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電子顕微鏡の試料に導電膜処理を施す為に。マグネトロンスパッタ装置。
マグネトロンスパッタ装置 ＭＳＰ－２０ＵＭは電子顕微鏡の試料に導電膜処理を施す装置です。マグネトロンターゲット採用で、試料ダメージを最小限にします。様々な用途に対応することを可能にする調整機能を装備。 アルゴンガス等の導入・圧力調整機能を装備しています。膜純度の向上に活躍します。詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
SEM試料のために。試料に優しいマグネトロン方式イオンコータです。
マグネトロンスパッタ装置ＭＳＰ－１Ｓは低電圧でコーティングするとともに試料台がフローティング式なので試料損傷がありません。試料に優しいマグネトロン方式イオンコータです。小型で場所をとりません。机の片隅で活躍します。詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
電子顕微鏡向けタングステン薄膜のコーティング装置です。
マグネトロンスパッタ装置 ＭＳＰ－２０－ＴＫは電子顕微鏡試料に導電処理を施す為のタングステンコーティング装置です。マグネトロンターゲット採用で、試料ダメージを最小限にします。詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
三元同時スパッタによる新素材の薄膜開発！実験内容や予算に応じてカスタマイズ可能
『NS-023』は、三種のターゲットを同時に成膜可能な三元マグネトロン スパッタリング装置です。 多元同時スパッタ以外にも、白金ヒーターを採用することで、基板の高温活性化 （ヒータ温度：950℃）や反応性スパッタなど様々な使い方に対応しています。 また、アシスト用プラズマ源も対応可能（ECR、ICP、他）です。 【特長】 ■三種のターゲットを同時に成膜可能 ■多元同時スパッタ以外にも、様々な使い方に対応 ■実験内容や予算に応じてカスタマイズ可能 ■アシスト用プラズマ源も対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ターゲットを３種取付可能！真空中で基板を自動搬送します！
真空引きから基板の搬送、スパッタリングまでを自動で行います。 小型設計ので、スペースを取らず実験装置として最適です。 ～特徴～ ・メインポンプはターボ分子ポンプを使用しています。 ・スパッタリングを行う成膜室と、成膜後に取り出す部屋をゲートバルブ で仕切っています。基盤をセット後、真空中で自動搬送します。 ・ターゲットは３種まで取付可能です。 ・基板は自動回転機構で、設定した順にターゲットの下に移動し、 成膜します。
各種デバイス・センサー用膜厚電極としても作成可能なマグネトロンスパッタ装置
ラボテック株式会社 の『LA-S2020』は、 対向平行円板型の2インチマグネトロン方式DCスパッタ装置です。 非導電性試料(サンプル)を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察する際の、 金属(Au/Pt etc)コーティングが可能です。 各種デバイス・センサー用薄膜電極(50nm 以下)の作製が可能なスパッタ装置です。 短時間に簡単な操作で効率の良いグロー放電が得られ粒状性に優れたスパッタ膜が作製可能です。 【特長】 ■簡単な操作 ■高効率 ■低コスト ※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードして下さい。
対応基板は最大φ1インチまで処理が可能！デュアルガスノズルを備えた装置
『小型スパッタ装置』は、1.3インチマグネトロンスパッタカソードを搭載した 実験用高真空小型制膜装置です。 放電用にマッチングユニット付きのRF電源を一台装備。 酸化反応スパッタリングに対応できるデュアルガスノズルを備えます。 また、対応基板は最大φ1インチまで処理が可能です。 【特長】 ■1.3インチマグネトロンスパッタカソードを搭載 ■放電用にマッチングユニット付きのRF電源を一台装備 ■酸化反応スパッタリングに対応できるデュアルガスノズルを備える ■対応基板は最大φ1インチまで処理が可能 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
良好な絶縁膜形成を実現するバイアススパッタリング装置！
『SPR-014-B』 は、基板側にバイアスを印加しながら スパッタリングを行い、絶縁層用の成膜が可能なロードロック式 バイアススパッタリング装置です。 ピンホール密度が低く、良好なステップカバレージ性を備えた 良好な絶縁膜形成ができます。 【特長】 ■低いピンホール密度 ■良好なステップカバレージ性 ■次の電極層に有利な平坦性 ・排気系はドライポンプと磁気浮上型TMPの排気システム ・基板側とターゲット(カソード)に高周波電力を同時に印可 ・ロードロック式の1元スパッタリング装置（容易に基板セット可能） ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フラットヒータ加熱により最大600℃まで昇温可能！真空及びガス置換雰囲気下での成膜に対応したスパッタリング装置！
『HMS2-300』は、フラットヒータ加熱により最大600℃まで昇温可能な ため、高温化での成膜が可能な2インチ2元スパッタリング装置です。真空 及びガス置換雰囲気下での成膜に対応しています。2インチマグネトロン式 スパッタカソードを具備しており、最大3元まで増設可能です。オプション でL/Lチャンバ、移動式膜厚計、バイアス機構に対応しています。 【特長】 ■フラットヒータ加熱により最大600℃まで昇温可能 ■真空及びガス置換雰囲気下での成膜に対応 ■2インチマグネトロン式スパッタカソードを具備 ※最大3元まで増設可能 ■オプションでL/Lチャンバ、移動式膜厚計、バイアス機構に対応 ■設置スペースはW535×D1000×H1800mmと省スペース ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
お客様ご依頼サンプルによる受託成膜、立会実験にも対応いたします！
『粉体スパッタリング装置』とは、直径数μmまでの粉の表面に真空・ プラズマを使って薄膜をコーティングする装置です。 バレルスイング動作を基本とした攪拌機構を有し、 RFまたはDCスパッタ法による成膜が可能。 粉体材料の劣化防止や、粉体表面の電気伝導性の制御、 希少材料の薄膜化による省資源化などへの応用が期待できます。 【特長】 ■撹拌機構で均一な成膜 ■化学反応不要 ■高純度で密着性の高い成膜 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ガス導入と圧力コントロールバルブによるスパッタ圧の制御が可能！
『MSS600-3』は、矩形カソード W100ｘH500mmによる 3元RFスパッタリング装置です。 基板サイズはW200×H300mmであり、X方向へ搬送しながら蒸着します。 また、基板200mmを30秒から15時間の時間で任意に設定し、膜厚調整や 様々な異種積層成膜が可能です。 【特長】 ■自動スパッタ機能により、長時間のスパッタリング作業も省力で可能 ■GenCore社製矩形カソードを使用。ターゲット付近から均一なスパッタ ガス導入が可能 ■スパッタコンタミの拡散を防ぐためプロセス室3室を回転シャッターで 仕切っている ■基板を定速で移動させながらのスパッタが可能 など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
光学用の多層膜を高均一かつ再現性に優れた成膜を行う事を目的に開発！
当社では、独FHR社の『Star.500-EOSS(R)』を取り扱っております。 『Star.500-EOSS(R)』は、光学フィルター成膜用として設計された マグネトロンスパッタシステムです。 成膜用のパーティクルを最小限にするためスパッタアップの方式を採用。 200mm径までのフラット並びに曲面の基板まで対応しており、 基板加熱機構も組み込みできます。 【特長とメリット】 ■傑出した光学多層膜の再現性 ■優れた膜厚均一性 ■シリンダー型スパッタカソードとスパッタアップとの組み合わせによる 膜質の改善と欠陥の無い成膜 ■円筒型ターゲットによる長寿命ターゲットライフと 成膜レート変動の最小化 ■完全に自動化されたプロセス制御 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
「FHR.Star.600-EOSS」は、精密な光学フィルター成膜用として開発された高機能マグネトロンスパッタ装置です。
今後大きな需要が期待されるLiDAR用途など、多層化と高再現性が求められる高機能光学フィルターの安定生産に力を発揮します。 ・シリンダー型カソードによる、ターゲット消耗による膜質変化の影響を廃した製膜 ・リアクティブイオンソース搭載による、酸化膜の安定成膜 ・最大４基のカソードの搭載による、幅広い多層膜の成膜 など、高品位な光学薄膜成膜に特化した装置です。 特徴 ■傑出した光学多層膜の再現性 ■優れた膜厚均一性 ■シリンダー型カソードとスパッタアップとの組み合わせによる 膜質の改善と欠陥の無い成膜 ■In-situモニタリングによる、成膜状態の連続監視 ■完全に自動化されたプロセス制御 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
FHR Star.100-Tetra CoはMEMSや高機能光学製品向けに設計された非常にコンパクトなスパッタリング装置です。
このシステムには3つのスパッタリングソースと プレクリーニングエッチャーがすべて共焦点形状に配置されており、生産性を高めるためにロードロックならびに搬送チャンバを追加することも可能です。スパッタリングソースには直径100mmのシャッターが搭載されており、このシャッターを制御することで成膜コントロールすることが可能です。また、ソースと基板の距離も制御が可能です。これらの制御はプログラムによりオートコントロールされることで最適な成膜を実現しています。 主用途：MEMS製品や高機能光学製品製造 寸法 (L×W×H)： 2.3 m× 1.3 m × 2.1 m 重量(ロードロック付の場合) ：1 700 - 2 000 kg 最大基板サイズ： 直径150 mm 最大基板キャリア：直径220 mm 対応プロセスガス: アルゴン、酸素、 その他 詳細はお問い合わせください。
リアクティブスパッタ、合金スパッタを自在にコントロールしての成膜を実現します
イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートする装置です。 イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール →スパッタレート、膜質、結晶構造の制御 →ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜 →イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 →幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御 →各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜 →ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 →ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜
