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1試料、Refとの比較込み！候補となる分析手法をまとめて実施
当社で取り扱う『化学分析 おまかせサービス』をご紹介いたします。 製品上の異物やシミなどの成分分析を⾏う際、有機分析が適しているのか、 無機分析が適しているのか、また、有機・無機分析の中でもどの分析が好適 なのか、分析手法の選定についてお困りのお客様へ、一括サービスを提供。 分析装置はそれぞれ測定できる対象が異なるため、情報をもとに、 目的に合った手法を選ぶ必要があります。 【特長】 ■結果が得られたデータのみ報告 ■結果報告は最大2手法まで ■3手法以上の結果報告をご希望の場合は、別途費用が発生 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
FT-IRとSEM-EDXを用いて有機・無機複合材の分析を行った例をご紹介！
FT-IRとEDXによる有機・無機複合材の分析についてご紹介いたします。 ペットボトルラベル表面の光沢がある部分と無い部分におけるFT-IR測定を 行い、光沢部分と光沢の無い部分ではIRスペクトルが異なりました。 また、光沢がある部分と無い部分におけるSEM-EDX測定を行い、EDXスペクトル と反射電子像を得たところ、光沢の無い部分は光沢部分と異なり硫黄(S)、 バリウム(Ba)が検出されました。 【分析内容】 ■FT-IRを用いる有機物分析 ・ペットボトルラベル表面の光沢がある部分と無い部分におけるFT-IR測定 ■SEM-EDXによる無機物分析 ・光沢がある部分と無い部分におけるSEM-EDX測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
一長一短な特長があるためサンプル形態や観察範囲、目的などに応じて選択する必要があります！
当社にて、A社製のVRゴーグルに付随のCMOSイメージセンサ部品について、 部品状態のまま機械研磨にて断面を作製し、CMOSセンサ部品の構造観察を 行いました。 センサ部品構造及びセンサ表面観察では、ガラスフィルタを取り除き CMOSセンサ表面を観察すると、カラーフィルタの配置がベイヤーフィルタと 言われる配置であることが観察されました。 断面作製方法には機械研磨の他、FIBやCPなどイオンビームで加工する方法や ミクロトーム法などがあります。相談は無料ですので、断面作製方法に 迷ったらお気軽にご連絡ください。 【概要】 ■センサ部品構造及びセンサ表面観察 ■機械研磨による断面作製 ■センサチップ表層のSEM観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
1H NMR,13C NMR、及びDEPT測定を例として取り上げ、NMRで得られる情報について紹介！
株式会社アイテスでは「液晶化合物のNMR分析」を行っております。 NMRは、分子を構成する原子どうしのつながりが分かる分析手法であり、 質量分析や赤外分光法などと共に、化合物の構造決定に用いられます。 ダウンロード資料では、液晶成分として使用される4-ブトキシ-4’- シアノビフェニル(CAS番号52709-87-2)の1H NMR,13C NMR、及び DEPT測定を例として取り上げ、NMRで得られる情報について紹介。 是非、ダウンロードしてご覧ください。 【測定例】 ■1H NMR測定 ■13C NMR測定及びDEPT測定 ■その他のNMR測定手法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
成分分析を行う際に、FT-IRとGC/MSをどのように使い分けるのかをご紹介！
当社の「有機物の成分分析」にはFT-IRやGC/MSがよく用いられます。 FT-IR測定では成分既知の物質のIRスペクトルと比較することによって 有機物の主成分を分析することが可能。 また、成分未知の物質の主成分だけではなく、添加剤等の微量に含まれる 有機物も分析したい場合にはGC/MS測定を行うことを推奨します。 【特長】 ＜FT-IR測定＞ ■有機物の主成分を分析することができる ■一部の無機物も分析することができる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
変質によってIRスペクトルやラマンスペクトルがどのように変化するのか！空気中で加熱処理した樹脂のスペクトルを紹介
FT-IRやラマン分光測定は樹脂などの有機化合物の定性分析に適しています。 有機物は熱や紫外線、薬品などの影響によって変質することがありますが、 その変質によってIRスペクトルやラマンスペクトルがどのように変化するのか、 今回は空気中で加熱処理した樹脂のスペクトルを紹介します。 添付のPDF資料にてグラフを用いて詳しく解説しておりますので、 ぜひご覧ください。 ※詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
BCAの断面解析とX線透過観察
BGA・CSPやCOC微小なバンプや特殊なセンサー、 内蔵部品基板の指定箇所の断面研磨を X線観察により可能にしました。 【特徴】 ○一直線に並んだバンプを均一で水平な研磨に仕上げている顕微鏡の焦点を変えることなく観察が出来ます。 ○BGA等の小さな隙間に樹脂を完全に充填し、汚れ・ダレ・伸びのない断面試料を提供します。 ○X線透過装置は焦点寸法0.25?mによる微細なポイントの設定が可能で、130万画素検出器で動画撮影も出来ます。 ・詳細はお問い合わせ下さい
半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能！
『ELITE』は、通電によって異常箇所を発熱させ、その発熱部位を 高感度赤外線カメラで観察することで、実装基板、電子部品内部、 半導体チップ内部の異常箇所を特定する発熱解析が可能な装置です。 最大約20cm角の広角カメラにより、大きな基板等のサンプルでも 解析可能。 また基板解析の経験は豊富にございますので、その経験を基に不良箇所の 特定や、断面解析による原因特定にも対応します。 【特長】 ■非破壊で不良解析ができ、サンプル加工などによる故障箇所喪失リスクがない ■半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能 ■一般的なマニュアル検査に比較して不良特定率が向上 ■赤外線強度データと位相データの解析により、不良部位のXYZ位置特定が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
材料に併せてカスタマイズ！様々な前処理を併用することで、幅広く分析可能
当社では、試料中の目的成分を薬液で抽出し、その薬液を分析することで 試料中の目的成分の分析(定性・定量)をします。 濃度を変えた既知試料を測定し、その検出強度と濃度から検量線を 作成して、未知試料の濃度測定が可能となります。 オートサンプラを用いるため、分析試料量の再現性が高く、 定量分析時の精度が良いです。 【特長】 ■常温粉砕：プラスチック材料の粉砕など ■凍結粉砕：ゴム系材料の粉砕など ■超音波抽出：粉砕後の試料からの抽出 ■遠心分離：～12000rpmまで対応 ■溶剤抽出：水系、有機溶剤系など ■固相抽出：C18系、陽・陰イオン系など ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Tenaxチューブを用いたTD-GC/MS法では、装置に導入される回収ガス量が多く、検出感度の面で有利！
当社で行う、TD-GC/MS(加熱脱着-ガスクロマトグラフ/質量分析装置)による 雰囲気中のガス成分分析についてご紹介いたします。 雰囲気中のガス成分の分析のご要望は多々ありますが、対象となるガス成分の 濃度が薄く、そのままでは分析することは困難です。 Tenaxチューブを用いたTD-GC/MS分析では「二硫化炭素に溶解するガスでないと 分析できない」「採取したガスを二硫化炭素で希釈するため、ガス濃度が薄いと 検出できない」といったことが改善され、より感度の高い測定が可能となりました。 【分析項目】 ■捕集したガス成分の分析 ■定量分析も可能(D8トルエン換算) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
こんな課題をお持ちの技術・開発部門の方へ、セミナー講演資料をご提供（無料）
●発明の先行特許を自分で探せるようになりたい ●特許に関する競合他社の動向調査をしたい ●技術・開発部門の特許調査力の向上によって、発明のレベルUPを図りたい 多くの方にご視聴いただいたWebセミナーにて、パナソニックの特許調査支援サービス「PatentSQUARE」を活用し、技術・開発現場における特許調査の効率化を実現する方法をお伝えしました。 ご好評いただいた当日の講演資料を無料でご提供していますので、この機会にぜひご覧ください。 【セミナータイトル】 技術・開発現場の特許調査を“AI”が変える！ ～技術・開発現場における特許調査の効率化を実現する機能のご紹介～ ▼詳細は、関連リンクより製品ホームページをご覧ください。
先行技術を効率的に探したい、そんな課題をお持ちの技術・開発部門の方へ、セミナー講演資料・実践編をご提供（無料）
●技術者がAIを使って「特許調査」をやってみた ●専門スキル不要で本格的に特許調査する方法とは 多くの方にご視聴いただいたWebセミナーにて、「開発現場で使える実践編」として専門スキルを持たない技術者にもできる、「PatentSQUARE」を活用した具体的な特許調査方法をご紹介しました。 ご好評いただいた当日の講演資料を無料でご提供していますので、この機会にぜひご覧ください。 【セミナータイトル】 技術・開発部門で実践！専門スキル不要で本格的に特許調査する方法とは ～AI を活用した“攻める”技術動向調査 3STEP ご紹介～ 1. AI検索を使った調査の実例、検索条件文を書くコツ 2. 競合会社の技術動向がわかる、マトリクスマップの書き方 3. こうすればカンタン！知財向け調査ツールの使いこなし指南 ▼詳細は、関連リンクより製品ホームページをご覧ください。
分析のセミナーを無償にて行います！
お客様のニーズに合わせた技術者訪問の分析セミナーを承っております。 お客様のご要望に応じて、分析技術のご紹介や分析データのご説明をいたします。 訪問する技術者の人数・セミナー時間・内容は、ご希望に合わせてカスタマイズが可能です。 お気軽にご相談下さい。
ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能
SSRMは、バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効 ・半導体の極性（p型/n型）の判定は不可 ・定量評価は不可
FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走査させることにより特定領域を削ったり成膜することが可能です
FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで、試料表面を走査させることにより、特定領域を削ったり（スパッタ）、特定領域に炭素（C）・タングステン（W）・プラチナ（Pt）等を成膜することが可能です。また、イオンビームを試料に照射して発生した二次電子を検出するSIM像により、試料の加工形状を認識できます。 ・微小領域（数nm～数十μm）のエッチングによる任意形状加工が可能 （通常加工サイズ：～20μm程度） ・SEM・SEM-STEM・TEM像観察用試料作製（特定箇所の断面出しが可能） ・微細パターン（数μm～数十μm）のデポジション薄膜形成が可能（C・W・Ptの成膜） ・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM（Scanning Ion Microscope）像観察が可能 ・SIM像で金属結晶粒（Al、 Cu等）の観察が可能
実験セルを問わず解体し、分析します
GC/MS分析を用いて電解液の有機溶媒成分を評価した事例を紹介します。 リチウムイオン二次電池の電解液を測定した結果、有機溶媒はエチレンカーボネート（EC）、プロピレンカーボネート（PC）を主成分としていることが分かりました。 この他の成分としてジエチルカーボネート（DEC）、硫黄化合物が検出されていましたが、後者については添加剤由来の可能性が考えられます。
各成分の毛髪への浸透状態を可視化
日常生活でヘアケア剤を用いていない毛髪であるヒゲを、コンディショナーもしくはトリートメントに浸し、各浸漬条件における成分の浸透状態について調査しました。 コンディショナーに浸漬したヒゲでは、シロキサンが浸漬時間と共に毛皮質まで浸透する一方、高級脂肪酸は抜けている様子が見られました。トリートメントに浸漬したヒゲでは、含窒素有機物は毛皮質には浸透せず毛小皮（キューテクル）周辺にのみ分布している様子が見られました。
雰囲気制御下で前処理を行うことで酸化劣化を防いだ分析が可能です
雰囲気制御下で有機EL素子の切削加工を行い、各層の定性スペクトルを抽出した結果を示します。 有機EL素子を雰囲気制御下において切削加工を行うことで、より真の状態に近い各層のスペクトルを取得することができました。
有機EL素子を深さ方向分解能よく評価
有機EL素子の長寿命化には、エレクトロマイグレーションによる劣化の評価が必要なため、電極金属成分の有機層への拡散の状態を調べることが重要です。しかしながら、陰極側から直接分析しても、陽極側からSSDP法*により分析しても、深さ方向分解能が低下し、界面から有機層への拡散を評価することは困難でした。（*SSDP法：裏面側からの分析。） そこで、特殊加工によって、陰極/有機層界面および有機層/陽極界面を露出させ、そこから有機層を分析することにより、有機層中を高い深さ方向分解能で評価することが可能になりました。
SIMS分析によりH、 C、 N、 O、 Fなどを1ppm以下まで評価可能
他手法では評価が難しい半導体基板中のH、C、N、Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します（表2）。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基板など各種材料のバルク分析や半導体プロセス中のガス成分の混入評価などに最適です。
TEM-EELSにより、微小領域の元素同定・化学状態分析が可能です
電子材料・触媒材料・紫外線吸収剤・光触媒などに用いられる酸化チタン（TiO2）には組成が同じで結晶構造の異なるアナターゼ型とルチル型が存在します。Si基板上に成膜した厚さ20nmの多結晶TiO2試料（写真1）について電子線プローブを約1nmΦ(FWHM)まで絞って測定を行いました。試料から取得したEELSスペクトルは、Ti、 Oともにアナターゼ型TiO2の標準スペクトルと一致しています（図1、 2）。
イメージングSIMS分析により面内分布を可視化
デバイス作成の要素の一つである膜組成の均一性と不純物の分布状態をイメージングSIMS分析により評価しました。 測定後のデータ処理により、平面イメージ（図1）・断面イメージ（図2）・任意箇所の深さ方向分布プロファイル（図3、 4）・ラインプロファイルを得ることができます。構成材料・不純物の分布から、プロセス・膜質改善に繋がる情報を得ることができます。
XPS：X線光電子分光法など
高純度不活性ガス雰囲気下で試料前処理、搬送、測定を行うことで表面酸化、水分吸着を抑えた評価が可能です。 ■適用例 ・半導体電極材料 剥離面の評価等には二次汚染、酸化の影響を抑えて評価ができます。 ・有機EL材料 開封から不活性ガス雰囲気下で作業を行うことで、材料の劣化を防ぎます。 ・Li等電池材料 Li等N2雰囲気不可の場合はAr雰囲気で処理を行う等の対応も可能です。
EBSD：電子後方散乱回折法
TEM（NBD：Nano Beam Diffraction）のような薄片化加工を行うことなく、バルク状態での測定が可能です。 SEM特有の高い空間分解能を持ち、比較的高い歪み感度を持っています。 また、局所的な格子歪みをテンソルデータとして検出できる可能性があります。
PL：PhotoLuminescence
フォトルミネッセンス法とは、物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際に発生する光を 観測する方法です。得られる発光スペクトルから、様々な情報を得ることが可能です。 ・バンドギャップ約3.5eVまでのサンプルを励起することが可能 ・マッピング機能により、広範囲の情報を得ることが可能 ・約10Kまでの測定が可能 ・一般的に非破壊の測定であり、特殊な前処理が不要
XAFSは、物質にX線を照射することで得られる吸収スペクトルを解析する手法です
・試料中の着目元素周囲の局所構造（原子間距離、配位数）や化学状態（価数、配位構造）の評価が可能 ・環境（高温・高圧・雰囲気）を問わず、測定が可能 ・様々な試料形態（固体・液体・気体、薄膜、非晶質物質など）の測定が可能 ・適用可能な濃度範囲が広い（主成分元素から微量元素まで） ・非破壊測定 ・測定方法によっては、バルクだけでなく、表面敏感な測定も可能
ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価
裏面電極型結晶Si太陽電池（バックコンタクト型Si太陽電池）において、電極直下のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。また、キャリアの分布評価を行うことで、p/nの極性判定や空乏層を断面方向から可視化することが可能です。
表面凹凸のあるサンプルでのキャリア拡散層の均一性評価
BSF型結晶Si太陽電池について、表面側テクスチャ部および裏面側BSF部のキャリア拡散層分布をSCMにて評価した事例を紹介いたします。テクスチャ部では表面凹凸に沿ってpn接合が形成されているのに対し、BSF部ではキャリア分布に途切れがあり不均一であることが確認できます。
雰囲気制御下での処理 クライオ加工 冷却 SEM： 走査電子顕微鏡法他
大気に暴露すると変質してしまうリチウムイオン二次電池材料や、加工・観察時の熱で変質する有機系材料等の試料は、TEM・SEMを用いて本来の構造を観察することが困難でした。 大気暴露することなく（雰囲気制御）FIB付き高分解能SEM装置で観察することで、粒子や電解質等の本来の状態を知ることが出来ます。また冷却にも対応しており、熱による変質も抑えることが可能です。
