更新日： 集計期間:2025年11月26日～2025年12月23日
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スパッタ装置とは、薄膜（はくまく）と呼ばれる、ナノメートルからマイクロメートル単位の非常に薄い膜を、基板（ガラス、シリコンウェハ、フィルムなど）の表面に形成するための真空装置の一種です。真空チャンバー内でアルゴンなどの不活性ガスをプラズマ化し、そのイオンをターゲットと呼ばれる成膜材料の塊に高速で衝突させます。すると、ターゲットの原子が叩き出され（スパッタリング現象）、対向する基板に付着して膜が堆積します。半導体、液晶パネル、光学レンズのコーティングなどに不可欠です。
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研究開発及び小規模生産用イオンビームスパッタリング装置！
『TFE ニューイオンビームスパッタシリーズ』は、多彩な機能を有する 研究開発及び小規模生産用システムであり、特にMTJ素子等の強磁性薄膜の 薄膜形成がプラズマダメージフリーで可能な強磁性膜・固体電解質 成膜ソリューションです。 また固体燃料電池用電解質の成膜において、良好な膜厚分布を実現した イオンビームスパッタリング装置。 さらには、手動あるいは自動ロードロックが選択可能で、かつPLCおよび PCによる完全自動制御とインターネットによるリモートコントロールを 実現したスパッタリング装置です。 【特長】 ■強磁性素子(MTJ用薄膜の成膜に応用可能なプラズマダメージ フリーなプロセス) ■固体燃料電池用電解質の膜厚均一性に優れた成膜 (グローブボックス装着可能) ■優れた膜厚均一性(＜2％：3σ, 200mmウェーハ) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
放電操作が容易！RF電源にオートマッチングを採用したコンパクトな設計
『FRS-HGシリーズ』は、2源/3源の同時スパッタ機能を搭載した 研究開発用の多源同時マグネトロンスパッタ装置です。 据付タイプながらコンパクト且つスタイリッシュな設計。 成膜ソース導入ポートは3ヶ所用意されており、スパッタリングカソードに 加え、アークプラズマ蒸着源などスパッタリングとの相乗効果が期待できる 成膜ソースを搭載することが可能です。 【特長】 ■据付タイプながらコンパクト且つスタイリッシュな設計 ■RF電源にオートマッチングを採用しており、放電操作が容易 ■2源または3源の同時成膜により、薄膜の機能・性能の微調整が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
柔軟性、コンパクトな設計、および低い投資コスト！少量生産に理想的な選択肢
『LLS EVO II』は、縦型で動的なコンセプトを備えた多用途のバッチ式スパッタリングシステムで、最大5つの異なる材料に対応し、基板ロードチャンバーとプロセスチャンバー(LC、PC)を分離した装置です。 200×230mmまでの様々な基板サイズと形状に対応。プロセスの柔軟性を高めるための構成可能な電源を装備できます。 ロードチャンバーでの基板の脱ガスとエッチングにより、プロセスチャンバーでの高純度なプロセスが保証され、5分以内にさまざまな基板サイズに簡単に変換できるため、柔軟な製造用装置になります。 【機能(一部)】 ■DC、DCパルス、RF、RF/DCを備えた最大5つのスパッタソース ■最大3つのカソードからの同時スパッタリング ■酸素と窒素による反応性スパッタリング ■ターボポンプ、クライオポンプ、ウォータートラップを備えた 高真空システム構成 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
高速かつ柔軟性のある基板成膜用途向けの大量生産ソリューションを提供！
『SOLARISファミリー』は、1枚当り最速３秒、円盤形状最大430mm径までの成膜を可能とした高速成膜装置。 5000台を超える高速光ディスク用システムを納入したノウハウと、3000台を超える半導体用PVD装置から得られた経験を組み合わせて、薄膜を超高速に成膜が可能。光学フィルター、反射膜、透明電極、傷防止コーティング、加飾コーティング、耐腐食コーティングなどさまざまなスパッタ成膜に表面クリーニングエッチングも組み合わせが可能。 燃料電池金属セパレーター向け保護コーティングや、自動車内装品向け加飾コーティング、車載ディスプレイ向け無反射・透明電極コーティングなどにも適用が可能。 【特長】 ■基板成膜に「高速インライン」枚葉式アーキテクチャを導入 ■スループットを向上させ、ロボットハンドリングにより手動処理を排除 ■各種成膜プロセス向けの高速生産ソリューションを提供 また、エバテック社は半導体ウェハーおよびアドバンスドパッケージング、MEMSやワイヤレスフィルター向けに金属、圧電膜、絶縁膜等向けPVD、ALD、PECVD、エッチング搭載ソリューションも提供。
スパッタソースを超高真空に保持したまま、マグネットの取り外しが可能
本スパッタソースは超高真空対応の汎用型小型マグネトロンスパッタソースです。 本体がすべてベーカブルであるため、反応性の高いターゲットでも、不純物の少ない成膜が可能です。 【特徴】 ○Oリングを使用しない超高真空タイプ ○スパッタソースを超高真空に保持したまま、マグネットの取り外しが可能 ○マグネットを取り外すことにより、300℃までのベーキングが可能 ○ターゲットの固定はリテイナーで行われ、ターゲットを短時間で交換可能 ○ガス導入口が取付フランジと一体となっているので、 ガス導入用のフランジは不要 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置
高機能 多目的 RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 タッチパネル簡単操作 熟練度を問わずどなたでも簡単に操作が可能です。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 最大3：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DC, DC/DCのみ） ● RF150W、DC780電源搭載（最大2電源まで） ● MFC x 3：プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング プラズマエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。
リモートソース型イオンビームスパッタ装置 リモートプラズマソースの開発メーカー
PlasmaQuest社 ヘリコン型 高密度イオンソースの開発販売、及び 応用製品の開発販売で25年の歴史を持つ優良企業です。 グリッドレスで高密度なプラズマを発生させるヘリコンプラズマソースは、多くの装置メーカーにOEM供給を続けていおります。 その高品位なプラズマソースをイオン源として、ターゲットにバイアス印加を行う画期的な手法「HiTUS」システムにより、様々な条件やターゲットを用いてのスパッタを実現しています。 従来のマグネトロンスパッタ装置では困難とされる高磁性ターゲットや高誘電ターゲットのスパッタ、金属とセラミックなどの異種ターゲットを同時に用いるCo-スパッタなど、多用途での運用を可能としています。 研究用途から生産規模の装置まで柔軟に対応できる多性を整えています。
『PGS model』は低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能なスパッタ装置です。
『PGSモデル』は、圧力勾配現象を採用した画期的なスパッタ装置です。 高真空域でのスパッタ成膜が可能。 また、低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能です。 九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果の製品と なっております。 【特長】 ■圧力勾配現象を採用 ■高真空域でのスパッタ成膜が可能 ■九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
RFイオンソースを使用し、シングルステージまたはプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング（IBS）装置です。
お客様用途に合わせて、研究開発用、量産用に装置設計いたします。 【装置特長】 ・プロセス動作圧10-2Pa台(10-4Torr台) 高真空成膜可能 ・コンタミネーションが少ない ・無加熱成膜可能 ・高密度膜 ・反応性成膜可能 ・イオンビームアシスト追加可能 ・膜厚等の制御性良好
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） -3) Max1000℃（SICコーティング） ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(＜30W） システム主制御：'IntelliDep'制御システム Windows PC（又はTP HMI）インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchスパッタリングカソード x 4（又は3inch x 3, 4inch x 2） ・プラズマエッチング：メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ（MiniLab-070）：1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
必要最小限のモジュール・コントローラをPlug&Play感覚で19"コンパクトラックに組込む事により無駄が無く、小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3源）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大4、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、プラズマエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ 最大基板サイズ：Φ6inch ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4源） ◉ 有機蒸着ソース：1cc or 5cc ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3源） ◉ ドライエッチング ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 2源同時成膜、HiPIMS、自動薄膜コントローラ、特注基板ホルダ、基板回転/昇降、基板加熱などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。
新たな素材探索や成膜プロセスの構築をサポートいたします
HiTUSテクノロジー イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。
多層・積層成膜プロセスの改善により電子部品の品質強化と生産性向上に貢献します
● 高品質・高精度な成膜によりデバイス性能を向上 ● 多様なユニットが搭載可能なマルチチャンバ方式によりご要望の成膜プロセスを実現
