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テラヘルツ分光装置に搭載可能！試料による偏光の影響を測定するためのステージ
『TP-POL-1』は、テラヘルツ分光装置「TeraProspecor」に搭載可能な 試料による偏光の影響を測定するためのステージです。 入射および検出信号の水平偏光成分以外をカットするための偏光子と、 挿入した試料を回転させることができる試料ホルダーから構成されます。 【仕様】 ■型式：TP-POL-1 ■試料回転角：360°（手動で任意の角度に設定可能） ■消光比：＜10-4 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
各種デバイス・センサー用膜厚電極としても作成可能なマグネトロンスパッタ装置
ラボテック株式会社 の『LA-S2020』は、 対向平行円板型の2インチマグネトロン方式DCスパッタ装置です。 非導電性試料(サンプル)を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察する際の、 金属(Au/Pt etc)コーティングが可能です。 各種デバイス・センサー用薄膜電極(50nm 以下)の作製が可能なスパッタ装置です。 短時間に簡単な操作で効率の良いグロー放電が得られ粒状性に優れたスパッタ膜が作製可能です。 【特長】 ■簡単な操作 ■高効率 ■低コスト ※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードして下さい。
対応基板は最大φ1インチまで処理が可能！デュアルガスノズルを備えた装置
『小型スパッタ装置』は、1.3インチマグネトロンスパッタカソードを搭載した 実験用高真空小型制膜装置です。 放電用にマッチングユニット付きのRF電源を一台装備。 酸化反応スパッタリングに対応できるデュアルガスノズルを備えます。 また、対応基板は最大φ1インチまで処理が可能です。 【特長】 ■1.3インチマグネトロンスパッタカソードを搭載 ■放電用にマッチングユニット付きのRF電源を一台装備 ■酸化反応スパッタリングに対応できるデュアルガスノズルを備える ■対応基板は最大φ1インチまで処理が可能 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低ダメージでオスミウムをコーティング可能！
当社では、観察倍率が高いSEM試料やデリケートな有機材料、複雑な 凹凸構造を持つ試料に低抵抗のオスミウム金属（非晶質&微細粒子）を コーティングし、導電処理を行う装置『オスミウムコーター』を取り扱っております。 「ホローカソード試料台による低電圧放電CVD法」を採用。 ホローカソード円筒内全域に高密度プラズマが発生し、均一にコーティングが 可能なため、試料サイズや試料高さでお悩みの方にもおすすめです。 【ラインアップ】 ■HPC-1SW ・CHサイズ：内径120mm×高さ90mm ・試料サイズ：φ95mm、高さ40mm ■HPC-20 ・CHサイズ：内径120mm×高さ77mm ・試料サイズ：φ95mm、高さ45mm ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
良好な絶縁膜形成を実現するバイアススパッタリング装置！
『SPR-014-B』 は、基板側にバイアスを印加しながら スパッタリングを行い、絶縁層用の成膜が可能なロードロック式 バイアススパッタリング装置です。 ピンホール密度が低く、良好なステップカバレージ性を備えた 良好な絶縁膜形成ができます。 【特長】 ■低いピンホール密度 ■良好なステップカバレージ性 ■次の電極層に有利な平坦性 ・排気系はドライポンプと磁気浮上型TMPの排気システム ・基板側とターゲット(カソード)に高周波電力を同時に印可 ・ロードロック式の1元スパッタリング装置（容易に基板セット可能） ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フラットヒータ加熱により最大600℃まで昇温可能！真空及びガス置換雰囲気下での成膜に対応したスパッタリング装置！
『HMS2-300』は、フラットヒータ加熱により最大600℃まで昇温可能な ため、高温化での成膜が可能な2インチ2元スパッタリング装置です。真空 及びガス置換雰囲気下での成膜に対応しています。2インチマグネトロン式 スパッタカソードを具備しており、最大3元まで増設可能です。オプション でL/Lチャンバ、移動式膜厚計、バイアス機構に対応しています。 【特長】 ■フラットヒータ加熱により最大600℃まで昇温可能 ■真空及びガス置換雰囲気下での成膜に対応 ■2インチマグネトロン式スパッタカソードを具備 ※最大3元まで増設可能 ■オプションでL/Lチャンバ、移動式膜厚計、バイアス機構に対応 ■設置スペースはW535×D1000×H1800mmと省スペース ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基板へのダメージを60%以上低減！低ダメージ性を維持したまま成膜速度を向上
『RAMフォース』は、プラスティックフィルム上へ光学膜やメタル等の 多層成膜をすることができるロールtoロールスパッタリング装置です。 RAMカソード（低ダメージカソード）の性能評価ばかりでなく、 ラボの条件下で自分のアプリケーションをテストし、パイロットラインから 量産ラインへと展開することができます。 【特長】 ■特許取得 ■基板へのダメージを60%以上低減 ※従来の平板式スパッタリングとRAMカソードとの比較 ■成膜速度を3倍以上向上 ※従来の対向式スパッタリングとRAMカソードとの比較 ■京浜ラムテックの独自技術 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
従来までの課題を解決！低ダメージ性を維持したまま、成膜速度を大幅に向上させました
従来の平板式スパッタリングでは、基板に大きなダメージを与えており、 対向式スパッタリングでは、成膜速度が遅く実用に課題がありました。 当社の「RAMカソード」は、ターゲットで四方を囲むことにより、 ターゲット表面近くに濃いプラズマを発生させることに成功。 アルゴンイオンが勢いよく大きな力でターゲットにぶつかることによって、 従来までの課題を解決しました。 【特長】 ■従来のプレーナー式カソードに比べて 基盤にあたえるダメージを60%以上低減 ■従来の対向式カソードに比べて成膜速度が3倍以上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
お客様ご依頼サンプルによる受託成膜、立会実験にも対応いたします！
『粉体スパッタリング装置』とは、直径数μmまでの粉の表面に真空・ プラズマを使って薄膜をコーティングする装置です。 バレルスイング動作を基本とした攪拌機構を有し、 RFまたはDCスパッタ法による成膜が可能。 粉体材料の劣化防止や、粉体表面の電気伝導性の制御、 希少材料の薄膜化による省資源化などへの応用が期待できます。 【特長】 ■撹拌機構で均一な成膜 ■化学反応不要 ■高純度で密着性の高い成膜 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ガス導入と圧力コントロールバルブによるスパッタ圧の制御が可能！
『MSS600-3』は、矩形カソード W100ｘH500mmによる 3元RFスパッタリング装置です。 基板サイズはW200×H300mmであり、X方向へ搬送しながら蒸着します。 また、基板200mmを30秒から15時間の時間で任意に設定し、膜厚調整や 様々な異種積層成膜が可能です。 【特長】 ■自動スパッタ機能により、長時間のスパッタリング作業も省力で可能 ■GenCore社製矩形カソードを使用。ターゲット付近から均一なスパッタ ガス導入が可能 ■スパッタコンタミの拡散を防ぐためプロセス室3室を回転シャッターで 仕切っている ■基板を定速で移動させながらのスパッタが可能 など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
光学用の多層膜を高均一かつ再現性に優れた成膜を行う事を目的に開発！
当社では、独FHR社の『Star.500-EOSS(R)』を取り扱っております。 『Star.500-EOSS(R)』は、光学フィルター成膜用として設計された マグネトロンスパッタシステムです。 成膜用のパーティクルを最小限にするためスパッタアップの方式を採用。 200mm径までのフラット並びに曲面の基板まで対応しており、 基板加熱機構も組み込みできます。 【特長とメリット】 ■傑出した光学多層膜の再現性 ■優れた膜厚均一性 ■シリンダー型スパッタカソードとスパッタアップとの組み合わせによる 膜質の改善と欠陥の無い成膜 ■円筒型ターゲットによる長寿命ターゲットライフと 成膜レート変動の最小化 ■完全に自動化されたプロセス制御 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
「FHR.Star.600-EOSS」は、精密な光学フィルター成膜用として開発された高機能マグネトロンスパッタ装置です。
今後大きな需要が期待されるLiDAR用途など、多層化と高再現性が求められる高機能光学フィルターの安定生産に力を発揮します。 ・シリンダー型カソードによる、ターゲット消耗による膜質変化の影響を廃した製膜 ・リアクティブイオンソース搭載による、酸化膜の安定成膜 ・最大４基のカソードの搭載による、幅広い多層膜の成膜 など、高品位な光学薄膜成膜に特化した装置です。 特徴 ■傑出した光学多層膜の再現性 ■優れた膜厚均一性 ■シリンダー型カソードとスパッタアップとの組み合わせによる 膜質の改善と欠陥の無い成膜 ■In-situモニタリングによる、成膜状態の連続監視 ■完全に自動化されたプロセス制御 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
FHR Star.100-Tetra CoはMEMSや高機能光学製品向けに設計された非常にコンパクトなスパッタリング装置です。
このシステムには3つのスパッタリングソースと プレクリーニングエッチャーがすべて共焦点形状に配置されており、生産性を高めるためにロードロックならびに搬送チャンバを追加することも可能です。スパッタリングソースには直径100mmのシャッターが搭載されており、このシャッターを制御することで成膜コントロールすることが可能です。また、ソースと基板の距離も制御が可能です。これらの制御はプログラムによりオートコントロールされることで最適な成膜を実現しています。 主用途：MEMS製品や高機能光学製品製造 寸法 (L×W×H)： 2.3 m× 1.3 m × 2.1 m 重量(ロードロック付の場合) ：1,700 - 2,000 kg 最大基板サイズ： 直径150 mm 最大基板キャリア：直径220 mm 対応プロセスガス: アルゴン、酸素、 その他 詳細はお問い合わせください。
リアクティブスパッタ、合金スパッタを自在にコントロールしての成膜を実現します
イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートする装置です。 イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール →スパッタレート、膜質、結晶構造の制御 →ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜 →イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 →幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御 →各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜 →ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 →ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜
1辺25mmトライアングルの有効エリア！単一基板に数百条件分の組成分布を形成します
『CMS-6420』は、PLD法では実現しにくかった成膜面積の拡大を図るべく 開発された6元コンビナトリアル・マグネトロンスパッタ装置です。 有効エリアは1辺25mmトライアングル。 4インチウエハを標準基板とするため、パターン描画・エッチングなどの ライン後工程に投入できることから、成膜のみならず解析までを ハイスループット化できます。 【特長】 ■プロセスラインに適合可能な4インチウエハ対応 ■有効エリア：1辺25mmトライアングル ■2元＆3元コンビ成膜に対応 ■LabVIEWレシピ入力＆自動成膜 ■最大6元構成(マトリクス用2インチカソード6基) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
