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油中のきょう雑物や摩耗金属の量を測定！対象油種は工業用ギヤ油、エンジン油、自動車用ギヤ油
当社で行っている、潤滑油試験分析『不溶解分：ペンタンA法』について ご紹介いたします。 油中のきょう雑物や摩耗金属の量を測定する試験。 専用の遠沈管に試料を採り、ペンタンを加え、遠心分離によって沈殿した ペンタン不溶解分を測定します。 【試験詳細】 ■項目番号：L234 ■必要量：30ml ■規格番号：ASTM D893 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
規定温度の空気を吹き込み、比重を観察しながら油中の泡が抜ける時間を測定！
当社で行っている、潤滑油試験分析『放気性』について ご紹介いたします。 試料中の泡の消失性を評価する試験。 規定温度の空気を吹き込み、比重を観察しながら油中の泡が抜ける 時間を測定します。 【試験詳細】 ■項目番号：L220 ■必要量：400ml ■規格番号：ASTM D3427 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
内部欠陥の有無を試料にダメージを与えることなく確認できる！
アルミダイカスト部品について、3次元X線顕微鏡(X線CT)による非破壊観察で 内部欠陥の有無などの情報を取得することができます。 また、内部に欠陥が確認された場合、イオンミリングなどを用いた断面加工にて 欠陥を露出させて状態を確認し、介在物が存在する際には、その成分を確認する ことで発生原因を推定することができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【概要】 ■非破壊観察(X線CT)による内部情報の取得 ■断面構造解析(断面加工＋元素分析) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基板側からSIMS分析を行うバックサイドSIMS(Backside SIMS)についてご紹介！
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、 表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果や ノックオンの影響を受けることがあります。 これらの影響を受けない評価方法として、基板側からSIMS分析を行う バックサイドSIMS(Backside SIMS)があります。 添付のPDF資料にて、Backside SIMSによりFが添加されたSiO2膜(FSG膜)から 下層SiO2膜へのFの拡散分布の評価についてご紹介しておりますので、 ぜひご覧ください。 【Backside SIMS原理】 ■裏面側のSi基板を研磨して薄くすることにより、裏面側からアプローチ できるようにする ■Si基板の残厚を制御して薄膜化することや、パターン付試料の任意領域を 薄膜化すること、SiO2層などのSiのエッチングを選択的に停止させる層が ある場合には、ウェットエッチングによりSi基板部分を全て除去することも可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ナノ粒子の形状(球や楕円など)およびサイズ分布の算出が可能！
当社で行う「SAXSによるDDS製剤高分子ミセルの粒子評価」について ご紹介いたします。 DDS(ドラッグデリバリーシステム)とは、体内の必要箇所に対して選択的に 薬剤を作用させる薬物輸送システムのことで、副作用を抑えることから 大きな期待が寄せられています。 DDSでは高分子ミセルを用いることがあり、当社ではSAXS(X線小角散乱法) により高分子ミセルの粒子形状・サイズ分布の評価を行います。 【特長】 ■SAXS：X線の散乱を用いて物質の構造を解析する分析手法 ■対象試料：個体でも液体でも可能 ■非破壊で分析可能 ■ナノ粒子の形状(球や楕円など)およびサイズ分布の算出が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
金属部材の変色部分の原因調査では、最表面状態の定性分析と表面酸化膜の厚さや深さ方向の分布などXPSによる評価が非常に有効！
変色した銅部材表面のXPS分析についてご紹介いたします。 銅の変色の原因は、腐食物の生成による場合のほか、表面酸化膜の厚さの違い (光の干渉現象による発色)が原因となる場合もあるので、X線光電子分光(XPS) による最表面の定性分析に加えて深さ方向分析も実施すると有効です。 添付のPDF資料にて、銅部材の表面定性分析と深さ方向分析を実施し、変色部分と 正常部分の比較を行った事例をご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【銅表面の変色状態評価】 ■X線光電子分光(XPS)による最表面の定性分析に加えて深さ方向分析も 実施すると有効 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
D-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに成功！
GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜の前工程由来成分(不純物)の拡散は、 絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。 今回当社にて、薄膜加工したGaN化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。 それによりD-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに 成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
D-SIMSを用いてn-バッファ層厚・窒素(N)濃度を捉えることに成功！
SiC MOSFETでは近年、オン抵抗対策のため、n-基板とn-ドリフト層の間に 数百nmオーダのn-バッファ層が挿入されています。 n-バッファ層の評価では、深さ方向分解能を向上させるため、上層に位置する 数μmオーダのn-ドリフト層を薄膜化し、その表面を平坦化する必要があります。 今回当社にて、薄膜加工したSiC化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。それによりD-SIMSを用いてn-バッファ層厚・窒素(N)濃度を 捉えることに成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを検出することが可能！
当社で行う「Siウェーハのひずみ解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ薄研削加工の際に生じる 残留応力によって、製品の故障・不良・劣化につながる可能性があります。 今回、Siウェーハに対して機械研磨を行うことで表面の結晶性を低下した 状態にし、研磨前後の結晶性変化をX線ロッキングカーブ測定で評価。 X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを 検出することができます。 【技術概要】 ■ロッキングカーブ測定 ・回折が起こる角度位置に検出器を固定し、試料のみ回転させることで、 回折条件を満たす回転の角度分布が測定できる。 ・角度分布(ロッキングカーブ)のピーク幅・強度は、結晶ひずみなど 結晶面の傾きのばらつきを反映し、結晶性の評価指標となる ・単結晶では、高角度分解能測定により、微小なひずみを評価できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
赤外線加熱により、試料のみを加熱するため、低バックグラウンド化が可能！
当社で行う「昇温脱離ガス分析(TDS)」についてご紹介いたします。 材料や部品から発生するガスを把握することにより、表面付着物、 工程改善策の確認や不具合発生原因の推定を行うことが可能です。 昇温脱離ガス分析(TDS)では、真空中で試料を昇温加熱した際に、 表面および内部から発生するガス種の同定(定性分析)やガス量の 半定量分析ができます。 【特長】 ■試料サイズ：10mm×10mm、4mm(厚さ)まで ■試料加熱雰囲気：高真空(10^-7Pa) ■温度 ・室温～1,400℃(試料ステージ温度) ・室温～約1,150℃(Si基板校正温度※) ※埋め込み熱電対による高精度な温度補正を実施 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
裏面研磨技術を用いたXPS分析(Backside XPS)についてご紹介！
当社で行う「ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析」についてご紹介します。 ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには 1nm以下の深さ方向分解能が必要。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側) からの測定を行うことで、より信頼性の高い解析が可能になります。 XPSの検出深さは数nm以下と浅いので、Si基板部分を裏面から研磨やウェット エッチングにより除去してXPS測定を行います。 【得られる情報】 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の不純物の分布・結合状態 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の組成変化 ■バンドアライメントなど ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
磁気抵抗素子の特性は、各種分析手法を組み合わせで解析することが重要！
当社で行う「磁性金属多層膜の組成・状態分析」についてご紹介します。 GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、 HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。 このような磁気抵抗素子の特性は、構造や界面により大きく変化するため、 それら挙動を各種分析手法を組み合わせで解析することが重要です。 【界面の状態解析】 ■XPS ■HAXPES ■TEM-EELS ■3DAP(APT) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
X線による物質への影響や耐性を評価するための手法！
当社では「X線照射試験」を行っております。 X線は、非破壊かつ短時間で物質内部の状態を確認するのに適した性質を もつことから様々な場面で使用されています。 一方、X線と物質との相互作用により製品性能に影響が出たり、変色などの 異常が発生することがあります。こうしたX線による物質への影響や耐性を 評価するための手法として、X線照射試験をご紹介します。 【X線照射装置スペック】 ■管電圧：40～160(kV) ■管電流：1.0～12.5(mA) ■管電力：Max 800W ■固有フィルター：Be 0.8mm ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高い分解能で4インチ～6インチの大口径ウェーハ全面の欠陥評価を非破壊で可能！
当社で行う「放射光トポグラフィーによる欠陥評価」について ご紹介します。 SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、 素子特性に大きな影響を与えます。 当評価により、高い分解能で4インチ～6インチの大口径ウェーハ全面の 欠陥評価を非破壊で行うことが可能です。 【特長】 ■各種の結晶欠陥を数μmの解像度で可視化することが可能 ■ラボ装置では検出できない、貫通刃状転位(TED)の検出が可能 ■欠陥の種類、分布を評価することが可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
脱粒などの微細構造を壊さずに断面構造や元素の分布を確認可能！
当社で行う「自動車用バンパー塗装膜の断面観察」についてご紹介します。 自動車用バンパーの塗装膜は数種類の塗料を用いた多層構造になっています。 一般的な機械式研磨加工による断面観察では、添加されている微粒子の 脱粒などが発生し、その正しい構造が確認できません。 イオンミリング法(Ar＋イオンビーム)を用いて加工することで、脱粒などの 微細構造を壊さずに断面構造や元素の分布を確認することができます。 【特長】 ■SEM観察により、塗装膜の多層構造および添加微粒子を明瞭に確認可能 ■元素分析を併用することで、各添加粒子の分布を明瞭に確認可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
