スパッタリング装置の製品一覧
- 分類：スパッタリング装置
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
2024/4/10（水）～2024/4/12（金）名古屋 ものづくり ワールド 2024出展のご案内
三和式ベンチレーター株式会社は、ポートメッセなごやで開催される 2024ものつくりワールド（名古屋）に出店いたします。 弊社も大型冷風機、涼暖ビエントの展示をおこないます。 日時：2024/4/10～2024/4/12 開場：AM10:00~ 場所：名古屋ポートメッセ（第１展示会場） ※弊社ブース：19-1 お時間が御座いましたら、ご来場頂ければ幸いです。
「顧客満足と技術力を限りなく追求し、社会に貢献する」という経営理念のもとに事業を展開
- 真空機器
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置
- その他半導体製造装置
- スパッタリング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
各種成膜処理ができる半導体ウェハー・アドバンストパッケージング向け成膜プラットフォーム
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- CVD装置
半導体・医療機器分野に求められる高清浄度に対応。精密洗浄から包装・組立までを一貫してクリーン環境で行います。
- CVD装置
- スパッタリング装置
- レジスト装置
PLP向けにより高い生産性！より多くのプロセス可能性。アドバンストパッケージング向けに最適
- スパッタリング装置
- エッチング装置
半導体、MEMS、電子部品等に！単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで高速かつ安定した連続成膜が可能！
- スパッタリング装置
半導体、MEMS、電子部品等に！単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで高速かつ安定した連続成膜が可能！
- スパッタリング装置
相談だけでも歓迎！設計から製作、組立まで自社で一貫して対応！各種装置製造でお困りの方は是非ご相談ください。※製作事例資料進呈中
- スパッタリング装置
中真空域でのスパッタリング技術を使用し、世界で初めて銅ダイレク成膜によるめっきシード層形成技術を開発！ 従来以上の生産性を実現！
- スパッタリング装置
半導体製造装置の流量制御に必要な高精度の圧力センサ各種。モジュールのカスタマイズも可能です。
- 半導体検査/試験装置
- エッチング装置
- スパッタリング装置
半導体製造装置やMEMS圧力センサの計測試験/ライン検査に圧力コントローラPACEを導入しませんか？
- 半導体検査/試験装置
- エッチング装置
- スパッタリング装置
製造ラインの圧力校正試験にPACEシリーズを導入しませんか？生産コストの削減も可能です！
- エッチング装置
- スパッタリング装置
- 圧力計
最短半日見積り／金属部品から樹脂製品まで、半導体製造装置に関わる部品を実績にてご紹介！
- スパッタリング装置
【設計・カスタマイズ】巻取機
装置のカスタマイズ、改造設計のみをお受けしました。 お客様／精密機械部品メーカー 様 エンドユーザー／電子機器メーカー 様 ご依頼内容／既存装置を使った改造設計 主な仕様 小型リチウムイオン電池部品を搬送／搬送治具からの切り出し リールテーピング／レーザーマーキング／リール巻き取り 装置寸法／W3,500mm × D1,200mm × H1,000mm 今回、機械・装置設計のみを承りました。 ワーク搬送治具の供給部分、ワークの切り出し／取り出し／送り出し部分、 リール巻き取り部分の機械設計を担当致しました。 部品調達、組立等、機械設計以外の部分は、お客様の方が対応されました。 設計のみの案件もお受けしております。 オーダー装置はもちろん、既存装置を使用した今回の様に お客様のご要望に合わせて柔軟に対応が可能です。 装置・治具製作に於ける、設計から据付までの一連の流れをワンストップで お受けできる点が私たちの1番の強みでもあります。 搬送、ロボット、生産設備 等、装置・治具に関するお悩みを是非一度お聞かせ下さい。
最短半日見積り／アルミ材による生産設備部品の製作を承りました。
- スパッタリング装置
【国際フロンティア産業メッセ2021】へ出展致します。
この度、来る９月２日(木)・３日(金)、 「国際フロンティア産業メッセ2021」 に出展させていただく運びとなりました。 【出展小間位置】 Ⅾ－６３（２号館） 「国際フロンティア産業メッセ2021」＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿ 〈開催日〉９月２日（木）・３日（金） 〈開催場所〉神戸国際展示場１・２号館 先端技術の紹介や新事業創出の基盤となる製品展示を中心に、 技術交流・ビジネスマッチングを図る西日本最大級の産業総合展示会です。 ＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿ 本展示会では、主催者による新型コロナウイルス感染症対策が実施されております。 また、弊社スタッフも検温による健康管理の上、常時マスクを着用、 手指消毒の徹底、距離を保った接客などの感染防止対策を実施いたします。 入場は無料です。皆様のご来場を心よりお待ちしております。 引き続き社員一同皆様方のご期待にお応えできる様、精進して参りますので、 何卒倍旧のご愛顧を賜ります様、宜しくお願い申し上げます。
半導体・電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用各種実験装置、薄膜実験装置を紹介。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
◆nanoANNEAL◆ ウエハーアニール装置
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
真空蒸着（金属・有機蒸着源）、スパッタリングカソードの混在設置が可能な「複合型」薄膜実験装置 nanoPVD-ST15A
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
◆nanoANNEAL◆ ウエハーアニール装置
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全てが1台で可能! 'All-In-One'コンポーネント
- スパッタリング装置
◆nanoANNEAL◆ ウエハーアニール装置
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。
- スパッタリング装置
◆nanoANNEAL◆ ウエハーアニール装置
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
ウエハーアニール装置【nanoANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
DCパルススパッタリングが可能(導電性ターゲット使用した絶縁膜のリアクティブスパッタ)！
- スパッタリング装置
スパッタリングで硬度なDLC（ダイヤモンドライクカーボン）を成膜し、医療用品や自動車部品に対応します！ ※デモテスト実施中
- スパッタリング装置
DLC成膜(膜質:ta-C領域, 表面粗度Ra0.16nm, 透過率：88％)を 従来では課題の多かったスパッタで実現
- スパッタリング装置