グラフェンCVD成膜装置
炉のスライド移動による急冷機構を搭載
グラェン膜を合成するための管状炉熱CVD装置です 炉のスライド移動機構を搭載、サンプルの急加熱/急冷が可能 オプションで、モータ駆動による自動スライド機能も追加可能 オプションで、ターボ排気ポンプの追加により、さらに高品質のグラフェンが成膜可能
- 企業:株式会社マイクロフェーズ
- 価格:500万円 ~ 1000万円
更新日: 集計期間:2025年10月15日~2025年11月11日
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炉のスライド移動による急冷機構を搭載
グラェン膜を合成するための管状炉熱CVD装置です 炉のスライド移動機構を搭載、サンプルの急加熱/急冷が可能 オプションで、モータ駆動による自動スライド機能も追加可能 オプションで、ターボ排気ポンプの追加により、さらに高品質のグラフェンが成膜可能
長尺粉体CNTや垂直配向CNTやグラフェン膜を簡単に合成できる卓上型CVD装置です。
有機液体原料はもちろん、アセチレンガスや メタンガスなどの炭化水素原料ガスと、H2還元ガスの導入ポートも標準装備し、各種CNTの合成を簡単に実現できます。また、基板ヒーターの急冷が可能で、グラフェン膜も簡単に成膜できます。
有機材料と金属材料が同部屋にて成膜可能なハイブリット型成膜装置です。有機材料及び金属材料の共蒸着が可能です。
有機材料成膜用の有機蒸着セル(KOD-Cell)が8台、金属材料蒸着の際には、金属蒸着セルが同部屋に標準装備されます。有機用、金属用と共通して少量サイズのルツボにて構成されており、装置チャンバー内に極力チャンバー汚染をしない事に重点を置いた設計になっております。また、グローブボックスへ接続可能なシステムです。本システムは、有機材料と金属材料が同じ部屋にて成膜可能なハイブリット型蒸着装置となります。
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置
抵抗加熱蒸着源(金属蒸着)、有機蒸着源(有機材料)、マグネトロンスパッタ(金属・絶縁材)、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1(*DCスパッタのみ) ・蒸着範囲:Φ4inch/Φ100mm ・真空排気系:ターボ分子ポンプ + 補助ポンプ(ロータリー、又はドライスクロールポンプ) ・基板回転、上下昇降ステージ ・Max500℃基板加熱ヒーター ・水晶振動子膜厚センサー ・7”タッチパネルHMI操作(’IntelliLink’ WindowsPCリモート監視ソフト付属)
可能性の中でテクノロジーは加速する。
DCLとは、ダイヤモンドのような性質を持ったカーボン膜の意味です。 表面が非常に硬いなどの大きな性質をもっており、工業用材料や加工品など、更に新素材の誕生の期待が持たれています。
新しい成膜方法をお考えのエンジニア必見!樹脂基板への金属膜、保護膜を全自動で成膜
新しく開発された射出成形機連動型高速スパッタ・重合システムSPP-SERIESは、自動車・装飾部品などで用いられる樹脂基板への金属膜、保護膜の自動成膜が可能です。射出成形された基板を全自動で真空成膜(スパッタリング及び重合)することが可能です。 【対象製品】 ◆自動車ヘッドランプリフレクター ◆ミラー ◆金属装飾膜 ※詳しくはお問い合わせいただくか、PDFをダウンロードしてご覧ください。
低温プロセス 高屈折率制御 高速反応性成膜 緻密・平坦膜
『AFTEX-9000シリーズ』は、低温・低ダメージで高品質なナノ薄膜形成を 実現可能な装置です。 基板サイズ8インチ対応、ECRプラズマ源を3基まで搭載可能で、これらを 同時に稼動することにより生産性を大幅に向上することができます。 ナノ薄膜形成には是非当社製の装置をお使い下さい。 【特長】 ■8インチ対応のECR成膜モジュールを最大3基接続可能な 本格的マルチチャンバ方式の C to C枚葉式全自動システム ■3基のECRプラズマによる同時成膜可能で高い生産性を実現 ■レシピによる搬送フロー、成膜チャンバ、成膜プロセスの設定が可能で、 任意の材料の多層膜を全自動で成膜可能 ■基板傾斜回転と低圧成膜により、優れた均一性を実現 ■装置内分光システム(オプション)で膜厚・屈折率分散等の 測定が可能 ■固体ソースからの原料粒子と高活性なECRプラズマ流を 直接反応させるため、高価な除害設備が不要で環境に優しい ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低温で高い結晶性薄膜を得ることが可能!価格を抑えたプラズマ成膜装置
『AFTEX-2300』は低価格ながらマイクロ波分岐結合型ECRイオン源 を搭載するとともに、ロードロック機構、ターボ分子ポンプを装備した 高性能な固体ソースECRプラズマ成膜装置です。 10-30eVの低エネルギーに制御された高密度イオンの照射下で 薄膜が成長するため、原子レベルの平滑性で緻密・高品質な薄膜が 形成されます。 イオンアシスト効果により、高温の加熱を行うことなく酸化膜、 窒化膜などの化合物薄膜を形成できるほか、低温で高い 結晶性薄膜を得ることも可能です。 【特長】 ■固体ソース ECRプラズマ成膜装置の基本機能のみを装備 ■自動成膜装置にくらべて低価格 ■長期安定稼働を実現 ■クリーンな成膜環境 ■各種インターロック機構採用 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
均一性に優れた多層膜を形成できる!全自動多層膜形成装置
AFTEX-8000シリーズは、1つの成膜室に傾斜配置したECRプラズマ源を2基搭載し、高品質な光学薄膜などを最大8インチ径の基板上に均一性に優れた多層膜を形成できる、C to C枚葉式全自動多層膜形成装置です。 高活性・高密度ECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマ源を用い、プラズマ引き出し部にターゲットを配置することによって固体ソースによるECRプラズマ成膜を実現しています。 CVDのような危険なガスを用いる必要がないため排ガス処理の必要もなく、地球環境に優しい成膜技術です。 【特長】 ■高絶縁膜特性 ■多層膜 ■緻密・平坦膜 ■低ダメージ ■長期安定稼働 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ドラムレスのフラットWeb搬送と処理表面の成膜前非接触搬送を実現!成膜はプラズマCDV法、スパッタリング等のマルチプロセスも可能
『ロールコーター』は、プラスチックフィルム・金属フィルム等に連続的に 表面処理をする装置です。 ドラムレスのフラットWeb搬送と処理表面の成膜前非接触搬送を可能にし、 成膜は、プラズマCDV法、スパッタリング法、真空蒸着法等のプロセス を組み合わせたマルチプロセスが可能です。 また、素材ロールの脱ガス対策にTMP+CRT排気システムの採用しました。 【特長】 ■ドラムレスのフラットWeb搬送が可能 ■処理表面の成膜前非接触搬送が可能 ■マルチプロセスが可能 ■TMP+CRT排気システムを採用 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ALDでは難しいと言われている低温(室温)&大気圧中で粉体成膜が可能!
特徴】 ・大気圧中で旋回流を利用した粉体成膜 ・用途に応じた膜厚の制御が可能 ・室温で成膜可能 【応用例】 ・全固体電池用粉体に対するSiO、Al2O3成膜 【成膜のご相談やテスト成膜可能です】 クリエイティブコーティングスでは、テスト成膜やサンプル作成を承っております。 お客様のご要望を聞きし、適した装置、膜種や膜厚のご提案も可能です。 まずはお気軽にご相談ください。 ++++++++++++++++++++++++++++++ 時代と環境が求める次世代の気相技術を提供します。 半導体向け低温(室温)ALD装置と粉体低温(室温)ALD成膜装置の二刀流技術で技術革新に貢献します。
多層成膜により耐荷重性向上した低温DLC(Diamond-like carbon)薄膜硬質コーティングが可能!
高密着で安定した高品質な成膜が可能! 高硬質(耐摩耗性)、低摩擦係数(耐摩耗性)、耐食性、耐凝着性、平滑性なDLC成膜をおこなうことで 半導体製造装置パーツ用金型や樹脂成形金型、摺動部品や治工具などの長寿命化に貢献。 顧客のコスト削減だけでなく、清掃作業などの保守業務工数削減や業務改善にも最適。 立体的な超精密な複雑形状な金型や機械部品にも 「はがれにくく高密着、平滑&硬質な低温DLC成膜」が可能。 高硬度&耐摩耗性向上だけでなく「剥離処理~再成膜も受託可能」なため、 製品のライフサイクルコスト低減や材料廃棄削減など環境負荷低減にも貢献。 ++++++++++++++++++++++++++++++ DLCとは:ダイヤモンドライクカーボン(Diamond-Like Carbon)の略で、 ダイヤモンドとグラファイトの中間特性を有する滑り性の良い硬質な薄膜コーティングが可能。 SP3(ダイヤモンド結合)とSP2(グラファイト結合)の比率、その中に含まれるH(水素)の比率、 また多層被膜することによって、様々な物性や特性(工業的価値)を持つ薄膜を作ることが可能。
パイロットラインから量産ラインへが展開が可能な装置です。
RAMカソード(4面対向式低ダメージスパッタリングカソード) 及び強磁場プレーナーカソードを搭載したデポジションアップ式水平インライン型スパッタ装置です。 下地層にダメージを与えないよう、初期層はRAMカソードで低ダメージスパッタ成膜を行います。 その後、強磁場カソードで高速成膜を行います。 ロードロックストッカー及びアンロードロックストッカーに各15トレイずつ真空保管されます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。