分析のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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分析 - メーカー・企業494社の業務用製品ランキング | イプロスものづくり

更新日: 集計期間:2026年08月19日~2026年09月15日
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分析のメーカー・企業ランキング

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  1. 受託分析|ユーロフィンEAG株式会社 東京都/試験・分析・測定
  2. 因幡電機産業株式会社 産機カンパニー 大阪府/商社・卸売り
  3. 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 東京都/試験・分析・測定
  4. 4 株式会社アイテス 滋賀県/電子部品・半導体
  5. 5 ユーロフィンQKEN株式会社 福岡県/その他

分析の製品ランキング

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  1. 不純物分析|GDMS(グロー放電質量分析) 受託分析|ユーロフィンEAG株式会社
  2. ノーコードでデータの可視化・集計・分析【Konekti EX】 因幡電機産業株式会社 産機カンパニー
  3. 『味・香り分析サービス』<分析事例付き資料進呈> ユーロフィンQKEN株式会社
  4. 4 無償分析セミナー|Smart CHART 受託分析|ユーロフィンEAG株式会社
  5. 5 ICP-AES/ICP-MS用 認証単元素・混合標準液 湿式分析 西進商事株式会社

分析の製品一覧

1411~1440 件を表示 / 全 1864 件

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【試験】CHN分析(元素分析計)

窒素酸化物を還元して窒素にした後、各生成物質を検出し元素濃度を求めます!

当社で行う、「CHN分析(元素分析計)」試験をご紹介いたします。 試料中の炭素分と水素分及び窒素分を、高温の燃焼管で二酸化炭素と 水と窒素酸化物にし、窒素酸化物を還元して窒素にした後、各生成物質を 検出し元素濃度を求めます。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【試験詳細】 ■項目番号:K562 ■必要量:20ml ■規格番号:JPI-5S-65-11 ■主な対象油種:エンジン油、自動車用ギヤ油、工業用ギヤ油、機械油、  ガソリン、灯油(ジェット燃料含む)、軽油(混合軽油含む)、重油 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】X線回折分析

対象油種は、その他スラッジ・溶剤等!X線回折の原理を利用して試料の結晶構造を観察

当社で行う、「X線回折分析」試験をご紹介いたします。 X線回折の原理を利用して試料の結晶構造を観察し、無機化合物を定量する 試験。X線回折で得られた結果と蛍光X線分析(K521)で得られた測定結果を 併せて解析することにより、成分分析を行うことができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【試験詳細】 ■項目番号:K522 ■必要量:別途相談 ■規格番号:- ■対象油種:その他スラッジ・溶剤等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】蛍光X線分析

試料の元素分析!測定対象元素は周期表におけるナトリウムからウランまで

当社で行う、「蛍光X線分析」試験をご紹介いたします。 試料にX線を照射し、励起された各元素が基底状態に戻るときに発生する 元素固有のX線を測定することにより、含有されている元素を特定。 測定対象元素は周期表におけるナトリウムからウランまでです。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【試験詳細】 ■項目番号:K521 ■必要量:別途相談 ■規格番号:- ■対象油種:エンジン油、自動車用ギヤ油、工業用ギヤ油、機械油、  グリース、その他スラッジ・溶剤等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】スラッジ分析

スラッジ(不明な物質)の定性・定量分析!対象油種は、その他スラッジ・溶剤等

当社で行う、「スラッジ分析」試験をご紹介いたします。 フィルタや潤滑油の使用箇所で発生したスラッジ(不明な物質)の 定性・定量分析を実施。測定前処理、実施試験項目などはお客様と 相談して決めさせていただきます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【試験詳細】 ■項目番号:K517 ■必要量:別途相談 ■規格番号:- ■対象油種:その他スラッジ・溶剤等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】高温高せん断粘度(HTHS粘度:キャピラリー法)

エンジン油の高温高せん断条件下における粘度を測定します!

当社で行っている、潤滑油試験分析「高温高せん断粘度(HTHS粘度: キャピラリー法)」についてご紹介します。 エンジン油の高温高せん断条件下における粘度を測定する試験。 当該試験はキャピラリー法です。 必要量は100mlで、規格番号はASTM D5481となっております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【試験詳細】 ■項目番号:L331 ■必要量:100ml ■規格番号:ASTM D5481 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】MPC

機械油に!ろ過したフィルターと元のフィルターとの色の差を数値化

当社で行っている、潤滑油試験分析「MPC」についてご紹介します。 潤滑油の色を数値化する試験です。サンプルをろ過したフィルターと 元のフィルターとの色の差を数値化します。 対象油種は、機械油となっております。 【試験詳細】 ■項目番号:L248 ■必要量:100ml ■規格番号:ASTM D7843-21 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】界面張力

対象油種は機械油、必要量200ml!試料の界面張力を測定

当社で行っている、潤滑油試験分析「界面張力」についてご紹介します。 試料の界面張力を測定する試験です。25℃に安定させた水と試料の 界面に白金のリングを着け、そのリングを持ち上げたときの張力を測定。 また、測定には水と試料の密度の差が必要になります。 【試験詳細】 ■項目番号:L245 ■必要量:200ml ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】硫酸灰分

硫酸を加えて硫酸塩に!加熱して恒量にした残留物の質量を測定

当社で行っている、潤滑油試験分析「硫酸灰分」についてご紹介します。 潤滑油に含まれる無機物質を測定する試験です。試料を燃焼させ、 残った炭素質物質に硫酸を加えて硫酸塩とし、加熱して恒量にした 残留物の質量を測定します。 対象油種は、エンジン油や自動車用ギヤ油、工業用ギヤ油、機械油です。 【試験詳細】 ■項目番号:L241 ■必要量:100ml ■規格番号:JIS K2272 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】不溶解分:ペンタンA法

油中のきょう雑物や摩耗金属の量を測定!対象油種は工業用ギヤ油、エンジン油、自動車用ギヤ油

当社で行っている、潤滑油試験分析『不溶解分:ペンタンA法』について ご紹介いたします。 油中のきょう雑物や摩耗金属の量を測定する試験。 専用の遠沈管に試料を採り、ペンタンを加え、遠心分離によって沈殿した ペンタン不溶解分を測定します。 【試験詳細】 ■項目番号:L234 ■必要量:30ml ■規格番号:ASTM D893 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】蒸気乳化度

油が規定容量に分離するまでの時間を計測!試料を水蒸気で乳化した時の水分離性を評価

当社で行っている、潤滑油試験分析『蒸気乳化度』について ご紹介いたします。 試料を水蒸気で乳化した時の水分離性を評価する試験。 水蒸気を吹き込んで規定状態まで乳化させたのち、分離層に移して分離させ、 油が規定容量に分離するまでの時間を計測します。 【試験詳細】 ■項目番号:L232 ■必要量:100ml ■規格番号:JIS K2520 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】抗乳化性:82℃

蒸留水と潤滑油を混合し、82℃の温度条件において攪拌!水分離性を評価する試験

当社で行っている、潤滑油試験分析『抗乳化性:82℃』について ご紹介いたします。 試料を水で乳化した時の水分離性を評価する試験。 蒸留水と潤滑油を混合し、82℃の温度条件においてかき混ぜます。その後、 水層と油層に分離した時間及び各層の体積を測定し評価します。 分離時間が短いほど抗乳化性が優れています。 【試験詳細】 ■項目番号:L231 ■必要量:100ml ■規格番号:JIS K2520 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【試験】放気性

規定温度の空気を吹き込み、比重を観察しながら油中の泡が抜ける時間を測定!

当社で行っている、潤滑油試験分析『放気性』について ご紹介いたします。 試料中の泡の消失性を評価する試験。 規定温度の空気を吹き込み、比重を観察しながら油中の泡が抜ける 時間を測定します。 【試験詳細】 ■項目番号:L220 ■必要量:400ml ■規格番号:ASTM D3427 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ドイツ diondo工業CT測定サービス-繊維複合材料分析

低価格・高精度・正確な非破壊検査 5万円~/1 検体

5万円(税別)~/ 1 検体 ※検体輸送費(基本的に検体運搬費用はお客さま) 【測定内容】 欠陥分析-気孔分析 寸法測定 ※他測定内容はお問合せください。 【納品データ】 測定レポート + オリジナルレポート画像 + 欠陥統計表 【CTスキャナ仕様】 機種名:汎用マイクロ・ナノCTシステム diondo d2 反射ターゲットX線管: 190-300kV 送信ターゲット X線管: 160~300kV エリアアレイ検出器: 3000 × 3000px、139μm 焦点距離範囲: 400-1200mm、調整可能 最大有効検出範囲: Ø520×H650mm 最大耐荷重:50kg 本体サイズ: L2900×B2050×H2180mm diControl ソフトウェアの機能 :DR 機能、スパイラル CT、角度制限スキャン、高速 CT、高速再構成 GPU 加速、ビームハードニング補正、アーティファクト補正、バッチ自動検出、自動ジオメトリ補正、日常検出、ステータス検出、測定モジュール VDI/VDE 2630

  • 受託解析
  • 受託測定
  • 受託検査
  • 分析

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錠剤内部の3次元X線顕微鏡観察

高分解能・高コントラストの観察!非破壊で3次元観察することが可能

錠剤には、適切な部位で適量が作用するように、内部成分の割合には 重要な意味があります。 3次元X線顕微鏡(X線CT)により、内部状態を3次元的に 可視化することで粉薬などの分布状態を確認できます。 試料を透過したX線を光に変換して光学レンズで拡大するため、 高分解能・高コントラストの観察が可能です。 【3次元X線顕微鏡の基本構造】 ■X線源 ■試料 ■シンチレータ ■光学レンズ ■検出器 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他 顕微鏡・光学検査機器
  • 分析

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錠剤内部の密度分布

空隙分布や密度変化の数値化が可能!打錠条件の改善に役立てることができます

打錠条件により、錠剤内部に空隙が残る場合や密度分布が変化する 場合があります。 3次元X線顕微鏡(X線CT)は、非破壊かつ3次元での観察により、 空隙分布や密度変化の数値化が可能で、打錠条件の改善に 役立てることができます。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【錠剤の密度分布とX線CT像の輝度の関係】 ■空気のX線吸収率はほぼゼロで輝度は小さくなる ■固体の占める割合により輝度のヒストグラムの歪み方が異なる ■空隙率が大きい方が歪度が小さくなる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他 顕微鏡・光学検査機器
  • 分析

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錠剤崩壊性のリアルタイムX線透過観察

高輝度X線により、錠剤の吸水と崩壊開始の状態をリアルタイムに観察可能!

口腔内崩壊錠は、少量の水で崩壊することが望まれます。 そのような性質を持つ錠剤の設計や作製のためには、 吸水崩壊のメカニズム解明が重要です。 放射光施設の高輝度X線を用いることで、錠剤の吸水と 崩壊過程をリアルタイムでX線透過観察することができます。 【リアルタイムX線透過観察 概要】 ■4s:水滴が広がり徐々に吸水 ■182s:錠剤内部の一部崩壊 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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MEMSデバイスの3次元構造観察

高分解能・高コントラストな観察を実現!非破壊で3次元観察することが可能

「MEMS」には、立体的で可動部を有するMEMS構造体が中空で 封止されています。 この構造をあるがままに観察するためには開封などの加工を行わず 観察することが必要です。 3次元X線顕微鏡(X線CT)は、非破壊で3次元観察でき、できばえ解析・ 不具合解析・リバースエンジニアリングに有効です。 【3次元X線顕微鏡 特長】 ■対象物の内部を非破壊で3次元観察することが可能 ■試料を透過したX線を光学レンズで拡大するため、高分解能・  高コントラストな観察が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他顕微鏡・マイクロスコープ
  • 分析

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信頼性評価内容

ご要望の仕様に基づいた評価条件にも対応!確かな手順による信頼性評価サービスをご提供

当社試験所は管理された環境と確かな手順による信頼性評価サービスを ご提供します。 標準規格のほかに、ご要望の仕様に基づいた評価条件にも対応可能。 半導体・電子パネル・電子部品・実装基板・ガラス・各種材料に 対応しています。 【環境試験・機械強度試験(一部)】 ■高温試験 ■低温試験 ■高温高湿試験 ■HAST試験/オートクレーブ試験 ■温度サイクル試験/気槽冷熱衝撃試験/ヒートサイクル試験 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他の各種サービス
  • 分析

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金属部品における内部欠陥調査

内部欠陥の有無を試料にダメージを与えることなく確認できる!

アルミダイカスト部品について、3次元X線顕微鏡(X線CT)による非破壊観察で 内部欠陥の有無などの情報を取得することができます。 また、内部に欠陥が確認された場合、イオンミリングなどを用いた断面加工にて 欠陥を露出させて状態を確認し、介在物が存在する際には、その成分を確認する ことで発生原因を推定することができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【概要】 ■非破壊観察(X線CT)による内部情報の取得 ■断面構造解析(断面加工+元素分析) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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高濃度層から下層膜への不純物拡散評価

基板側からSIMS分析を行うバックサイドSIMS(Backside SIMS)についてご紹介!

SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、 表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果や ノックオンの影響を受けることがあります。 これらの影響を受けない評価方法として、基板側からSIMS分析を行う バックサイドSIMS(Backside SIMS)があります。 添付のPDF資料にて、Backside SIMSによりFが添加されたSiO2膜(FSG膜)から 下層SiO2膜へのFの拡散分布の評価についてご紹介しておりますので、 ぜひご覧ください。 【Backside SIMS原理】 ■裏面側のSi基板を研磨して薄くすることにより、裏面側からアプローチ  できるようにする ■Si基板の残厚を制御して薄膜化することや、パターン付試料の任意領域を  薄膜化すること、SiO2層などのSiのエッチングを選択的に停止させる層が  ある場合には、ウェットエッチングによりSi基板部分を全て除去することも可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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SAXSによるDDS製剤高分子ミセルの粒子評価

ナノ粒子の形状(球や楕円など)およびサイズ分布の算出が可能!

当社で行う「SAXSによるDDS製剤高分子ミセルの粒子評価」について ご紹介いたします。 DDS(ドラッグデリバリーシステム)とは、体内の必要箇所に対して選択的に 薬剤を作用させる薬物輸送システムのことで、副作用を抑えることから 大きな期待が寄せられています。 DDSでは高分子ミセルを用いることがあり、当社ではSAXS(X線小角散乱法) により高分子ミセルの粒子形状・サイズ分布の評価を行います。 【特長】 ■SAXS:X線の散乱を用いて物質の構造を解析する分析手法 ■対象試料:個体でも液体でも可能 ■非破壊で分析可能 ■ナノ粒子の形状(球や楕円など)およびサイズ分布の算出が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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変色した銅部材表面のXPS分析

金属部材の変色部分の原因調査では、最表面状態の定性分析と表面酸化膜の厚さや深さ方向の分布などXPSによる評価が非常に有効!

変色した銅部材表面のXPS分析についてご紹介いたします。 銅の変色の原因は、腐食物の生成による場合のほか、表面酸化膜の厚さの違い (光の干渉現象による発色)が原因となる場合もあるので、X線光電子分光(XPS) による最表面の定性分析に加えて深さ方向分析も実施すると有効です。 添付のPDF資料にて、銅部材の表面定性分析と深さ方向分析を実施し、変色部分と 正常部分の比較を行った事例をご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【銅表面の変色状態評価】 ■X線光電子分光(XPS)による最表面の定性分析に加えて深さ方向分析も  実施すると有効 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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GaNゲート酸化膜の不純物分析

D-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに成功!

GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜の前工程由来成分(不純物)の拡散は、 絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。 今回当社にて、薄膜加工したGaN化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。 それによりD-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに 成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。  詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

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SiC n-バッファ層の窒素濃度分析

D-SIMSを用いてn-バッファ層厚・窒素(N)濃度を捉えることに成功!

SiC MOSFETでは近年、オン抵抗対策のため、n-基板とn-ドリフト層の間に 数百nmオーダのn-バッファ層が挿入されています。 n-バッファ層の評価では、深さ方向分解能を向上させるため、上層に位置する 数μmオーダのn-ドリフト層を薄膜化し、その表面を平坦化する必要があります。 今回当社にて、薄膜加工したSiC化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。それによりD-SIMSを用いてn-バッファ層厚・窒素(N)濃度を 捉えることに成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。  詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

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Siウェーハのひずみ解析

X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを検出することが可能!

当社で行う「Siウェーハのひずみ解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ薄研削加工の際に生じる 残留応力によって、製品の故障・不良・劣化につながる可能性があります。 今回、Siウェーハに対して機械研磨を行うことで表面の結晶性を低下した 状態にし、研磨前後の結晶性変化をX線ロッキングカーブ測定で評価。 X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを 検出することができます。 【技術概要】 ■ロッキングカーブ測定 ・回折が起こる角度位置に検出器を固定し、試料のみ回転させることで、  回折条件を満たす回転の角度分布が測定できる。 ・角度分布(ロッキングカーブ)のピーク幅・強度は、結晶ひずみなど  結晶面の傾きのばらつきを反映し、結晶性の評価指標となる ・単結晶では、高角度分解能測定により、微小なひずみを評価できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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昇温脱離ガス分析(TDS)

赤外線加熱により、試料のみを加熱するため、低バックグラウンド化が可能!

当社で行う「昇温脱離ガス分析(TDS)」についてご紹介いたします。 材料や部品から発生するガスを把握することにより、表面付着物、 工程改善策の確認や不具合発生原因の推定を行うことが可能です。 昇温脱離ガス分析(TDS)では、真空中で試料を昇温加熱した際に、 表面および内部から発生するガス種の同定(定性分析)やガス量の 半定量分析ができます。 【特長】 ■試料サイズ:10mm×10mm、4mm(厚さ)まで ■試料加熱雰囲気:高真空(10^-7Pa) ■温度 ・室温~1,400℃(試料ステージ温度) ・室温~約1,150℃(Si基板校正温度※) ※埋め込み熱電対による高精度な温度補正を実施 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析

裏面研磨技術を用いたXPS分析(Backside XPS)についてご紹介!

当社で行う「ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析」についてご紹介します。 ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには 1nm以下の深さ方向分解能が必要。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側) からの測定を行うことで、より信頼性の高い解析が可能になります。 XPSの検出深さは数nm以下と浅いので、Si基板部分を裏面から研磨やウェット エッチングにより除去してXPS測定を行います。 【得られる情報】 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の不純物の分布・結合状態 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の組成変化 ■バンドアライメントなど ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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磁性金属多層膜の組成・状態分析

磁気抵抗素子の特性は、各種分析手法を組み合わせで解析することが重要!

当社で行う「磁性金属多層膜の組成・状態分析」についてご紹介します。 GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、 HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。 このような磁気抵抗素子の特性は、構造や界面により大きく変化するため、 それら挙動を各種分析手法を組み合わせで解析することが重要です。 【界面の状態解析】 ■XPS ■HAXPES ■TEM-EELS ■3DAP(APT) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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X線照射試験

X線による物質への影響や耐性を評価するための手法!

当社では「X線照射試験」を行っております。 X線は、非破壊かつ短時間で物質内部の状態を確認するのに適した性質を もつことから様々な場面で使用されています。 一方、X線と物質との相互作用により製品性能に影響が出たり、変色などの 異常が発生することがあります。こうしたX線による物質への影響や耐性を 評価するための手法として、X線照射試験をご紹介します。 【X線照射装置スペック】 ■管電圧:40~160(kV) ■管電流:1.0~12.5(mA) ■管電力:Max 800W ■固有フィルター:Be 0.8mm ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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放射光トポグラフィーによる欠陥評価

高い分解能で4インチ~6インチの大口径ウェーハ全面の欠陥評価を非破壊で可能!

当社で行う「放射光トポグラフィーによる欠陥評価」について ご紹介します。 SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、 素子特性に大きな影響を与えます。 当評価により、高い分解能で4インチ~6インチの大口径ウェーハ全面の 欠陥評価を非破壊で行うことが可能です。 【特長】 ■各種の結晶欠陥を数μmの解像度で可視化することが可能 ■ラボ装置では検出できない、貫通刃状転位(TED)の検出が可能 ■欠陥の種類、分布を評価することが可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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