 試験前後に測定を行う事で、光学特性の変化を定量的に評価。 白および赤緑青の4パターンにて分光放射輝度を測定します。 輝度・色度・主波長など、さまざまな光学特性を測定することが 可能です。 【測定器概要】 ■測定項目：分光放射、輝度、色度 ■測定範囲：0.0005cd/m2～5,000,000cd/m2 ■波長測定範囲：380nm～780nm ■波長分解能：1nm(有効波長幅[半値幅]：5nm） ■設置方法・治具：縦置き、平置きなど、形状に応じて対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
二次元色彩輝度計を用いて測定を行うことで、ムラなどを評価することが可能！
当社では、OLEDなどの発光面の輝度・色度ムラについての 『液晶ディスプレイの輝度・色度ムラ評価』を行っております。 輝度測定(表示面を二次元輝度計で測定)では、液晶ディスプレイ表示面の デジカメ画像と、二次元輝度計で輝度測定を行った結果を比較。 デジカメ画像ではムラの分布が判別しにくい状態ですが、輝度分布の カラースケール表示では、輝度ムラのあるエリアが目立つようになり 判りやすくなっています。 【測定器概要】 ■測定項目：三刺激値(X,Y,Z)、色度(x,y) ■測定範囲：0.01cd/m2～1,000,000cd/m2 ■有効画素数：1376×1024 ■発光面サイズ：15～115インチ程度 ■設置方法・治具：縦置き、平置きなど、形状に応じて対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
機能材料の性能評価、品質管理において重要な分析項目！不織布シートや膜材料の孔径、細孔分布の評価
不織布シートの最大孔径、細孔分布を、バブルポイント法を用いて 評価した例を紹介します。 試料を薬液に浸漬し空気圧を加えます。圧力を加え、シートに染み込んだ薬液の 表面張力に打ち勝ち、気泡の出現が生じたときの圧力をバブルポイントといいます。 最大孔径は、バブルポイントの圧力、薬液の表面張力を基に計算することが 可能です。 【計算式】 ■d＝Cy/P ・d：最大孔径 ・C：定数 ・y：薬液の表面張力 ・P：差圧 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TOF-SIMSで金属界面の有機物を深さ方向に評価できます
金属界面の有機物は密着不良や剥がれの原因となります。その密着不良の分析には、物理的に剥離加工を行い、剥離した面について定性分析を行うことが有効です。（参照：分析事例C0198）。一方、剥離加工ができない場合も多く、その場合にはスパッタイオン源を用いて深さ方向に分析をすることが有効です。 本資料では、金属界面における薄膜もしくは二次汚染程度の有機物を深さ方向に定性分析した事例を紹介します。結論としてC系のイオンを確認することで有機物の存在を確認することができました。 また、成分がわかっている標準品と比較することで有機物を同定できる場合もあります。
